固体密度基准研究

固体密度基准的准确度主要取决于对单晶硅球直径的准确测量. 为了准确测量硅球直径, 针对传统五幅相移算法之不足, 提出了“改进型五幅算法”, 在保持该算法高准确度特点的同时, 通过将技术上难以实现的步长“准确控制”(理论上要求绝对准确)转换成步长测量问题, 解决了该算法在精密测长中的技术难题; 在算法突破的基础上, 利用“压力扫描”原理设计出“腔长可变式”法-珀标准具, 建立了一套与国外同行相比技术原理新颖、提高潜力较大的相移法精密测长系统. 该测量系统对硅球直径的测量准确度优于3 nm; 单晶硅密度的测量不确定度达到1×10^-7.     

利用湿化学方法在单晶硅表面接枝PDA分子

通过湿化学方法,首先将H-Si表面氯化得到Cl-Si表面,接着1,4-二氨基苯(PDA)分子与带有Cl-Si表面的单晶硅反应,使得PDA分子通过Si-N键接枝到硅表面.所得Si-N键通过接触角实验,XPS和AFM手段进行表征.本文综合这些数据探讨了反应进行的路线和机理.这种简单的方法提供了新的路线将功能共轭分子嫁接到半...     

微加速度计

本文论述了微机械系统(MEMS)的发展,介绍了电容式微加速度计和压阻式微加速度计的结构,分析了它们的工作原理,以及制作工艺.     

单晶硅表面键合复合份菁及其伏—安特性

用化学方法将３种复合份菁化学键合于单晶硅表面，并用激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱进行了表征。暗的和光照的伏安特性测量表明键合染料的ｎ－Ｓｉ表面具有光生伏特效应，证实了ｎ－Ｓｉ－侧存在于电子势垒。     

铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜形貌和方块电阻

用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu_n~-(n是簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压V_α为0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P-si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品。用AFM分析表明:当V_α(?)3kV时,团簇束成膜,膜表面的粗糙度比常规磁控溅射小,且随V_α增加,粗糙度减小。用四探针测薄膜方块电阻,经归一化后可知:团簇束沉积,当V_α(?)3kV时,薄膜方块电阻大于常规磁控溅射的方块电阻,当V_α(?)5kV时薄膜方块电阻已小于常规磁控溅射方块电阻;对于团簇束沉积,薄膜方块电阻随沉积偏压V_α的增加而减小。     

单晶硅力学性质探索

本文的目的在于研究n型和p型硅单晶材料在外荷载作用下的变形性质。将云纹干涉和散斑干涉技术用于硅单晶材料变形性质的测定。试验结果表明,当载荷值小时,其变形量增大,而当载荷增加时,其变形增长量减小,这一现象证实了在硅晶体中存在着弱结合空位层,在外载荷作用下,排出晶体中的空位,致使晶体增密,或者说提高了硅单晶的密度所致。     

我破解阿伏加德罗常数测量一大难题

[科技日报]近日,中国计量科学研究院、中国科学院地质与地球物理研究所及香港科技大学展开的一项联合研究,完成了对单晶硅摩尔质量准确测量,并提出准确测量化学组成的基本原理——物质的量测量均匀性原理。这一结果在国际计量学权威杂志《计量学》在线发表。物质     

单晶硅表面湿氧化及光敏染料的键合

利用湿氧化法在单晶硅表面引入活性基团（Ｓｉ－ＯＨ），然后与１，２－二溴乙基三乙氧基硅烷及染料中间体进行多步化学反应，最终在单晶硅表面生成光敏染料２，２＇，菁衍生物，并对所得键合光敏染料硅片进行了椭偏参数、拉曼光谱及ｘ－射线光电子能谱的测试，结果表明光敏染料被键合在单晶硅表面．     

(Si, Er)双注入单晶硅近红外光发射

利用金属蒸气真空弧离子源，将硅和铒离子先后注入到单晶硅中，经快速退火制备出（Si,Er）双注入单晶硅发光薄膜，RBS分析表明铒原子分接受10％，即原子浓度约10^21cm^-3，XRD分析发现，随着Er注量增加，退火态样品中ErSi2相增多，显微结构分析表明，注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌，而这些结构变化将直接决定（Si,Er）双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光。     

物理冶金法单晶硅片双面磷吸杂实验研究

对物理冶金法提纯的单晶硅太阳能电池的生产工艺中,在磷扩散制备PN结时进行了双面磷吸杂实验研究。结果表明,与常规的磷吸杂扩散相比,双面磷吸杂效果明显,吸杂后硅片的少子寿命及其制成电池片的转换效率均有提高。