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951.
952.
半导体量子结构和Si基光电子材料设计的新进展 总被引:6,自引:3,他引:3
黄美纯 《厦门大学学报(自然科学版)》2001,40(2):242-250
评述近年来在半导体量子结构电子态理论应用于Si基光电子材料设计方面的重要进展。着重对有直接高技术应用背景的论题进行讨论和展望。最近关于Si纳米晶光增益和纳米硅/氧超晶格材料超稳定电致发光等具有突破性发现的实验研究成果具有重要意义。对本课题组在该领域的主要贡献及最近关于Si/O超晶格结构的理论研究进展也作简要报道。这些研究正酝酿着信息领域光电子集成技术的重大突破。 相似文献
954.
黄桂芹 《南京师大学报(自然科学版)》2001,24(1):51-54
在G94基础上提出了一种团簇嵌入晶格技术,并对NaF中F心缺陷进行了研究。团簇中的电子和核都处于周围无限大晶格产生的库仑场中,相应的Hartree-Fock算符进行了修改,计算出的F心光学激发能与实验值符合得较好,说明了此种嵌入技术是切实可行的。 相似文献
955.
讨论了氮化硼(BN)掺杂对(Ba,Pb)TiO3热敏陶瓷的热学性能、电学性能及晶粒尺寸的影响,指出了传统的PTC陶瓷电阻达到最大值后下降较快的原因,在BaTiO3中掺入BN,样品的相变点发生了变化,并使样品中晶界变宽,晶粒变得均匀,这可改善BaTiO3样品的高温相电阻随温度升高而快速下降的性能。 相似文献
956.
热红外图像等温线温度场分割研究 总被引:2,自引:1,他引:1
为了改变传统电力设备检测方式,快速预测诊断出潜在故障的电力设备故障点,对采集到的电力设备热红外图像进行预处理和等温线温度场分割等关键技术,确定出热红外图像的缺陷中心位,为后期进行图像匹配,快速预测出电力设备故障点提供了良好的基础。经实践表明,研究方法达到了很好的实际效果,帮助变电站预测出了多处可能发生故障的电力设备,值得实际推广应用。 相似文献
957.
刘小平 《华南理工大学学报(自然科学版)》2000,28(2):12-17
注射成型制品出现的缺陷,例如填充不满、焦烧、气痕和银纹等,主要是由于模具的排气不良引起的,本文中对充模过程中模腔内宾气的状态变化情况进行了计算,通过对计算结果的分析,说明制品缺陷产生的原因和排气槽参数选择的原则。 相似文献
958.
在有效质量近似下,采用两参数波函数变分地计算了杂质在阱心和阱边两种情况下,量子阱中中性施主束缚激子(D0,X)体系的束缚能和激子质心波函数对于不同阱宽随坐标的分布及粒子间的平均距离随阱宽的变化,得到了较好的结果,并对结果进行了详尽的分析和讨论. 相似文献
959.
改进铸坯表面质量的电磁连续铸造研究进展 总被引:9,自引:2,他引:7
导出了钢电磁铸造的理论基础,综述了国外此课题的研究现状;发现在铸型外侧施加电磁场抑制了液体金属弯月面的变形,改变了金属液的初期凝固状态,改善了铸坯的表面质量,金属液的缓冷却凝固和润滑剂流路动压的降低被认为是改善连铸坯表面质量的主要原因。采用改变铸型结构和施加电磁场的方法,可望实现此铸造方法的工业应用。 相似文献
960.
808nm大功率半导体激光器的低频电噪声 总被引:2,自引:0,他引:2
对808nm大功率半导体激光器的低频电噪声进行测试,给出哭喊件电噪声与频率、注入电流之间关系,讨论噪声与电、光导数之间的关系。结果表明,808nm大功率半导体激光器的电器材怕在低频段主要1/f噪工在阈值附近有最大值。 相似文献