新型Cu(II)-邻菲咯啉-丁二酸三元配合物:[Cu(phen)2L](H2L)*5H2O(1)和[(phen)2CuLCu(phen)2]L·10H2O(2)的合成及晶体结构(H2L=丁二酸(C4H6O4))

合成了两种新型Cu(II)-邻菲咯啉-丁二酸三元配合物, 即[Cu(phen)2L](H2L)*5H2O(1)和[(phen)2CuLCu(phen)2]L*10H2O(2), 它们均属三斜晶系, 空间群为P1(no.2), 晶胞参数分别为:(1)a=10.282(3), b=12.141(3), c=14.233(4) (A),α=78.55(2)°,β=76.50(2)°,γ=84.29(2)°,V=1 690.7(9) (A)3,Z=2,R=0.102 1,wR2=0.138 7;(2) a=12.943(2),b=14.436(2),c=17.974(3) (A),α=75.128(9)°,β=69.030(9)°,γ=69.02(1)°,V=289 6.2(9) (A)3,Z=2,R=0.097 6,wR2=0.224 0. 结构分析表明,每个Cu原子与分属于2个邻菲咯啉配体的4个N原子和来自丁二酸根的2个O原子形成配位数为6的畸变八面体CuN4O2. 配合物(1)中配位分子间通过芳环堆积作用形成平行[011]方向的一维超分子链,超分子链之间通过结晶水分子的氢键作用形成二维层,并进而堆积形成一维隧道和三维骨架,丁二酸分子和其余结晶水分子位于隧道内. 配合物(2)中丁二酸根桥联的双核配阳离子借助芳环堆积作用形成平行于(010)面的正电性二维层, C4H4O42-离子和结晶水分子位于正电层之间并形成负电性二维网络层.     

L-fuzzy保序算子空间中的ω-Lindel(o)ff可数性质

在L-fuzzy保序算子空间上引入ω-Lindel(o)ff可数性和弱ω-Lindel(o)ff可数性等概念,并系统地研究了它们的基本性质以及它们与第二ω-可数空间之间的关系.证明了ω-Lindel(o)ff性质和弱ω-Lindel(o)ff性质是ω-闭遗传的,而且在(ω1,ω2)-同胚映射下,ω-Lindel(o)ff可数性是不变性质.     

多媒质区域介质子网格时域有限差分法

介绍了应用于多媒质区域电磁问题的介质子网格时域有限差分法．该方法在保证精度的前提下，节省了大量计算时间及计算机内存，尤其在处理多媒质界面方面具有很大的优势．     

铜离子在4-甲氧基-2,6-二(3,5-二甲基吡唑)-1,3,5-三嗪吸附型修饰电极上的电化学行为

用循环伏安法和方波伏安法研究了铜离子在4 甲氧基 2,6 二(3,5 二甲基吡唑) 1,3,5 三嗪(简称MBDT)吸附型修饰电极上的电化学行为.通过吸附在玻碳表面的配体与铜离子的配位作用,对Cu(Ⅱ)和Cu(Ⅰ)进行了电分析,结果表明,Cu(Ⅰ)在修饰电极上表现出比Cu(Ⅱ)高得多的灵敏度.     

基于图像分析的实验模型变形场量测标点法

在模型观测面上 ,通过设置嵌入式彩色标点 ,在实验各阶段利用数码相机拍摄照片 ,然后应用数字图像处理技术 ,识别并比较每一实验阶段的标点坐标 ,利用有限元中常用的四边形等参变换的方法将测点图像空间坐标转换为模型空间坐标 ,实现了图像校准和变形计算 .开发了一套应用软件系统 ,用于数字图像标点识别分析和结果数据的可视化处理 ,精度检验实验结果表明测点位移识别均方误差为 0 .14～ 0 .5 2个像素 ,相当于模型观测范围的 5 / 10 0 0 0 0～ 1.5 / 10 0 0 0 .最后给出一个在粘土地基承载力模型实验中的应用实例     

土工格栅加筋路堤的三维有限元分析

运用通用有限元程序ANSYS ,对软弱地基上路堤加筋的作用和效果进行了三维有限元分析 .计算中采用DP模型模拟土体的材料非线性 ,采用面—面接触单元考虑筋土界面的状态非线性 ,并采用薄膜单元来模拟土工格栅 .通过对相关参数的敏感性分析 ,证明了土工格栅模量对加筋效果有显著影响 ,并且加筋位置靠近路堤底部时更能发挥加筋性能 ;证明了在土体发生显著侧向变形时土工格栅能够发挥抗拉效果 ,从而限制土体侧向变形和路堤外侧土体的隆起 ,达到减小沉降和不均匀沉降的效果 .研究成果对软弱地基路堤加筋处理和新老路基结合部处理均有借鉴意义     

Y^3＋,La^3＋对CaSO4：Eu^2＋发光性质的影响

用沉淀法合成了掺杂Y~(3 ),La~(3 )的CaSO_4:Eu~(2 )稀土发光材料,研究了材料的晶体结构和荧光光谱,根据实验结果,所制样品基本上属正交晶系、C_(2v)空间群,Eu离子在CaSO_4中的激发峰为基态到4f~65d(E_g),(T_(2g))激发态的跃迁;样品发射主峰位于383um,属于Eu~(2 )的~5P_(7/2)→~8S_(2/7)跃迁,说明样品中Eu离子主要以Eu~(2 )的形式存在。CaSO_4:RE(La,Y)本身没有荧光,Y~(3 ),La~(3 )掺入CaSO_4:Eu中未改变基质的晶型结构,但可增强CaSO_4:Eu中Eu~(2 )的荧光强度。     

配合物[Bi(SCN2H4)5(NO3)](NO3)2H2O的合成和晶体结构

[Bi(SCN2H4)5(NO3)](NO3)2H2O是在水溶液中由硫脲与硝酸铋(Ⅲ)以摩尔比5:1反应合成.晶体结构由单晶X-射线衍射分析测定,晶体属于三斜晶系,P-1空间群,晶胞参数a=9.284(1)nm,b=9.783(1)nm,c=13.995(2)nm;α=80.7 02(2)°,β=84.092(2)°,γ=86.334(2)°.Z=2,V=1.2463(3)nm3,R1=0.050,wR2=0.104.在[Bi(SCN2H4)5(NO3)](NO3)2 H2O中铋原子被五个硫脲分子中的硫原子及硝酸根离子中的两个氧原子包围形成一个歪曲的单帽三棱柱结构.     

带宽控制技术分析及其实现

针对目前Internet技术中热门的QoS问题,讨论了带宽控制的基本方法和带宽动态划分的算法,分析了Linux内核和iproute2工具包中的关键数据结构,以及过滤器和队列调度规则,并对在Linux环境下,利用改进的双今牌桶算法对带宽的动态划分,实现对带宽的有效控制,从代码角度上作了分析和探索。     

Ga2Se3:Co2+光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。