掺杂一维光子晶体透射谱研究

用传输矩阵法计算模拟掺杂（含缺陷）一维光子晶体模型（ABCnAB）m的透射谱,当n=1,（ABCAB）。的透射谱出现了有规律的共振透射带,具有宽带滤波的特性,当m=10时,（ABCAB）10随缺陷层C的折射率以的变化,禁带中心频率处（1．0ω／ω0）出现了一个带宽由大变小变化的透射带,且每个透射带又分裂为恒定透射率的多个透射峰;当m=10,n为奇数时,模型（ABCnAB）10的透射谱出现奇数个透射带,n为偶数时,出现偶数个透射带,且每个透射带均分裂为9个透射峰。这些特性可用于设计可调性多通道滤波器等。     

ZnO—TiO2复合半导体的制备与光催化性能

采用溶胶-凝胶法制备了掺杂Zn2+的TiO2复合半导体,用X射线衍射和拉曼光谱对其微晶结构进行表征,并掺杂不同金属离子对复合半导体进行调变.以活性艳红K-2BP为模型降解物,在固定催化剂投加量、通气量和pH的条件下,考察了Zn2+与Ce4+、La3+、Fe3+掺杂量对ZnO-TiO2光催化活性的影响.结果表明,Zn2+掺杂使TiO2衍射峰宽化、蓝移且峰强减弱,晶粒径减小.当Zn2+掺杂量为20.0%时,对活性艳红30 min的降解率为97%,表观反应速率常数k值达到了0.133 min-1,为TiO2的1.4倍.La3+、Fe3+、Ce4+掺杂可提高ZT的活性,其中,当La3+掺杂量为0.5%时,k值为ZT的1.4倍.     

缺陷石墨烯的可控制备及其室温湿敏性能

利用活泼的金属钠还原廉价的糖类,成功实现了一种缺陷石墨烯的可控制备,该石墨烯材料在室温下表现出极佳的湿敏性能. 表征结果显示:蔗糖前驱体使石墨烯片层厚度增加到0.4 nm,并改变缺陷石墨烯表面的修饰基团及缺陷含量(摩尔分数). 蔗糖前驱体制备的缺陷石墨烯,其表面含氧基团的摩尔分数可达24.2%. 不同缺陷含量的石墨烯样品室温湿敏性能表现不同. 相比不加糖类的石墨烯样品,蔗糖前驱体制备的缺陷石墨烯室温湿敏性能最高可提升4.5倍. 研究结果可为石墨烯基材料在室温气敏探测方面的应用提供技术参考.     

论我国举证时限制度的立法缺陷与完善

随着最高人民法院《关于民事诉讼证据的若干规定》的公布,规定了《民事诉讼法》中关于举证时限制度存在的一些问题,但仍然暴露了逾期举证的法律后果过于严厉,举证时限制度配套制度不健全,当事人的举证能力得不到保障这些立法缺陷。然而要不断修改和完善这些立法缺陷,就必须通过举证时限制度由法律来直接规定,设立与完善举证时限的配套制度,扩大当事人、律师的调查取证权来改善这些现实问题。     

关于旅游业税收政策执行情况的分析——以新余市为例

被誉为＂朝阳经济＂的旅游业在21世纪经济发展中一支独秀,旅游经济给各国创造了巨大的财政收入。旅游业伴随着我国经济的快速发展,近几年也出现了了行业产值和规模井喷式地增长,但作为反映行业经济发展晴雨表的税收却没有体现出这种快速发展的迹象。为了进一步了解江西省旅游业税收政策的落实和执行情况,规范该行业的税收管理,就江西省新余市旅行社的税收政策执行情况和征管现状进行了一次典型调查。     

一种采用CMOS工艺实现LDD自动温度补偿电路的方法

为了采用CMOS工艺实现单芯片半导体激光驱动器中的自动温度补偿电路,提出了温度与补偿电流之间具有差分放大器增益特性的补偿电路结构.给出了电路的原理图,讨论了补偿特性的理论分析方法.对补偿特性进行了仿真,给出了仿真曲线.整个芯片采用CSMC 0.6 μm混合信号工艺实现,测试表明,在-20℃～+85℃内可以满足常用半导体激光器的温度补偿需要,消光比的波动小于1.2 dB.     

混凝土施工质量缺陷的防治

混凝土施工时,经常发生一些质量通病,这些质量通病在施工中只能进行防治不能根除,本文从质量通病的产生原因和防治措施方面谈一下自己的体会。     

用正电子湮没寿命谱研究锰锌铁氧体纳米晶的缺陷结构

采用溶胶一凝胶法,在不同退火温度下得到了3种不同粒径的锰锌铁氧体纳米晶．利用X射线衍射研究了纳米晶的晶体结构和粒径,借助正电子湮没寿命谱仪讨论了纳米晶的缺陷随粒径的变化．结果显示,所得锰锌铁氧体纳米晶为立方尖晶石结构,且随着温度的升高纳米晶不断长大;随着粒径的增大,纳米晶的表面缺陷减小,晶界间的自由体积发生复合．     

基于线性预测和最小二乘估计的缺陷阵波束形成

针对阵元失效时缺陷阵的波束形成问题,采用线性预测和最小二乘估计两种方法对失效阵元的输出进行预测.通过对缺陷阵输出响应进行重构,从而有效地抑制由于阵元失效而产生的旁瓣级提高以及基阵指向性的下降.仿真试验结果表明了方法的有效性.     

微观相场计算D0_（22）-Ni_3V结构反位缺陷类型及演化

微观相场法研究Ni75AlxV25-x中D022-Ni3V反位缺陷类型及演化规律发现：D022结构中存在两种类型反位缺陷：VNi和NiV,其中NiV占位几率值远大于VNi,是反位缺陷主要类型;增加Al：V比,析出相由D022单相析出逐渐向D022＋L12两相析出转变,反位缺陷VNi与Al：V比无明显响应关系,NiV在第二相L12析出前后呈增大和减小两种截然相反的两种变化趋势;VNi和NiV两种反位缺陷同时具有时间相关性和温度相关性,时间推移,二者均从初始高度反位状态逐渐降低至平衡,温度提高,二者均呈增加趋势;第三组元Al原子同时占据D022结构的α位和β位,且AlNi〉AlV,Al优先占据D022结构α位.