控制光子的“半导体”——光子晶体

光子晶体是一种新型功能材料,其最基本的特征是具有光子频率带隙,频率落在带隙内的电磁波被禁止在光子晶体中传播。本文简述了光子晶体的基本性质和理论研究方法,介绍了光子晶体的制备,并对光子晶体的应用前景给予了简短的评述。     

运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究

对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述，系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质．研究了半导体能带隙所表现出的特有性质．     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。     

皮秒激光在充气毛细管中四波混频的理论描述

建立了描写皮秒激光在充气毛细管中四波混频过程的耦合方程组．利用这个耦合方程组对最近的毛细管中差频过程的实验结果给出了新的理论说明．发现采用三阶非线性极化率大的介质是进一步提高信号光强度的重要途径．     

基于富勒烯纳米结构材料光限幅特性研究

应用倍频Nd：YAG脉冲激光，在波长为532nm，脉宽8ns，重复频率10Hz的条件下，研究了新型基于富勒烯纳米结构材料(C60—bpy—Au)的光限幅特性，实验发现，其限幅特性较C60有提高，且光限幅特性与所用的溶剂有关。     

微细浸染型金矿激光微区40Ar/ 39Ar等时年龄测定:以长坑大型金矿为例

采用激光微区40Ar/39Ar定年技术, 对粤中长坑微细浸染型金矿主成矿期热液蚀变黏土矿物进行了测定, 得出该矿金的主成矿年龄为109.9±1.4 ～ 110.1±1.3 Ma, 较银的主成矿年龄早30～50 Ma.金和银的成矿均与该区隐伏花岗岩体无关, 而可能都是沉积盆地演化的产物.研究表明激光微区40Ar/39Ar定年方法十分适用于微细浸染型金矿成矿时代的厘定.     

基于半导体致冷器数学模型的TEC制冷系统的效率估算

为了对半导体制冷系统的制冷效率进行估算，通过建立半导体致冷器(TEC)的数学模型，并结合机械连接形式的TEC制冷系统，给出了半导体制冷系统制冷效率的估算公式．     

浙江大学硅材料国家重点实验室

硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)于1985年由国家计委批准投资建设,1987年通过国家验收,1988年对外开放。目前硅材料国家重点实验室已成为国家在硅材料及半导体材料的科学研究创新及高级人才培养的主要基地之一,是对外学术交流的重要窗口。以该实     

三维振镜激光扫描系统的控制算法及其应用

研究开发了一套低成本的国产三维动态聚焦振镜扫描系统，井成功应用到快速成型设备中．给出了三维动态聚焦振镜扫描系统的控制算法，及其在快速成型设备SLS（设备型号为ERPS—Ⅱ)中的应用．     

半导体中的多维流体力学模型在球的外部区域上的整体光滑解的渐进行为

研究半导体中的多维流体力学模型在球的外部区域上的整体光滑的渐进行为，证明了其依指数形式收敛到稳态解的特性。