Mg_2Si单轴应变的结构和电子性能

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Mg2Si半导体沿[001]方向单轴应变下的结构、力学性质以及电子性质。计算结果表明:无应变时晶格参数和弹性常数与其他理论及实验值吻合的很好。施加应变后,其与应变方向垂直的晶格常数随应变值呈近似线性变化。通过应力-应变曲线和Born力学稳定性判据,确定了Mg2Si化合物在拉伸、压缩过程中的稳定范围和理想强度。Mg2Si的电子布居和电子态密度分析,表明Si-Mg之间的显示离子键特性,并给出了在拉伸压缩过程中Mg和Si原子轨道电子对总的态密度影响。     

p-超可解群的若干充分条件

利用Sylow子群的极大子群和极小子群的X-ss-半置换性研究有限群的结构,得到p-超可解群的若干充分条件,并推广了一些已知结果.     

阿拉伯数字使用规则

<正>公历世纪、年代、年、月、日和时刻必须使用阿拉伯数字。年份用四位数表示,不能简写。例如:1999年不能写成99年。日期和时间的表示采用全数字式写法。例如:2006年2月18日,写作2006-02-18或19990218或1999 02 18(年、月、日之间加半字空);下午3时9分38.5秒写作15:09:38.5或150938.5。计     

S-亚紧空间

文章引入了S-亚紧空间,并且获得3个主要结果:(1)如果(X,J)是一个S-亚紧的T_2空间,则对X中的任意一个闭集A和不属于A的任一点x,存在U∈J,V∈SO(X,J)使x∈U,A■V且U∩V=φ。(2)如果(X,J^α)是S-亚紧的,则(X,J)是S-亚紧的。(3)(X,J)是一个极不连通的T_2空间,则(X,J)是S-亚紧的当且仅当X的每个开覆盖V0有一个点有限的正则闭加细V,V∈RC(X,J)。     

法布里-珀罗半导体激光器的波长连续可调光脉冲生成技术研究（英文）

文章论述了基于注入锁定增益开关调制法布里-珀罗半导体激光器(FP-LD)的波长连续可调脉冲生产技术.包括两方面的内容:1自激注入锁定FP-LD系统以获得波长连续可调脉冲输出,在48 nm波长范围获得37 dB以上的边模抑制比(SMSR),重复频率为2.5 GHz;2带有波长选择反馈环的外注入锁定FP-LD系统以获得波长连续可调脉冲输出.在20.4 nm的波长调节范围内获得31 dB以上的边模抑制比(SMSR).系统结构简单,可工作在任意重复频率上.     

带跳随机延迟微分方程半隐式Euler方法的均方指数稳定性

研究带跳随机延迟微分方程半隐式Euler方法的均方指数稳定性.将半隐式Euler方法应用到维纳过程和泊松过程驱动下的非线性随机延迟微分方程上进行讨论,给出了半隐式Euler方法的均方指数稳定性的条件.     

基于频谱地图的动态频谱管理及其半实物仿真

为了在动态频谱管理网络中快速获得频谱信息,提出了基于频谱地图的区域动态频谱管理框架。该架构由区域频谱管理中心、动态频谱接入网络和用频节点组成,其中区域频谱管理中心负责建立和下发频谱地图,提供频谱地图信息服务并实施网络管理和频谱实时协调。针对网络以较低开销快速获得频谱地图的需求,提出了定期分发、按需分发和更新实时分发3种频谱地图分发方式。基于通用软件无线电平台建立了半实物仿真系统对提出的架构进行仿真验证。仿真结果表明,在提出的架构下网络能够更充分地利用频谱资源,在网络吞吐量、时延和排队长度等指标上均有明显改善。     

集值映射与层型结构空间(英文)

本论文利用半连续集值映射的插入给出具有层型结构空间的一些等价刻画.也引入了K-lower和K-upper集值映射,利用此概念给出了k-半层空间以及k-MCM的刻画.     

强预不变凸函数

首先在更弱的条件下,讨论半连续函数与强预不变凸函数之间的关系,从而简化了强预不变凸函数一些性质定理的证明.进一步给出强预不变凸函数在数学规划问题中的两个应用,这些结果在一定程度上完善了对强预不变凸函数的研究.     

椭圆偏振强激光场中库仑散射对原子单电离的影响

文章采用隧穿电离半经典系综模型,研究了椭圆偏振强激光场中库仑散射对原子电离的影响。结果发现,库仑散射按能量可以分为低能散射和高能散射两种。低能散射对电子电离角分布不对称性有加强作用,原子电离能越小,这种加强作用越大,而高能散射对原子电离角分布不对称性影响很小。但是,高能散射造成了椭圆偏振光辐射下电子能谱中的平台结构,而低能散射对此平台结构的形成没有作用。另外,高能散射电子的动量分布与电子的初始隧穿位置密切相关。本论文的研究进一步揭示了电子在椭圆偏振场的再散射过程,这对于碰撞物理学发展和阿秒钟等高端测量仪器的研制都有非常重要的意义。