半波损失产生条件的分析与讨论

从菲涅尔公式出发,分别讨论了垂直极化和平行极化时,光在两种介质分界面传播时的反射系数,定性地分析了半波损失产生的条件不仅与介质的折射率有关,还与入射角的大小有关。     

对半波损失等现象更深入的理论分析

用两个电矢量数学表达式讨论光在光疏－光密介质界面上反射和折射时发生的现象,所得结论能更好地对所述现象加以阐述。     

菲涅耳双棱镜置放方式的实验探究

从实验的角度出发,对菲涅耳双棱镜棱脊面向单缝和背向单缝两种置放方式进行实验探究,通过对多次实验数据的分析、对比,得出只有当两次实验中的狭缝到菲涅耳双棱镜的距离L相同时实验结果在误差允许的范围内是相同的。     

关于古斯-汉申位移的探讨

上世纪四十年代,古斯(Goos)和汉申(Hanchen)两位物理学家发现,光速在两种界面上发生全反射时,反射点在相对于入射点在相位上有一突变,而反射光线相对于入射光线在空间上有一段距离。这一现象被称为:古斯-汉申位移(Goos-Hanchen shift)。另外,光束在两种界面上发生全反射时,入射波的能量不是在界面处立即反射的,而是穿透到另一介质一定深度后逐渐反射的,而且在此深度内能量流还沿界面切向传播了一个波长数量级的距离。人们把这样一种波称为隐失波。再次,掠入射时,光从光疏介质到光密介质时反射光有半波损失,而从光密介质到光疏介质时反射光无半波损失,在任何情况下透射光都没有半波损失。以上各种现象表明对于光量子仍有一些性质不为我们所掌握。     

机械波在媒质界面上的现象分析

从理论角度讨论了机械波在媒质异面上的透射、反射、半波损失等现象。     

立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量

宽禁带半导体材料立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构和43m点群对称性,因此cBN晶体也是电光晶体。用cBN晶体进行了横向电光调制,首次观察到cBN的电光效应,并且测得了样品的半波电压．     

锥光干涉图、光强透过率曲线对电光调制实验的影响

基于电光效应的基本原理,讨论了铌酸锂（LiNbO3）晶体横向电光调制实验中利用锥光干涉图暗十字线图样确定起偏器和检偏器偏振方向分别平行于晶体x,y光轴的方法,及光强透过率曲线偏移对测量铌酸锂晶体半波电压的影响．     

反射全息图

推证了反射全息图中布喇格面的走向和间距，说明了反射全息图相当于一个半波堆滤波器，并讨论了布喇格定律对反射全息图特性的控制。     

浅析波带片的多个焦点

本文利用波带片通光孔的半径与半波带数、焦距及波长的关系ρ_k=（Kf′λ）~(1/2)简单扼要地分析了在波带片主轴上,除了与波带片距离为f′这个主焦点外,与它距离为f′/3,f′/5,…等各点为什么是波带片的弱焦点,而在主轴上距波带片为nf′（n=2,3,…）的相应系列点为什么不是波带片焦点之原因。     

半波损失产生条件辩析

在诸多物理教科书中,对半波损失都有着几乎一致的描述.本文则通过分别计算入射光电场强度矢量E与反射光电场强度矢量E’之间三种不同的夹角α1、α2、α3,对反射光的E’相对于入射光的E的方向变化进行了具体分析,从而得出在一定条件下光波反射时,电场强度矢量的方向变化可能小于π/2.为使半波损失产生条件的描述更趋严谨和完善,有必要对此作进一步的修正.