热处理单晶硅片中Fe玷污的深能级瞬态谱分析

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,对不同热处理条件下的单晶硅腐蚀片及抛光片进行了Fe玷污分析,系统研究了热处理前预清洗工艺和热处理工艺过程对硅片体内Fe玷污的影响。实验表明,热处理和热处理前预清洗是加工过程中对硅片体内Fe玷污有重大影响的工序,进而提出了有效降低硅片内Fe玷污的热处理控制方法。     

单晶硅晶圆晶向的精确标定方法

针对工业用单晶硅晶圆上所标记的大晶向的精度不能够满足微电子与机械系统 (MEMS)器件加工要求的缺点 ,提出了一种用于精确标定晶圆晶向的方法 .该方法通过一组精心设计的对比图案和随之进行的预刻蚀加工 ,把单晶硅晶圆的主晶向清晰地显示了出来 .为了准确地识别出晶圆的主晶向所在的方位 ,采用数字图像处理技术 ,对显微照相的图片进行了数学处理 .分析结果表明 ,采用所提出的方法 ,可以将晶圆的晶向定位精度由原来的± 1°～± 2° ,提高到± 0 1°以上 ,而这种对准精度对大多数MEMS器件的加工已足够了 ,后续的加工实验结果也验证了所提出方法的有效性     

研究破解阿伏加德罗常数测量难题

近日,中国计量科学研究院、中国科学院地质与地球物理研究所及香港科技大学展开的一项联合研究,完成了对单晶硅摩尔质量准确测量,并提出准确测量化学组成的基本原理——物质的量测量均匀性原理。这一结果在国际计量学权威杂志《计量学》(Metrologia)在线发表。     

我校自主研制的单晶硅太阳电池转换效率达19.57%

近日,我校华南先进光电子研究院先进材料研究所自主研制开发的背面钝化单晶太阳电池(SM156BSP),经过国家太阳能光伏产品质量监督检验中心的第三方检测机构测试,转换效率为19.57%.研究团队新开发的背面钝化太阳电池,采用新的氧化铝原子层沉积技术与激光技术制备表面钝化层,以降低太阳电池背表面复合速率,从而提高电池的转换效率.通过新技术的应用,背面钝化单晶太阳电池相比     

制绒参数对单晶硅太阳电池制绒效果的影响

本文以金相显微镜（放大倍数分别为800X,400X）为观测手段,研究了NaOH溶液浓度、反应时间、温度和IPA浓度等参数对单晶硅制绒效果的影响,通过金相显微镜显微图像的对比分析发现：当NaOH溶液浓度大于2％条件时,温度小于75℃时,单晶硅表面的绒面效果较差．当制绒液中NaOH和IPA的浓度分别为1．57％和5％,且制绒时间和制绒温度分别为25min和80℃时,制备的绒面结构均匀,金字塔的覆盖率约为100％,即可实现最优的制绒效果．     

阳极腐蚀条件及单晶硅类型对多孔硅光致发光性能的影响

研究了阳极腐蚀条件及单晶硅的导电类型和掺杂原子浓度等多多孔硅微结构与室温可见区光致发光性能的影响。结果表明,延长腐蚀时间、提高电流密度降低腐蚀液中氢氟酸浓度,都能引起多孔硅发光波长蓝移,发光强度的变化则较复杂;由轻掺杂硅制备的多孔硅不仅发光效率高,而且波长蓝移,硅片导电类型多孔硅发光的影响不显著,这些结果可根据量子限制疚与多孔硅的形成机制来解释。     

防止重掺砷CZ单晶硅组分过冷的探讨

在探讨组分过冷数学模型的基础上,针对重掺砷CZ单晶硅的生长,理论计算了防止组分过冷时固液界面处晶体温度梯度G_S的临界值为51.32~33.10 K/cm.以此为依据,设计了具有较大温度梯度的18寸(60 cm)晶体生长热场,以数值模拟的方法,给出了固液界面处晶体的温度梯度G_S的模拟值为54.68~38.14 K/cm.在晶体等径生长的各个阶段,固液界面处晶体的温度梯度G_S的模拟值均在防止组分过冷的临界值之上,可以有效避免晶体生长过程中组分过冷的发生,并利用实际晶体生长试验的结果验证了以上分析的有效性.