砷化镓基量子级联激光器研究取得重要进展

量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中红外波段单极激光光源,其工作原理与通常的半导体激光器截然不同,它利用垂直于纳米级厚度的半导体异质结薄层内由量子限制效应引起的分离电子态,在这些激发态之间产生粒子数反转。该激光器有源区是由耦合量子阱多级串接组成(通     

宽能带隙电子器件

硅集成电路和数据存贮是两种最成功的技术，目前，这两种技术继续以高速度发展。在集成电路技术中，按照摩尔定律，一块芯片上的晶体管数目每隔18个月就会翻一翻。而对于磁盘驱动技术，自1991年起磁头的总体位密度以每年60％至100％的速率增加。集成电路是通过对半导体应用电场控制载流子流动来工作的，因此关键的参数是电子或空穴上的电荷。而在磁性数据存贮中关键的参数是电子的自旋。     

多势垒结构中的共振能量和量子能级的差异分析

利用Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ多项式和传输矩阵方法解析推导出多量子阱（ＭＱＷ）系统的束缚电子级公式，并定量分析了多势垒结构中的共振能量和相应ＭＱＷ系统量子能级的差异。     

He—Ne激光器的非稳定性研究：一个简化理论模型

本文从简化的激光方程出发，引入周期调制，建立－理论模型。数值计算表明，在某一参数范围内，发现方程中存在倍周期分周序列至混沌，理论与实验符合较好。     

ASM2000机台机械手运行的影响因素分析

ASM2000半导体外延设备,作为世界上硅外延材料领域的主流设备,在硅片传递过程中,以“正面、非接触式”模式,可较好地避免硅片表面缺陷的产生。在这种传递模式下,偶有硅片掉落现象发生,故障产生原因较多,造成问题处理效率低下、复机验证流程繁琐等现象。为提高机械手装取片故障处理的效率及成功率,文章将从硅片传递的工作原理开始分析,总结导致硅片掉落的可能原因,以供故障排查所用。     

微机控制紫外波长调谐输出系统

介绍一种差分法实现的紫外波长自动调谐输出系统,由微机控制实现了输出波长的自动跟踪,同时用微机实现了设备自检,自动定位及温度校正等功能,波长调谐输出效率稳定在９７％以上。     

强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响

在有效质量近似下,采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响。结果表明对于采用体激子的等效Ｒｙｄｂｅｒｇ能量Ｒ＾＊比较大的材料制备的量子点,其形状带来的影响是显著的。     

掺Er^3＋／Yb^3＋光纤激光的理论分析

提出了光纤腔掺Ｅｒ＾３＋／Ｙｂ＾３＋光纤激光的模型和速率方程,推导了阈值泵浦功率的解析公式,运用数值求解方法,得以了光纤中反转粒子数分布,小信号增益系数和激光的输出功率,同时也给出了数值曲线,可用于掺Ｅｒ＾３＋／Ｙｂ＾３＋光纤激光器的优化设计。     

氩离子腔内倍频紫外连续激光器

本文从讨论培频效率入手,分析了影响倍频效率的原因,给出BBO晶体氩离子腔内培频紫外激光器的设计方案,制作了激光器,并得到了紫外激光输出。