二溴化1,1'-(1,2-亚乙基 )-3,3'-二甲基咪唑啉离子液体的合成及其晶体结构表征

离子液体是一种仅由离子组成的有机熔融盐,在较低的温度(<373 K)下为液体状态.本文介绍了二溴化1,1'-(1,2-亚乙基 )-3,3'-二甲基咪唑啉离子液体的合成,并表征了它的单晶结构.晶体为单斜晶系,P2(1)/c空间群,a= 8.4978(11),b=8.9630(11),c=9.2599(12)(A),β = 107.676(2)°.阳离子部分的结构是中心对称的,晶体由于C-H…Br 氢键的存在而十分稳定.     

硼对第二代镍基单晶高温合金显微组织的影响

硼(B)是强化镍基单晶合金小角度晶界的重要微量元素,但目前关于B对镍基单晶合金显微组织影响的系统报道非常有限。通过对3种不同B含量(质量分数分别为0、0.01%、0.02%)的第二代镍基单晶合金DD11铸态及热处理态组织定量表征,研究了B对相转变温度、(γ+γ′)共晶组织、硼化物的影响。结果表明:B显著降低合金的固液相线,提高铸态共晶组织体积分数;0.01%B的加入,合金中未出现M3B2型硼化物相;而0.02%B的加入,显著促进了骨架状硼化物的形成,降低合金初熔点,引起残余共晶含量的大幅度提高;骨架状硼化物吸收较多的Cr、Mo和W等元素,降低合金的固溶强化效果,可导致单晶合金基体的蠕变性能大幅度降低。研究结果对认识单晶合金中微量元素B的作用机理及优化B成分范围具有理论指导意义。     

单晶样品材料的生长与纳米量级光刻工艺探索

基于电子束直写技术在纳米尺度刻蚀的标准过程,探索适用于单晶样品的刻蚀工艺,在微米尺度上建立一套方案,给出各步骤条件参量,以期进一步应用到单晶样品的纳米尺度光刻。     

刚性柱双π墙金属有机框架:单晶到单晶结构转换,碘富集与缓释,协同导电性研究

本文在溶剂热条件下利用刚性柱型金属手性配位链(Zn-lactate),辅助于三角架桥联配体(pybz)构筑了目前第一例高稳定性、双π墙的纳米孔道配位聚合物Zn3(pybz)2(lac)2·2.5DMF(1).化合物1具有孔径为1.12 nm×1.02 nm的一维纳米通道,其孔洞率Vvoid为43.5％,Langmuir比表面积为918.5m2·g-1,热稳定性高达400℃.化合物1通过晶态转换的方式得到去客体化合物Zn3 (pybz)2 (lac)2(1′).1′在碘的环己烷溶液中展现出对碘分子前所未有的超级富集与控释效果,单位碘负载量达到1 g I2/g 1 ′,同时载碘单晶在乙醇溶液中可实现碘的可控释放.由于客体I2分子与主体双壁π电子两者间交替的电荷转移,导致载碘单晶的导电性能比碘单质剧增440倍.上述研究,在国际上首次发现了绝缘性客体与绝缘性配位聚合物主体协同有序电荷转移进而导电性剧增的特殊现象.     

LiNbO_3单晶蚀象、光象、形态、结构之间的关系

研究了 LiNbO_3单晶的蚀象、光象。观察到与晶体方向有关的蚀象和光象之间有对应关系,且各晶面上蚀象及光象的对称性均与晶体的对称性相一致。认为晶体的微观结构决定了它的表面形态,蚀象是该形态的一种表现形式,而光象则是蚀象的一种光学效应。     

碘化汞单晶体的生长与品质研究

报道了用温度振荡法(TOM)进行碘化汞(HgI_2)大单晶体的生长过程。并对晶体的形态、结构、化学配比和位错密度等进行了研究,结果表明,TOM是生长大尺寸优质HgI_2单晶体的有效方法。     

18─冠─6与氯化铜配合物的合成及物性测试

本文用溶剂蒸发法合成了Ｃ（１２）Ｈ（２４）Ｏ６（简称１８－冠－６）与氯化铜的单晶配合物，对其进行了熔点测定、元素分析和红外光谱分析，对分析的结果给以表征．Ｘ－射线单晶衍射实验得出配合物的晶体学参数．     

C_(60)单晶的“提拉”汽相法生长

近几年来,许多科学家都为C_(60).这种不寻常的中空碳原子的排列结构及其所呈现出的许多独特性质所吸引,如掺杂C_(60)的超导性,巴基球——铁磁体系等,因而对C_(60)的研究工作愈来愈深入,其中的原因之一应归于C_(60)单晶的生长.但是,由于所生长的C_(60)单晶的尺寸不够大,因而在某些方面限制了C_(60)的深入研究,例如C_(60)的电学和光学特性的研究.所以,许多科学家正致力于高质量大尺寸C_(60)单晶的生长.     

NbSi2在1023K氧化动力学和氧化行为的高温原位观察

利用高温金相显微镜对NbSi₂单晶和多晶在1023K的氧化行为进行氧化原位观察, 研究了微裂纹、疏松和晶界对NbSi₂氧化行为的影响. 结果表明, 电弧熔炼的多晶试样在1023K氧化一段时间后, 试样表面有裂纹萌生和扩展的迹象, 随后样品沿裂纹处断开, 而晶界和疏松处虽然也是氧化的优先部位, 却不会引起试样的开裂, 证明了试样中已存在的微裂纹是引起铸态NbSi₂氧化粉化现象的根本原因. NbSi₂单晶、放电等离子烧结(SPS)多晶和电弧熔炼多晶样品的氧化动力学行为与原位观察结果吻合.