GaAs（100）面上气相淀积生长GaS钝化膜

用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的ＧａＳ／ＧａＡｓ异质结能带结构图,即价带偏移１．５ｅＶ,导带偏移０．３ｅＶ,界面附近存在０．４ｅＶ的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为ＧａＡｓ器件制作的有用工艺。     

含双二苯基膦戊烷铜(Ⅰ)配合物的合成与性质

室温,氮气氛下,铜（Ⅱ）盐和双二苯基膦戊烷（ｄｐｐｐ５）在溶液中通过还原取代反应合成了８种铜（Ⅰ）配合物（１．［Ｃｕ（ｄｐｐｐ５）］２（ＢＦ４）２,２．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）２（Ｃ８Ｈ３Ｏ２ＳＦ３）２］,３．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）３］（ＣＣｌ３ＣＯＯ）２,４．［ＣｕＢｒ（ｄｐｐｐ５）］２,５．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）Ｃｌ２］,６．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）３］（ＣＨ３ＣＯＯ）２,７．［Ｃｕ（ｄｐｐｐ５）（ＮＯ３）］,８．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）３］（ＣｌＯ４）２）。通过元素分析、红外光谱、热重、摩尔电导测定对其进行表征,表明这是一种行之有效的有机膦配合物的合成方法。     

Cu~(2+)与三磺基四苯基啿卟啉配位反应研究

利用吸收光谱法和直流极谱法研究了Cu~(2+)的还原状态、抗坏态、抗坏血酸浓度及溶解氧对Cu~(2+)与三磺基四苯基卟啉配位反应的影响。结果表明Cu~(2+)与三磺基四苯(?)基四苯基卟啉配位反应的可能机制为抗坏血酸首先将高价铜还原为亚铜,亚铜离子与配位剂生成对氧成对氧敏感的不稳定中间体Cu~(Ⅰ)——三磺基四:苯基卟啉配合物,立即又被溶解氧氧化为Cu(Ⅱ)——Ⅱ)——三磺基四苯基卟啉配合物。     

双核铜（Ⅱ）与N,N,N′,N′—四[2—（2—吡啶基乙基[（o,m,p） …

通过酰氯与胺的作用合成了配体Ｎ,Ｎ,Ｎ′,Ｎ′－四〔２－（２－吡啶基）乙基〕（ｏ,ｍ,ｐ）苯二甲酰胺。该配体和铜（Ⅱ）配合,合成了三种新配合物,并以红外光谱、电子光谱、摩尔电导率、元素分析及核磁共振谱进行了表征。     

卤化亚铜催化卤代丁烷引发苯乙烯自由基聚合

研究过渡金属催化条件下,卤代丁烷结构等对苯乙烯自由基聚合反应的影响规律。方法,以卤代丁烷Ｃ４Ｈ９Ｘ（Ｘ＝Ｂｒ,Ｉ）／卤代亚铜ＣｕＸ（Ｘ＝Ｃｌ,Ｂｒ,Ｉ）／配位体（２,２″－联吡啶（ｂｐｙ,三苯基膦（ＰＰｈ３）体系为引发体系,研究苯乙烯本体自由基聚合动力学。     

用分光光度法研究二过碘酸合铜(Ⅲ)配离子氧化乙二胺的动力学

采用分光光度法研究了二过碘酸合铜（Ⅲ）氧化乙二胺的反应动力学及机理。结果表明,反应对Ｃｕ（Ⅲ）是准一级。准一级速率常数ｋｏｂｓ随乙二胺（ＥＤＡ）的浓度增大而增大,为正分数级,且１／ｋｏｂｓ对１／［ＥＤＡ］有较好的线性关系。ｋｏｂｓ随ＯＨ－［］的增大而增大;随ＩＯ－４［］的增大而减小。据此提出了包括前期平衡的反应机理,解释了实验现象,求得了速率控制步骤的速率常数。     

MEVVA源强流Ti离子注入纯铜表面层的结构与性能研究

采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源技术对强流Ti离子束注入到纯铜表面的结构和性能进行了系统的研究.材料表面层的机械性能测试表明:强流Ti离子注入纯铜后材料表面的硬度和耐磨性均有提高,相对于纯铜基体,5×1017 cm-2注量注入可以使材料表面硬度提高2.3倍,使表面摩擦因数下降14%.注入层的X射线结构分析表明:金属离子注入后,在纯铜表面注入层中析出了合金相,合金相的析出是材料的表面硬度和耐磨性提高的主要因素.     

铜熔体的过滤脱氧

采用常用的脱氧剂对铜熔体脱氧时,残余的脱氧剂往往对其导电性能造成一定影响.实验研究了采用木炭过滤的方法对液态铜进行脱氧.结果表明,木炭过滤是一种非常有效的铜熔体脱氧方法,而且不会对熔体产生二次污染.此外,对过滤脱氧技术在废旧紫铜的回收利用方面进行了研究,在炉料中分别添加0.1,0.2,0.3,0.5和1.0(质量分数)的废旧铜丝后,净化后的试样中wO≤10×10-6,直径3mm铜丝的硬态电阻率不超过1.75μΩ·cm,满足无氧铜的技术要求.     

不对称合成4-氧代-2,4-二苯基-丁酸酯

手性醇衍生的α-重氮苯乙酸酯与N-(苯乙烯基)-吗啉在铜盐催化下的反应，能够以高度的化学产率制备手性的4-氧代-2，4-二苯基-丁酸酯，产物中两种非对映异构体的比例达到2：1．