利用半导体致冷片研制小型电冰箱

阐述了半导体制冷技术的发展和原理,应用半导体制冷技术制作了半导体冰箱,并进行了实验测试.     

硅基一维纳米半导体材料的制备及光电性能

硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料，在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景．主要论述了硅基一维纳米半导体材料(纳米硅线、纳米ZnO线)的制备，着重一维纳米材料的阵列化制备，讨论了其生长机理，研究了硅基一维纳米半导体材料的的光学、电学等物理性能．     

脉冲式半导体激光测速仪的研究

阐述了半导体激光技术发展现状，国内测速仪的应用现状、现有激光测速仪存在的弊端。提出了脉冲式半导体激光测速仪具体设计方案，对误差来源进行分析，并采用模数转换技术A／D电路来提高测速精度。     

碳化硅薄膜生长技术的研究进展

介绍了国际上近年来碳化硅薄膜的研究情况，碳化硅外延生长大多采用溅射法(sputting)、化学气相淀积(CVD)和分子束外延(MBE)．对生长工艺对碳化硅薄膜特性的影响进行了对比研究．     

注氢(111)硅片高温退火后形成的二次缺陷

硅材料与氢的相互作用是影响其结构完整性的重要方面．高分辨电子显微术被用于研究注氢硅片高温退火时形成的二次缺陷．实验发现高温退火如低温退火处理一样会导致(111)注氢硅片中出现裂纹，但不同之处在于裂纹的下部还有大量的位错发射，而且有些裂纹并未完全裂开，表现为非晶带．另外，高温退火还导致空腔的出现，空腔呈截角八面体形状，以{111}和{100}面为内表面，可以有非晶状的内壁．空腔平行于正表面成串状排布．空腔间有位错带与之相连。     

对半导体光放大器内四波混频波长变换的研究

介绍了半导体光放大器内四波混频的特点,研究了波长转换过程中的一些特性,通过实验记录给出了波长转换时提高转换效率和增强信噪比的方法.     

Si-Si02薄膜结构与光致发光的研究

采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Si-SiO2薄膜，并在各种温度下进行了退火处理．XRD分析表明Si-SiO2薄膜为非晶结构，XPS分析表明样品主要是以SiO1.90的形式存在，它是富硅或缺氧的结构．在室温下观察到了可见光致发光(PL)现象，探测到样品的峰位分别在370m、410m、470m和510nm．结合激发谱对相应的激发与发光中心进行了讨论．另外，还研究了退火温度对其峰位与峰强的影响．     

基于多检测模型半导体气敏传感器故障诊断

半导体气敏传感器的老化与意外“伤害”可能致使传感器失效,为提高检测的可靠性,提出了一种新的的传感器故障诊断方法。该方法对金属氧化物半导体甲烷传感器进行热调制,从传感器的动态输出信号中提取两组特征变量,构建两个不同的甲烷检测模型,提出根据两个模型的检测结果的一致性判断传感器的是否发生故障。应用实例表明,该方法能准确判断金属氧化物半导体甲烷传感器是否发生故障。由于不需要其他冗余硬件设备,因此故障诊断不受其他冗余硬件设备的影响,节省资源,价格便宜,可靠性高。此外,这种方法计算量小,故障诊断对系统的配置要求低。     

半导体薄膜光催化降解苯酚废水

研究用热分解法镀半导体薄膜,以紫外灯为光源,进行半导体薄膜光催化降解苯酚废水。实验结果表明:用CuO作为催化剂,并且在苯酚溶液中加入双氧水可以使苯酚转化率达到66.6%。半导体薄膜可重复使用,且利用太阳光降解苯酚废水具有很好的应用前景。就实验结果进行了理论分析和探讨。     

巨正则法对硅半导体中载流子数的计算机模拟

将巨正则系综的Fermi-Dirac(F-D)统计法与计算机模拟相结合,从本征半导体硅出发,探讨温度和光照能量对载流子数的影响,试图从理论上定量分析太阳能电池工作状况,对本征硅半导体中载流子数进行计算机模拟,模拟结果与理论规律基本吻合,此方法可为进一步研究掺杂半导体及氧化物半导体空间电荷层载流子数提供参考。