以数字经济为引领,提升制造业竞争力 收官之年,经信工作如何布局

2020年1月18日,新一年的浙江全省经信工作会议如期召开。大会全面回顾了2019年全省经济和信息化工作,深入分析了当前面临的形势,并研究部署了2020年经信工作的方向和任务。2020年,全省经信系统将继续抢抓新一轮科技革命和产业变革的重大历史机遇,以"最多跑一次"改革为牵引优化营商环境,以"绣花功夫"精准服务企业,以数字经济引领新经济快速发展,以产业链协同创新提升制造业竞争力,着力稳住工业"基本盘",不断提升经济治理效能,为高水平全面建成小康社会和"十三五"规划圆满收官作出新的更大贡献!     

不饱和类卡宾H_2C＝CNaX(X=F,Cl,Br)的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论方法,在B3LYP/6-311+G(d,p)水平上研究了不饱和类卡宾H2C=CNa X(X=F,Cl,Br)的结构.结果表明,不饱和类卡宾H2C=CNa X(X=F,Cl,Br)各有2种平衡构型,其中具有三元环结构的构型能量低,是其存在的主要构型.预言了最稳定构型的振动频率和红外强度.计算得到了最稳定构型分子内氢迁移反应的过渡态.讨论了卤原子对不饱和类卡宾H2C=CNa X的影响.     

Ni~(26+)离子态分辨光复合过程的R矩阵理论研究

利用基于相对论R矩阵理论的DARC程序系统计算了Ni 25+离子基态1s22s(2S1/2)和激发态1s22p(2P1/2,2P3/2)的光电离截面,并通过细致平衡原理获得了统一的光复合过程(即辐射复合和双电子复合)态分辨的截面,计算结果给出了辐射复合与双电子复合过程间的干涉效应.为了标识和分析KLL共振能区所有的共振峰,基于相对论组态相互作用理论(RCI)的FAC程序被用来计算共振峰的能量、强度及其相关的双激发态的辐射、俄歇跃迁几率以及共振宽度等.利用统一的光复合截面进一步得到了KLL双电子复合过程的伴线强度,并与孤立共振近似下FAC的计算结果以及以前的理论和实验结果进行了比较,对存在的一致性和偏差进行了分析和讨论.     

孩子坐车,警惕8大杀手

<正>怀抱孩子坐车怀抱孩子坐车,一旦遇到事故,很容易让孩子成为大人的"安全气囊",造成婴幼儿的受伤、截瘫甚至死亡。即使是低速行驶时,汽车发生碰撞或紧急制动的冲击力,也远远超出父母胳膊能支撑的限度,婴儿可能被甩出车窗。而发生猛烈碰撞时,家长的胸部会自然向下压,猛烈压向孩子头颈,可能对儿童造成挤压伤害。让孩子使用成人安全带汽车的安全带都是给成人设计的,并不适合儿童体型。发生事故时,如果绑得太紧,会造成致命的腰     

习近平的新时代科技创新全球视野

 当前世界新一轮科技与产业革命正蓄势待发，中共中央总书记、国家主席、中央军委主席习近平以全球视野提出了新时代科技创新的指导思想。习近平指出：新时代中国必须采取科技创新全球视野系列举措，瞄准世界科技前沿，实施科技开放创新；构建世界科技命运共同体，实现世界各国合作共赢共享发展；采取"非对称性"赶超战略，取得后发超越；全面提升科技创新全球化，增强科技创新全球竞争力和世界影响力。分析表明，新时代习近平科技创新全球视野是引领和指导中国科技创新发展和建成世界科技强国的重大方略。     

氢燃料电池汽车车载用氢安全问题分析及对策研究

随着氢燃料电池汽车的快速发展,氢燃料电池汽车车载用氢安全问题已逐渐成为热点。本文首先分析氢的特性及车载用氢安全问题,然后从微观和宏观两个层面提出解决车载用氢安全问题的对策,以期为燃料电池汽车的发展提供参考。     

搪瓷用钢抗鳞爆性能研究进展

搪瓷制品鳞爆缺陷已经成为国内外研究重点。为提高搪瓷用钢的抗鳞爆性能,非常有必要了解搪瓷层的鳞爆机理。综述了国内外研究鳞爆机理以及氢扩散影响因素的现状。     

浅析《穆斯林的葬礼》中玉器对情节的推动

《穆斯林的葬礼》作者霍达以一个回族的玉器世家梁家作为故事的根基,以"月"和"玉"为中心构成两条线索平行推进又交叉铺叙,将两个完整独立又相互缠绕的爱情故事娓娓道来,抒写了在混乱的社会背景下,玉器世家第一、二代人梁亦清及其弟子韩子奇与梁君璧、梁冰玉的人生悲剧。在《穆斯林的葬礼》中,玉的意象频频出现,整理并分析那些推动了情节发展的重要玉器,借此角度重新审阅这一小说的行文结构与情节设置手法。     

齐次核的Hilbert型多重级数不等式取最佳常数因子的等价条件及应用

利用实分析技巧和权函数方法, 讨论具有齐次核的多重级数Hilbert型不等式, 得到了其取最佳常数因子的充分必要条件, 并给出其应用.     

量子阱厚度和势垒掺杂对大功率AlGaInP LED发光效率衰减特性的影响

GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点,伴随工业制备技术的日趋成熟,其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.但是,在超高电流下工作的AlGaInP大功率芯片仍存在着发光效率衰减严重的问题.目前已知的影响因素主要是载流子的溢出和俄歇复合的加强与否.本文通过分析具有不同势阱厚度和势垒中不同浓度的P型掺杂的AlGaInP样品的光致发光图谱变化与电流密度和辐射效率的关系,发现在势阱厚度为20nm,势垒P型掺杂浓度为1×1017 cm-3时,可以显著改善大功率LED的高温衰减特性.