浸泡法制备吸附制冷用复合吸附剂

以分子筛为基材通过浸泡CaCl2和SrCl2溶液的方法制备复合吸附剂.在模拟制冷条件下,对以不同浓度溶液制备的复合吸附剂的吸附、解吸性能进行了测定,并将吸附解吸性能最好的复合吸附剂在自制的模拟制冷装置上进行了制冷实验.结果表明,复合吸附剂具有良好的吸附、解吸性能,最大吸附量达51.6%,解吸率可达69.3%,在模拟制冷装置上系统的制冷系数达0.25,单位吸附剂的制冷功率为0.072 W/g,符合太阳能吸附制冷的要求.     

一种自动天线阻抗匹配CMOS电路的设计

为了解决小型化天线阻抗匹配时由于电感的精度不足导致阻抗匹配效果变差的问题,提出一种自动天线阻抗匹配的CMOS电路. 首先,提出了一种新型阻抗匹配方法,该方法通过在天线的输入端与末端添加电容的方式来实现阻抗匹配. 然后,通过将匹配的电容进行集成,提出一种片上自动阻抗匹配电路,通过功率检测电路和峰值检测电路来判断天线的输入功率的大小,通过电容扫描电路和程控电容来改变天线的输入阻抗. 通过该电路,天线可以自动调节输入阻抗来匹配源端的输出阻抗,以获得最大的输入功率. 该电路省去了使用网络分析仪调节阻抗匹配的步骤,从而可以降低测试环境的变化对阻抗匹配的影响,降低了射频功率放大器输出阻抗的设计要求,可以通过设计匹配电容的精度来改变阻抗匹配的精度.     

二热源制冷机的（εR）max

指出二热源制冷机的制冷系数ε与制冷率R 的乘积εR存在最大界限(εR)_(max)。它是制冷机的一个重要性能参数。讨论了三种不同情况下(εR)_(max)的主要特征,所得结果将有助于对实际制冷机各种性能界限的进一步了解,并可对制冷机最佳工作状态的选择提供一些新的理论依据。     

空冷式多级热电制冷器性能综合分析

多级热电制冷器可提供更大的制冷温差,但制冷经济性能随级数增大而迅速降低.综合考虑热电材料各种内部效应与外部传热不可逆性,建立了空冷式多级热电制冷器的有限时间热力学模型,给出了制冷量和制冷系数的计算方法.为全面描述和分析多级热电制冷器性能,引入热力学完善度指标,并提出协调性能系数性能评价指标,分析了制冷器工作电流、热电臂横截面积与制冷温差对制冷量、制冷系数、热力学完善度和协调性能系数的影响.结果表明：当制冷温差为87℃时,电流分别为2.55 A和1.30 A时,热电臂横截面积分别为2.2 mm²和3.0 mm²时,制冷量和制冷系数分别达到最大值.综合考虑制冷能力与经济性,当电流为1.75 A时,可获得制冷量、耗功与制冷系数的最佳协调性能.     

基于冷冻铸造法制备直通孔La0.67Ca0.33MnO3磁制冷材料

磁制冷材料因其本征脆性,难以通过传统机械加工手段获得多孔结构。该文采用冷冻铸造法,制备出具有直通孔结构的La_0.67Ca_0.33MnO₃(LCMO)磁制冷材料,利用透射电镜、扫描电镜、X射线衍射仪、能谱仪以及综合物性测量系统等,研究了该直通孔材料中LCMO固相含量对显微形貌、晶体结构、化学成分及磁性能的影响规律。研究表明,冷冻铸造所得样品孔隙率可调、成分均匀、未引入杂相;在外加磁场变化为0～1 T时,等温熵变可达2.5 J·kg^-1·K^-1,与目前广泛使用的制冷工质Gd的等温熵变相当。该研究为磁制冷材料的复杂成型提供新的思路,有望推动其在绿色高效制冷领域的实用化进程。     

垂直管吸收器动态特性的研究

建立了垂直管吸收器的分布参数动态模型 ,运用该模型计算分析了吸收器的启动特性 ,得出了各参数沿管长的分布规律及吸收器出口宏观参数的变化规律 ,并进行了实验验证 .结果表明 ,吸收器垂直管的顶部在 2 0 %的长度内不存在吸收过程 ,溶液仅进行冷却降温 ;垂直管吸收器的冷却负荷约占机组总冷却负荷的 70 % ,表明垂直管吸收器的吸收效果很好 ,优于水平管 ;在机组的启动阶段 ,吸收器出口溶液的浓度存在一个先升后降的过程     

鲁棒的高速物理随机数发生器

基于宽带混沌激光作为物理熵源, 提出一个性能稳定的高速物理随机数发生器实现方案. 利用差分比较器对宽带混沌信号延迟作差, 再经由时钟控制的触发器进行采样保持以及后续异或处理, 实验获得了速率为1.44 Gbit/s 的随机数. 该方案免去了精确的阈值电压调节过程, 利用差分比较纠正了混沌幅值概率密度分布的偏差, 使混沌幅值分布的中值偏斜度系数为γ= 1.5×10^-6. 此实验系统可抗外界波动信号的干扰, 能够连续稳定工作至少12 h.     

利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望

作者介绍了SiC MESFET(metal semiconductor field effect transistor,金属半导体场效应晶体管)器件的优点和离子注入技术在SiC器件制备中的发展趋势,提出一种用离子注入技术制备新型结构的SiC MESFET器件的方法,讨论了这种新型结构的优点,最后给出用离子注入技术制备SiC MESFET器件的设计过程。     

基于超表面的宽带太赫兹热释电探测器设计

为了解决传统太赫兹（THz）探测器吸收效率低,频率范围小的问题,提出将双层超表面吸收阵列结构与钽酸锂热释电探测器相贴合,构成宽带太赫兹超表面热释电探测器。采用MATLAB和CST联合仿真的优化方法对超表面结构进行按需优化;使用ANSYS对热释电探测器进行仿真分析,得到敏感层、绝热层等特征参数对太赫兹热释电探测器的温度变化率以及响应电流的影响。结果表明,采用超表面阵列结构提高了全THz波段的探测性能,凳型热释电探测器在给定条件下的平均热释电电流输出为31.52 pA。使用超表面作为吸收结构可以使热释电探测器具有连续且高效的吸波特性,为宽带太赫兹探测器的设计提供参考。     

郑州云华综合办公大楼空调系统设计

<正>一、工程概况郑州云华综合办公大楼建筑状况为:共十四层,外形尺寸为长79.7m、宽18.85m,建筑总高度为47.7m,建筑总面积21032m2;地下一层为制冷机房,一层为办公大厅、其余为办公室、实验室、会议室等。主要设计内容包括为冷冻站及空调风系统、空调水系统设计。该工程投入运行后,运行效果良好,因此对其他空调工程设计具有一定的参考价值。