常温半导体气敏元件的研制

简述了常温气敏陶瓷材料及高分子材料的制备方法，常温电阻型及振荡型元件的制造工艺及其气敏特性，最后探讨了元件的工作机理及今后的改进方法。     

1.3μmInGaAsP半导体激光器晶格温升的研究

测量了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器自发发射光谱。利用脉冲工作条件下自发发射谱线的微小漂移，对激光器激光活区中晶格温升进行了测量分析，得到了晶格温升与热平衡时间的关系曲线。     

混晶GaAs1—xPx：N中Nx带的发光瞬态过程研究

采用皮称量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ材料发光瞬态过程，结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带转变的带增强效应，对Ｎｘ发光带不同能量位置的发光衰退测量还表明Ｎｘ带同时存在着快速的带内隧道转移和较慢的发光衰退过程。     

基于Petri网的分层半导体制造过程调度结构

针对复杂的半导体制造过程调度，在综述现有调度问题及方法的基础上，提出由投料调度、路径调度和两种类型的工件调度共同组成的分层调度结构的思想及方案，继而基于Petri订网模型，探讨所提出的分层半导体调度结构基于Petri网模型的实现方法，最后通过仿真对分层调度结构加以应用验证，并总结全文．     

基于微粒群算法的半导体炉管区调度应用研究

提出了用微粒群算法来解决半导体炉管区的调度问题.给出了算法的具体过程及参数设置方案.实例计算的结果表明,该算法是解决半导体炉管区调度问题可行且高效的方法.     

特种气体报警系统安装调试要点

前言 半导体电子厂房等洁净空调场所，工艺上会用到各种气体如氢气（可燃、用于光刻）、砷化氢AsH3（有毒、用于沉积植入）、矽烷SiH4（有毒、用于蚀刻）等。但由于此类气体本身的特性，一旦泄露，将会产生严重后果，如氢气在空气中的浓度达到4％时，遇明火就会发生爆炸，砷化氢在空气中的浓度达到0.2mg／m^3时，人会感到头疼、晕眩、呼吸困难、腹部、背部疼痛、反胃、呕吐，引起血尿症、黄胆等疾病。     

Simultaneously inducing synthesis of semiconductor CdS nanotubes and nanospheres through living bio-membrane bi-template

Group II-VI semiconductors, because of its wider band width and nonlinear optical properties, have al- ready shown vital applications in fluorescence probe, sensors, solar battery, photoelectrocatalysis, photoelec- tricity devices, laser light-emitting di…     

半导体物理

本书是一本教材，系统地介绍了半导体物理的理论知识。为了使学生能更好地理解和应用这些理论和概念，本书还对一些基于半导体的重要系统的原理进行了简单的解释。全书共分10章。第1章半导体简介，介绍了半导体的定义和重要性、半导体理论的基础和一维理想结晶固体的量子态；第2章理想半导体的量子态，重点介绍了三维半导体的量子态；第3章纯半导体的激发态和含杂质半导体的量子态；第4章均相半导体的统计学；第5章半导体中的迁移现象；第6章光效应；     

以双包层光纤光栅为后腔镜的掺Yb3+双包层光纤激光器的研究

本文对LD泵浦以双包层光纤光栅为后腔镜的掺Yb3 双包层光纤(DCF)激光器进行了实验研究．采用相位掩模法直接在内包层为圆形的掺Yb3 双包光纤一端写制反射率约为0．2 dB的光栅,并用其作后腔镜, 以二向色镜为前腔镜构成了双包层光纤激光器．在1 054．6 nm处得到峰值半宽(FWHM)<0．1 nm的稳定单模激光输出,并对试验结果进行了理论分析．     

Rashba效应影响下InAs/GaAs自组织量子点中极化子性质

考虑Rashab自旋-轨道相互作用对半导体量子点中极化子基态能量的影响．采用LLP中耦合的方法处理了电子-声子相互作用．结果表明由于Rashba效应的影响使得极化子的基态能量分列为上下两支而且Rashba自旋-轨道相互作用能与总的基态能及其它能量成分间的比例关系，随电子波矢K变化非常显著．Rashba自旋-轨道相互用作使得量子点中极化子基态能量在无任何外磁场的情况下发生分裂，所以完全不同于强磁场影响下的简单Zeeman效应，然而，自旋-轨道相互作用引起的分裂有时掺杂着Zeeman分裂。因此它引起的分裂属于复杂分裂．声子对总能量的贡献为负，由于声子的存在极化子争裂能较裸电子更为稳定．