光催化技术研究进展

光催化技术是一种新兴的高效节能现代污水处理技术,从半导体光催化方法、反应机理、各类污染物光催化降解的现状、提高半导体光催化剂活性的途径、光催化技术发展中存在问题等方面分别论述了半导体光催化技术现状及发展趋势.     

掺钛GZO透明半导体薄膜的光学性质研究

以钛掺杂氧化锌镓(GZO)陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了掺钛GZO(GZO:Ti)透明半导体薄膜,利用光谱拟合方法计算了GZO:Ti薄膜的折射度、消光系数和厚度等光学参数,研究了氩气压强对GZO:Ti薄膜光学性质的影响.结果表明:拟合光谱曲线与实验测量光谱曲线一致,薄膜的光学性质与氩气压强密切相关,GZO:Ti薄膜折射率随波长增大而逐渐减小,表现出正常的色散性质.另外还采用包络法计算了GZO:Ti薄膜的折射率和厚度,两种方法所获得的结果是基本相符的.     

硅基一维纳米半导体材料的制备及光电性能

硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料，在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景．主要论述了硅基一维纳米半导体材料(纳米硅线、纳米ZnO线)的制备，着重一维纳米材料的阵列化制备，讨论了其生长机理，研究了硅基一维纳米半导体材料的的光学、电学等物理性能．     

Structure and 57Fe conversion electron Mössbauer spectroscopy study of Mn-Zn ferrite nanocrystal thin films by electroless plating in aqueous solution

Mn1-xZnxFe2O4thin films with various Zn contents and of different thickness were synthesized on glass substrates directly by electroless plating in aqueous solution at 90℃ without heat treatment. The Mn-Zn ferrite films have a single spinel phase structure and well-crystallized columnar grains growing per- pendicularly to the substrates. The results of conversion electron ^57Fe Mossbauer spectroscopy （CEMS） Indicate that the cation distribution of Mn1-xZnxFe204 ferrite nanocrystal thin films fabricated by electroless plating is different from the bulk materials＇ and a great quantity of Fe^3＋ ions are still present on A sites for x〉0.5. When the Zn content of the films increases, Fe^3＋ ions in the films transfer from A sites to B sites and the hyperfine magnetic field reduces, suggesting that Zn2. has strong chemical affinity towards the A sites. On the other side, with the increase of the thickness of the films, Fe3＋ ions, at B sites in the spinel structure, increase and the array of magnetic moments no longer lies in the thin film plane completely. At x = 0.5, Hc and Ms of Mn1-xZnxFe204thin films show a minimum of 3.7 kA/m and a maximum of 419.6 kA/m, respectively.     

光隔离器在光信息技术实验中的应用

介绍了光隔离器的结构及工作原理,并通过在二项光信息实验中应用光隔离器的实例,说明将它放置在半导体光源输出光之后能够使实验系统稳定,可以获得可靠的测量数据。1550nm波长的光隔离器,价格便宜,适宜在教学实验中应用。     

SiGe合金氧化层中的纳米结构

在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品，用高精度椭偏仪（HPE）、卢瑟福背散射谱仪（RBS）和高分辩率扫描透射电子显微镜（HR-STEM）测量样品的纳米结构，并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱（RBS）中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟，测量并计算出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布，并且反馈控制加工过程，优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件。在硅锗合金的氧化层表面中着次发现纳米锗量子点组成的纳米盖帽薄膜（2nm)，提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧倾泄蝶恋花匹配公式的理论模式模型与实验结果拟合得很好。     

中英稀磁半导体和低维磁性功能材料研讨会在我校召开

2007年4月6日，由我校“分子磁体与磁信息材料山西省重点实验室”举办的中英稀磁半导体和低维磁性功能材料研讨会（China-UK Workshop for Diluted Magnetic Semiconductots and Low Dimensional Magneto-Functional Materials）在我校化学与材料科学学院化学楼一层报告厅成功举办，校长武海顺教授致开幕词。     

GaN基垂直腔面发射激光器的研制

作者在我国大陆首次实现了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的激射.首先采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上进行高质量氮化物增益区的外延生长,然后在表面沉积高反射介质膜分布布拉格反射镜(DBR).将样品键合到其它支撑片上后,采用激光剥离技术将蓝宝石村底去除.再在去除蓝宝石后露出的氮化物表面沉积第二组介质膜DBR制成VCSEL.在室温光泵条件下,观察到VCSEL的激射,激射波长449.5 nm.阈值6.5 mJ/cm2,激射峰的半高宽小于0.1 nm,这些指标达到了国际领先水平.本文为进一步研制实用化氮化物VCSEL奠定了重要的基础.     

LD端泵Nd:GdVO4/KTP腔内倍频绿光激光器的研究

报道了半导体激光二极管(LD)端面泵浦Nd:GdVO4晶体,KTP晶体腔内倍频实现了531.7m连续波绿色激光器.采用简单、紧凑的平凹直腔结构,当注入泵浦的功率为12W时,得到了372mW的稳定绿光输出,光-光转换效率为3.1%.功率稳定性半小时内优于±1.2%.     

第二次电子革命及对策建议

以四十年代半导体晶体管的发明为起点 ,人类实现了以计算机技术、通讯技术和消费类电子技术为标志的第一次电子革命。这次革命直接导致了信息产业及若干相关产业的诞生和发展 ,一举将人类带迸信息社会 ,彻底改变了人类的生活方式和思维模式。当前在半导体科学技术及相关领域内正在酝酿着一场新的革命 ,国际上称之为“第二次电子革命”。这次革命将以高压大功率电子技术为标志 ,以功率器件的节能化、电子化、长效化为目标 ,带动能源、汽车、交通、环保等相关产业的大发展 ,创造经济发展新的生长点。1　第二次电子革命的内容第一次电子革命所…