半导体中载流子漂移速度与任意场强的一种解析关系

本文考虑在单谷能带半导体中,均恒电场对载流子分布函数的影响,采用平均自由程与载流子能量分布为玻耳兹曼分布的假设,在此基础上作相应的非简并态的经典统计,得到任意场强下漂移速度的极为简洁的_d(ε)表达式.该表达式对应的_d(ε)曲线与已知的精密测量的实验曲线吻合良好.     

PbSnS3纳米棒的光学性质

本文用拉曼谱和光致发光谱研究了PbSnS3纳米棒的光学性质。PbSnS3纳米棒的拉曼谱可用两种声子模工解析。PbSnS3纳米棒在紫外线激发下发蓝光。     

基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征

通过离子注入技术制备出GaMnN三元磁性半导体材料．Raman光谱，x射线衍射和光致发光谱(PL)揭示了Mn在材料中的晶体结构与电子结构．这些基本表征结果表明注入的Mn占据了晶格位置，且多数形成了GaMnN三元相．超导量子干涉仪的测量结果表明合成的材料在室温下仍有铁磁性．磁化强度随温度的变化曲线表明材料中存在着不同的铁磁机制．     

从半导体教研组到微电子学研究所--清华大学半导体专业、微电子学研究所的发展和创新

清华大学半导体专业创建于1957年,是当时学习苏联工科大学教育模式的产物之一.经过20多年的发展,半导体专业具备了一定规模.在此基础上,1980年清华大学微电子学研究所成立,该所成为直属学校领导、具有较大规模的教学科研单位,在国内高等院校的教学和科研结合、科技创新、成果转化方面走出一条成功的道路.文章依据档案、访谈等资料对清华大学半导体专业,微电子学研究的发展和创新情况做了研究与分析.     

重新发现ZnO--一种大有前途的多功能晶体材料

ZnO是一种传统的多功能材料.近年来,它在紫外光电器件和GaN衬底材料等方面的应用前景而使其成为新的研究热点.本文从纳米ZnO、GaN基片ZnO和体单晶生长等角度介绍了它的最新研究进展.     

GALERKIN ALTERNATING-DIRECTION METHODS FOR NONRECTANGULAR REGIONS FOR THE TRANSIENT BEHAVIOR OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

For the transient behavior of a semiconductor device, the modified method of characteristics with alternating-direction finite element procedures for nonrectangular region is put forward. Some techniques, such as calculus of variations, isoparametric transformation, patch approximation, operator-splitting, characteristic method, symmetrical reflection, energy method, negative norm estimate and a prior estimates and techniques, are employed. In the nonrectangular region case, optimal order estimates in L2 norm are derived for the error in the approximation solution. Thus the well-known theoretical problem has been thoroughly and completely solved.     

若丹菁在单晶锗表面的键合

通过烯丙醇单体，用化学键合法将一种若丹菁键合在了抛光的单晶锗表面，将键合有光敏染料的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱测试。结果表明：若丹菁染料通过Ge-0键键合于锗表面。     

ZnO压敏陶瓷中的原子缺陷和界面电子态研究

分析指出耗尽层内施主浓度Nd、界面受主态密度Ns和界面能级深度Es是影响ZnO压敏陶瓷电性能的重要参数 .Nd与体内原子缺陷有关 ,室温下主要取决于电离的浅能级本征和非本征施主Zn·i,Zn¨i和Al·Zn,Ns和Es与界面原子缺陷密度和性质有关 .本征界面缺陷V′Zn和V″Zn对界面受主态形成起基本作用 ;偏析于晶界的大离子半径的Bi和Ba以及界面上的化学吸附氧O-和O2 -对提高Ns和Es起关键作用 ;易变价过渡元素Mn ,Co和Ni对进一步提高受主态密度起重要作用 ;Sb通过生偏锑酸钡相在稳定势垒方面起较大作用 ,对提高态密度也有一定帮助 .     

球型量子点电子填充性质的研究

利用基于高斯基函数的限制Hartree-Fock-KRoothaan（UHFR）方法，研究球型量子点的剩余量子填充效应，量子点的三给限制势采用了有限深势阱，我们主要考虑量子点内电子相互作用，对于试探波函数中高斯基函数，采用了简化计算的两参数法，在此球型量子点中，可以得到类原子的剩余电子填充的壳层结构。