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971.
选择单个模式(TM模),用FDTD方法计算了二维正方晶格各向异性碲圆柱光子晶体的单点缺陷模与多点缺陷模,获得完全禁带中缺陷模频率与点缺陷半径、多点缺陷模半径之间的变化关系,并从理论上给予了解释.  相似文献   
972.
在远声场中用不同孔径的球孔和长横孔为标准反射体,运用数学解决承压设备超声波探伤中缺陷的定量问题.  相似文献   
973.
光子学的主题之一是实现光子的有效操控. 光子晶体、量子光学、超快光学与微纳光学的发展使得像控制电子一样操控光子的发射与传播特性成为可能. 光子的精确操控还将为实现光能的高效存储与转换提供新的途径. 在评述周期排列吸收介质中超短脉冲激光的减速、存储与受控释放机理以及静止光场的应用的基础上, 探讨了周期排列共振吸收与放大介质的制作方案及其应用.  相似文献   
974.
采用不同氮分压(RN2)的氩气和氮气混和气体溅射Mg0.18Zn0.82O合金靶材,在石英衬底上生长了MgxZn1-xO(MgZnO)合金薄膜,研究了氮分压对薄膜组分、结构和光学、电学性质.结果表明:薄膜中的Mg含量(x)随着RN2的增加呈线性增加,导致其结构和光学带隙(Eg)随氮分压变化.Mg含量随氮分压的变化归因于:当氮分压增加时,与N反应形成NO2的O原子数目增加,导致与Mg、Zn反应的O原子数目减少.而Mg比Zn优先与剩下的O原子结合形成MgO,导致只有部分Zn能够跟O结合形成ZnO.未反应的Zn将以原子的形式沉积到衬底上继而因高的衬底温度发生二次蒸发离开衬底,导致薄膜中Zn含量减小,即Mg含量增大.当对由氮分压不为零制备的高阻MgZnO薄膜进行真空退火后,薄膜呈p型导电,说明这种p型导电与氮掺杂有关.本文讨论了Vegard定理用于估算MgZnO中Mg含量的正确表达式.  相似文献   
975.
文章针对淳安县左口至光昌公路叶琪二桥先简支后连续的组合箱梁设计、施工中经常出现的质量通病,并提出了防治措施及建议。  相似文献   
976.
针对铁磁材料的无损评估中,漏磁信号描述缺陷的几何特征难点,提出了应用支持向量机对二维缺陷重构的新方法,支持向量机输入是漏磁信号,输出是缺陷轮廓数据,建立了由缺陷的漏磁信号到缺陷二维轮廓的映射关系。网络学习采用最小二乘算法,训练样本由实验数据与仿真数据组成,测试样本为人工裂纹缺陷。该方法实现了人工裂纹缺陷的二维轮廓的重构,并与径向基神经网络重构结果进行了比较。试验结果表明,该方法具有速度快、精度高和很好的泛化能力,为漏磁检测定量化提供了一种可行的方法。  相似文献   
977.
半导体激光器的发展迅速,以其独特的性能及优点获得了广泛的应用,本文简略地回顾了各种半导体激光器的原理、结构、进展及其在激光光谱学中的主要应用,给出利用垂直腔面发射激光器得到的氧气的吸收光谱。  相似文献   
978.
研究了考虑横向剪切变形和损伤缺陷的黏弹性复合材料层合板在横向周期激励下,损伤对黏弹性板非线性动力学行为的影响.基于一阶剪切变形理论、Boltzmann线性叠加原理和Galerkin技术,建立了反对称正交铺设损伤黏弹性复合材料层合板的非线性控制方程,具体讨论了损伤对黏弹性板非线性动力学行为的影响。  相似文献   
979.
采用半导体制冷和风冷混合制冷的方式对大功率半导体激光器进行恒温工作控制.通过实验研究半导体激光器的工作温度保持在45℃以内,控温精度在±0.1℃的状态下稳定工作,半导体激光器输出功率达到15.28W.  相似文献   
980.
理论研究了一类耦合超晶格系统中的电子局域态,该系统是由两个半无限GaAs/AlAs超晶格通过隔离层AlyGa1-yAs耦合而成,数值计算表明y=1时系统仍存在局域态,但要求隔离层的厚度比规则垒层的厚度小许多,比较了只有一个阱层不规则的不规则超晶格系统的局域态和耦合超晶格中局域态的区别,发现后存在两支局模,分别对应于偶宇称态和奇宇称态,而在相同参数下,前仅存在偶宇称态,还给出了产生上述区别的原因。  相似文献   
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