高能氦粒子对N型磷掺杂硅半导体辐照效应的模拟研究

利用SRIM模拟软件对硅太阳能电池板的减反射膜和N型磷掺杂硅半导体进行了氦粒子辐照模拟实验,实验可知10Me V高能氦粒子对减反射膜几乎不会产生大的损伤,对减反射膜辐照损伤是长期的累积效应。高能氦粒子的辐照损伤主要集中在N型磷掺杂硅半导体内部,这种内部损伤是个短期内快速累积效应。每个辐照氦粒子会在硅半导体材料内部把自身的能量释放出来,导致硅半导体材料内部发生离化现象,造成损伤,这种损伤包括原子离位、原子反冲、原子替换、空位的形成等,会产生平均空位率为394个空位,产生的粒子平均离位率为427个离位原子,会导致大量原子发生级联碰撞。     

台湾发展半导体产业的启示

半导体产业作为台湾“两兆双星”计划重点发展的产业之一，台当局投入大量的财力物力予以重点推进，并取得了不菲业绩。本文从台湾半导体产业的现状入手，追溯其发展的历程，从而挖掘对我国发展半导体产业的启示。     

成功离不开感恩和大气——访启明星（跟踪）计划入选者、上海大学张建华教授

在今年启明星名单上搜索,一个名为"大功率LED封装散热关键技术研发"的启明星跟踪项目引起我的注意.大功率LED是半导体照明的核心元件,我知道半导体照明是近年来备受业界重视、也逐步为市场接受的新型照明光源,它在节能、环保、色彩、亮度等方面的优点使它在能源短缺的今天备受青睐.在我的感觉中这样的与工业应用有关的项目的主事者无疑应是男性,但没想到接我电话的是一个女子,当时我确实是愣了一下.     

VMOS功率场效应晶体管的制造工艺

VMOS功率场效应晶体管有两种结构，一种是VVMOS功率场效应晶体管，另一种是VDMOS功率场效应晶体管。VVMOS结构是美国雷达半导体公司在1975年首先提出的。这种结构是在n＋衬底上的n-外延层上，先后进行P型区和n＋型区两次选择扩散，然后利用硅的各向异性刻硅技术，刻注出v型槽。槽的深度由槽的开口宽度决定，槽壁与硅片平面成54．70角。沟道长度由扩散的深度差决定，在1～2um之间。漏极从芯片的背面引出。由于这种结构是利用V形槽实现垂直导电的，故称为VVMOS结构。     

恒流充电式小型YAG固体激光电源

本文针对激光器电源的要求,设计了恒流充电式小型YAG固体激光电源.通过分析恒流充电式电路的基本工作原理,电路各参数的计算及控制电路的实现方法,运用实验计算的结果进行电路的设计、安装、调试,达到了预想电源要求的技术指标,对于实际的生产实验具有一定的实用价值.     

具有混合边条件三维半导体问题的特征差分方法和L^∞模估计

对具有混合边条件的三维半导体问题的电子和空穴浓度方程进行了研究，采用特征差分计算方法，并用最大模原理得到其Ｌ＾∞－模误差估计。在对流占优问题中，特征差分方法与传统计算方法相比，有比较小的截断误差，且格式简单，可以对时间采用大步长计算。     

532nm单频Nd：YVO4／KTP激光器及碘吸收谱线观测的研究

用Ｎｄ：ＹＶＯ４／ＫＴＰ内腔倍频激光器在５１５ｍＷ抽运时，获得了４０．４ｍＷ的单频５３２ｎｍ绿光。分析了获得单频运转的原因，并从理论上分析、实验中验证了用增加腔长的办法，可减小自由运转激光器的频率漂移。用其单频输出观测到１９９７年国际米定义咨询委员会（ＣＣＤＭ）推荐谱一以外的一些新的Ｉ２吸收谱线。     

表面包覆纳米In2O3的Z-SCAN测量

半导体纳米材料因其增大的三阶非线性效应和超快速的时间响应成为近些年倍受瞩目的新型非线性材料。Z-SCAN技术是测量材料三阶非线性大小的一种简便而灵敏的方法。本文首次利用Ar~+连续激光Z-SCAN方法测定了用热水解法合成的表面包覆硬脂酸的纳米In_2O_3有机溶胶(用透射电子显微镜测得颗粒平均直径为5nm)的非共振三阶非线性系数X_R~(3)。发现其比体相材料增大了许多,可望使其获得更多的应用。 图1为不同光强下样品的Z-SCAN信     

准分子脉冲激光制备发光硅晶粒的新途径

半导体硅是制备集成电路芯片和晶体管的重要材料,用硅制成的特种器件可用于检测光信息,由于其间接带隙的能带结构及禁带宽度仅1.12eV,因而本身无法由电致(EL)和光致(PL)发射高效率的可见光,使其在光电子器件领域的应用受到了限制.探索硅基材料的可见发光是材料科学领域中的重大研究课题.目前已有多种实现这一效应的方法,如电化学腐蚀的多孔硅和微波等离子体淀积的超细硅粉等,但是实际器件运用中所需材料必须具有良好的表面性质和均匀的内部结构.我们曾用Ar离子激光晶化技术使:a-Si:H/a-SiN_x:H多量子阱(MQW)结构中:a-Si:H阱层晶化成纳米晶粒,观察到室温可见光致发光现象,该方法可以人工设计并有效控制晶粒尺寸且材料内部结构均匀.本文将报道KrF准分子脉冲激光辐照a-Si薄膜制备室温呈现可见PL特性的硅晶粒的新方法,所用激光具有曝光面积大、能量高、作用时间短等特性,其晶化的均匀程度和效率均优于Ar离子激光,并且是一种“低温”、“干法”晶化过程,对衬底影响较小,从而有利于提高晶化样品性能,形成均匀的纳米晶粒,以期研究获得可见发光材料的新途径.