空间高效太阳能电池用高性能锗单晶研制

美国、俄罗斯、中国、印度、日本、欧洲等国家都投入大量的资源发展空间技术。目前,空间电源的主要来源是太阳电池。但由于传统的硅太阳电池受到空间辐射后电池性能衰减较快,转换效率低等影响,不能满足先进飞行器的要求。而GaAs太阳电池具有高转换效率、耐辐射、温度特性好和寿命长等优点,但GaAs单晶生长工艺困难,难于获得大尺寸结构完整的单晶,     

低缺陷β-Ga_2O_3单晶材料生长技术研究

β-Ga_2O_3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料,基于此,介绍β-Ga_2O_3的特性及应用潜力,阐述大尺寸β-Ga_2O_3单晶生长面临的难点,并结合国内外β-Ga_2O_3单晶生长技术进展,分析低缺陷β-Ga_2O_3单晶材料生长方法。     

单晶锗各向异性力学性能实验

单晶锗作为一种重要的半导体材料,在我国机电系统发展以及电路系统的优化升级中扮演着关键性的角色。为了充分发挥单晶锗在推动半导体产业发展,满足社会经济发展需求方面的作用,需要相关科技工作者对单晶锗(100)(110)(111)的各向异性力学性能进行全面的试验探究,对其实用性与加工性进行分析,促进单晶锗在实践中的有序使用。基于此,以纳米压痕实验为主要试验手段,对单晶锗(100)(110)(111)在试验过程中所表现出来的硬度及弹性模量等进行记录,以期为其力学性在实践中的应用提供理论参考。     

New crystal structure of molecular complex 1-piperidine carboxylate-piperidinium-H<Subscript>2</Subscript>O studied by X-ray single crystal diffraction

Piperidine absorbs CO2 and H2O in air to form a molecular complex： piperidium-l-piperidinecarboxylate-H2O. The structure of the complex was characterized by X-ray single crystal diffraction. The crystal structure was determined to be triclinic, space group P1^-with a=0.648 6（8） nm, b=0.809 200） nm, c= 1.357 1（16） nm, a=96.96706）°, β =102.506（15）°,γ=104.202 05）°, Z=2. The complex is stabilized via five hydrogen bonds between the three components, N-O electrostatic interaction and O-O interaction （electron transfer） betweenl-piperidinecarboxylate and H2O. Due to electron transference of carbamate ion, the oxygen atom in water molecule is strongly negatively charged and the O-H bond is considerably shorter than that of the free molecule of water. The formation of the molecular complex is a reversible process and will decompose upon heating. The mechanism of formation and stabilization is further investigated herein.     

La2-xSrxCuO4(0.03 < x < 0.17)单晶

系统地研究了高质量La2-xSrxCuO4单晶（x＝0．03,0．05,0．07,0．1,0．12,0．17）的热电势S随掺杂浓度的变化,在所研究的掺杂范围内,热电势S保持正值,随着Sr含量x的增加,室温热电热S（290K）逐渐降低,报道了La系214相中空穴浓度和室温热电势S（290K）之间关系的经验公式,在金属扩散模型的理论基础上对实验数据进行了讨论。     

聚乙烯单晶弧形边的成因

聚乙烯在不良溶剂中高温结晶时 ,往往在 { 2 0 0 }面形成弧形边 .因为不良溶剂的影响 ,此时形成的临界核长度较短 .这种薄的片晶在高温条件下是热力学不稳定的 ,在缓慢的单晶生长过程中不可避免地伴随着退火的过程 .在片晶生长的前沿仍然保持着临界核厚度的同时 ,它的中心部分已经由于退火作用而增厚 .这就使得所得单晶从中心到边缘具有一定的厚度梯度 (即中间厚 ,边缘薄 ) .另一方面 ,晶胞参数与片晶的厚度有关 :在较厚的片晶中晶胞较小 ,而在较薄的片晶中晶胞较大 .因此 ,在前述具有厚度梯度的片晶中 ,从中心到边缘晶胞尺寸逐渐增大 .这种变化在晶格中产生了一种应力 ,必然引起晶格的应变 .如果主要生长面{ 110 }的边变成同一套具有巨大半径的同心圆的圆弧 ,晶格的排列就可适应上述晶胞尺寸的变化 .由于同心圆的半径很大 ,而单晶中 { 110 }面的边只是圆弧的很小一部分 ,故仍然接近直线 .与此同时 ,生长较慢的 { 2 0 0 }面的边却随之变为椭圆的一部分 ,具有明显的曲率 .     

金刚石膜的六十项性状指标和百项相关成膜因素

为了表征金刚石膜性能的稳定性,本文给出了六十项性状指标和百项相关成膜因素、因果值A、制膜效果作为比较平台。发现沉积腔中气流有喘息、电弧转速有进动。磨耗比E值随测量过程而变。影响膜质的温度有22种。该平台为比较金刚石膜的稳定性找到了依据,不仅方便了技术交流、推动了膜品相的提高和制备技术的进步、还为标准的建立提供了方便和技术储备。     

铕掺杂ZnO纳米棒的生长及其光电性能的研究

利用水热法在硼掺杂金刚石膜上生长铕(Eu)掺杂Zn O纳米棒(Zn O:Eu),其形貌与Eu的掺杂量密切相关。掺杂0.01 mol/L Eu时对Zn O纳米棒生长影响较小,随着掺杂浓度的增加,Zn O纳米棒顶部出现尖端聚集现象,这种聚集现象是和纳米棒制备过程中电荷积累相关的,稀土元素能提供更多的电荷,使Zn O纳米棒顶端产生强的局部电场,相近纳米棒尖端会聚集一起。制作了以p型金刚石为衬底生长的Zn O:Eu异质结,并对其电学性能深入研究,实验结果表明该异质结对整流特性有良好反应。     

中频磁控溅射制备a-C∶H薄膜中沉积功率的影响

采用中频反应磁控溅射方法,在不同溅射沉积功率下,在单晶Si基片上沉积了a-C∶H薄膜.研究了不同沉积功率对a-C∶H薄膜的形貌、硬度、弹性的影响,并用Raman和FITR分析了引起a-C∶H薄膜形貌和力学性能变化的原因.结果表明,沉积功率对薄膜的形貌、硬度和弹性都有很大的影响,在功率为140 W时沉积的a-C∶H薄膜表面致密,具有最大的硬度和弹性模量.