考虑Rashba效应自组织量子点中极化子性质

在对半导体量子点的研究中考虑自旋一轨道相互作用对极化子基态能量的影响．采用LLP变分的方法研究了电子一声子相互作用．结果表明声子对极化子基态能量起了很重要的作用,而且由于极化子分裂能对极化子基态能量的贡献很大,故在量子点中研究极化子性质时不可忽略极化子分裂能的影响．自旋分裂能随动量增加呈抛物线型增加．随Rashba自旋轨道耦合常数的增加极化子基态能量表现为增加和减少两种截然相反的情况,而两个分裂态中自旋向下的能态更稳定．Rashba效应不可忽略．     

用于TFT-LCD驱动的高效率高性能电荷泵设计

设计了一种用于TFT-LCD驱动的高效率高性能电荷泵.在分析了宽输入恒输出电荷泵原理的基础上,采用跟踪输入电压动态调整升压倍率的方法,克服了传统固定倍率电荷泵的效率随输入电压升高而大幅降低的缺点.提出了简单多倍率开关阵列及控制电路,采用了改进的三管复合开关减小静态功耗.电路用0.6μm BiCMOS工艺实现.测试表明:在输入电压2.7~5.5 V,工作频率250 kHz条件下,输出电压为5 V,满载电流为25 mA,平均效率提高了14%,最低效率提高了15%,静态电流为0.1 mA,负载调整率为0.014%mA-1.     

超嗜热古菌Sulfolobus tokodaii尿嘧啶营养缺陷型筛选条件的最适化及初步筛选

超嗜热古菌Sulfolobus tokodaii隶属于古菌中的泉古菌（Crenarchaea）,硫化叶菌属（Sulfolobus）。野生型S.tokodaii尿嘧啶相关基因表达的乳清核苷酸转移酶和乳清苷单磷酸脱羧酶可以将5-氟乳清酸(5-FOA)转化成有毒物质5-氟尿嘧啶核苷酸,导致野生型S.tokodaii无法正常生长。根据此原理,通过对筛选条件如5-FOA的质量浓度、紫外诱变时间等的最适化,运用微生物的自发突变或对其进行紫外照射等诱变方法,初步筛选出S.tokodaii的尿嘧啶营养缺陷型菌株。     

后张法预应力砼梁施工工艺及注意事项

后张法预应力砼粱的施工工艺、施工方法、技术要求及施工注意事项和缺陷的处理.     

Zn0.93Co0.07O纳米薄膜材料的磁性机制研究

采用磁控溅射方法制备了氮掺杂的Zn0.93Co0.07O系列和Al掺杂的Zn0.93Co0.07O薄膜样品,系统研究了样品的结构、形貌及磁学性能,讨论了样品中铁磁性的产生机制．实验结果表明：所制备的薄膜样品均为单一的纤锌矿结构,没有检测到其他物相．薄膜的表面生长均匀,并观测到清晰的磁畴结构．磁性测量结果表明所有的样品均呈现室温铁磁性,样品的饱和磁化强度随着Al含量的增加而增加,随着氮含量的增加而降低．我们认为在Co掺杂的ZnO稀磁半导体中,铁磁性相互作用是通过电子作为载流子来传递的．     

关于新型半导体制冷方法的研究

本文主要介绍新型半导体制冷材料的特征及制冷方法的革新。与传统制冷技术的应用展开对比,综合考虑传统方法的优点,把半导体制冷技术推广到新兴应用领域。利用最新科学技术,开发研究微型设备。     

公路隧道岩体质量分级的模糊层次分析法

建立公路隧道岩体质量分级的模糊层次分析法（AHP）,对影响公路隧道岩体质量分级的各因素进行分析和调整,建立层次关系,构造阶层结构;采用模糊理论建立正倒值矩阵,计算各因素权重,建立各因素评分准则,根据专家调查与力学试验等方式确定各因素得分,采用逻辑运算计算综合评分,进而评判隧道岩体级别;给出模糊层次分析法算法流程,应用于常德一张家界高速公路关口垭隧道（44个试验断面）,将评判结果与传统的RMR岩体分级结果进行对比分析。研究结果表明,采用本方法进行岩体分级,43个断面与开挖实际情况吻合,而采用RMR方法仅36个断面接近实际情况;公路隧道岩体质量分级的模糊AHP法克服了传统方法固定评价因素和固定评分方式的缺陷,可以动态地选取评价因素,减少评分的主观性,评价结果更接近工程实际,为隧道、地下工程、边坡等的岩体质量分级研究提供了一种新的思路。     

220kV／110kV变电站检修相关问题研究

本文首先分析了220／110kV变电设备检修模式,根据发展先后大致可分为故障检修、周期性检修和状态检修;接着简要分析了目前国内变电站检修现状分析;其次提出做好变电站设备缺陷管理工作的相关措施,最后详细分析并建议建立变电设备状态检修信息系统。笔者认为,进行变电站设备的状态检修的目的是为了及时、有效地监测设备的运行状态,发现设备的潜伏性故障,对变电站进行状态检修对于安全运行很有必要。     

论钢筋工程的缺陷与采取措施

本文主要论述了控制钢筋工程制作与安装质量,为建筑提供安全、正确、合格的钢筋工程。     

外腔长度变化对外腔半导体激光器边模抑制比的影响

根据光纤光栅外腔半导体激光器（FBG—ECL）的等效腔模型,通过分析半导体激光器（LD）、外腔及光纤光栅（FG）三者的共同作用,利用光纤光栅外腔半导体激光器的相位条件确定FGESL的激光纵模分布,理论上研究了FGESL的边模抑制比（SMSR）随FG外腔长度的变化．结果表明：SMSR的大小跟外腔长度的选择有很大的关系,在其他参数相同的情况下,外腔长度的微小变化可以引起边模抑制比很大的波动．从总体上看,外腔较长时的比外腔较短时的边模抑制比要小;当外腔长度为8～11mm时,光纤光栅半导体激光器有比较高的边模抑制比（SMSR〉40．8dB）,并且边模抑制比随外腔长度的变化比较平稳.