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吡啶菁衍生物键合于单晶硅表面的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
用化学方法将两种光敏染料2,4-吡啶等衍生物及噻-4’-吡啶等衍生物分别键合于单晶硅表面,对所得键合光敏染料之硅片进行了拉曼光谱及x-射线光电子能谱的测试,结果表明:两种光敏染料都被键合在单晶硅表面。同时,测定了用键合了光敏染料的半导体硅片制成的In/染料/n-Si多层结构器件的光谱响应,与无覆盖抗反射膜的硅p-n结光电池的光谱响应曲线相比较,发现除在650nm处出现对应于硅衬底的吸收峰外,在短波范围内出现与光敏染料的最大吸收相对应的吸收峰。由此可见光敏染料的键合可拓宽半导体硅的光谱响应。 相似文献
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在单晶硅晶体生长中,提拉速度的控制直接影响单晶硅的质量,如何提高速度控制系统的动态响应速度和抗干扰性能,对提高晶体生长质量具有重要意义.本文通过分析晶体结晶过程的热量运输,得出了单晶硅提拉过程中影响其质量问题的主要因素,提出了将PID神经元网络应用于单晶硅提拉速度控制系统中的方法,形成PID神经元网络提拉系统,建立了基于MATLAB/SIMULINK下的PID神经元网络控制系统模型,通过仿真结果表明,该系统对改善单晶硅的质量具有一定的实际意义. 相似文献
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用表面增强拉曼散射技术研究单晶硅表面键合光敏染料,可获得信噪比强的SERS图。因染料分子中含有孤对电子的氮原子和起增强作用的银离子相互作用,使Ag+成为连结染料分子间的锁,增加染料分子极化率,使拉曼散射截面积增大,从而起到增强效果的作用。 相似文献
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单晶硅基底上制备定向生长碳纳米管阵列的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用热化学气相沉积技术在单晶硅基底上制备出了定向性好、与基底结合牢固的碳纳米管阵列, 研究了制备工艺对定向生长碳纳米管阵列薄膜的影响. 研究发现: 生长温度在750℃, 催化剂厚度在10 nm左右易于形成定向生长的碳纳米管薄膜. 在混合气中乙炔的浓度为27%(体积百分比)时, 可以获得管型准直、管壁较厚、与基体结合牢固的碳纳米管阵列. 另外, 对于碳纳米管的定向生长机制及提高其与基体之间的结合力的方法进行了初步探讨. 相似文献
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介绍了太阳能发电设备的工作原理及相关的技术指标,着重讨论了计算机测控系统的构成及实现的功能。 相似文献
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用化学方法将3种复合份菁化学键合于单晶硅表面,并用激光拉曼光谱和X-光电子能谱进行了表征。暗的和光照的伏安特性测量表明键合染料的n—Si表面具有光生伏特效应,证实了n-Si-侧存在电子势垒。 相似文献
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