我国新一代信息功能材料及器件技术发展成果显著

随着我国信息技术向数字化、网络化的迅速发展,信息功能材料和器件的变革已成为信息技术发展的必然趋势。本文综合报道了《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》颁布以来,我国新一代信息功能材料和器件优先主题的政策响应、总体布局、技术进展与成效,以及许多领域专家对我国新一代功能材料未来发展的对策建议。     

溶剂热法制备纳米线组成的片状硫化镉纳米结构

本文采用四水硝酸镉和巯基乙酸为原料,在乙二胺为溶剂的高压反应釜中150℃反应12h合成了由纳米线组成的片状硫化镉纳米结构。同时,研究溶剂和硫源对硫化镉纳米结构的形貌和尺寸的影响。采用X射线粉末衍射、透射电子、紫外及可见光分光光度计等对硫化镉纳米结构进行表征。     

光电化学免疫分析研究进展

光电化学分析是近年建立起来的一种基于物质的光电转换特性而进行检测的新型分析方法,它具有灵敏度高、设备简单、易于微型化等特点.光电化学免疫分析则是光电化学分析与免疫反应的结合,体现了光电化学传感的高灵敏度和免疫反应的高特异性.其基本方法原理是,在光照条件下,光电活性物质将免疫反应转变为电信号,从而实现对待测物的定量测定.在过去10年中,伴随着光电化学分析技术的进步,光电化学免疫分析经历了快速发展的过程.本文介绍了光电化学免疫分析的方法原理和特点,对其代表性的研究工作进行介绍和评述,并展望其未来的发展趋势.     

苄基紫精混合卤代铅盐的合成、结构及电学性质

通过苯甲醇与4,4′-联吡啶,PbCl2,I2在乙腈和水的混合溶液中的溶剂热反应,得到新颖的具有碘离子和氯离子混合的苄基紫精卤代铅盐[(BV)2(Pb5I8Cl6)]n(1)(BV2+=苄基紫精或N,N′-二苄基-4,4′-联吡啶鎓).化合物1的阴离子结构可视为通过共享PbI3Cl3,PbI5Cl或PbI6八面体的边缘形成的一维[Pb4n-5I8Cl6]n链状结构,而BV2+二价阳离子可能是由苯甲醇中的C–O键断裂后与4,4′-联吡啶苄基化原位形成的.在293~443 K的温度范围,化合物1的单晶电导率从1.54×10-6增加至2.11×10-5 S m-1,表明化合物1具有典型的半导体行为.     

烧结温度对Zn_(0.98)Cu_(0.01)Co_(0.01)O稀磁半导体性质的影响

本文以Zn(NO3)2·6H2O,Co(NO3)2·6H2O,Cu(NO3)2·3H2O为原料,与适量的柠檬酸配制成溶液,采用溶胶—凝胶法(sol-gel)合成前驱体,将前驱体在氩气气氛中选择不同温度进行烧结得到Zn0.98Cu0.01Co0.01O稀磁半导体样品,利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱仪(PL)、振动样品磁强计(VSM)对所制备样品的结构、光学性能及磁性进行研究.实验结果表明:制备的样品为单一的纤锌矿结构,烧结温度改善了样品的光学性质及磁性.     

南京大学电子科学与工程学院

<正>追溯至20世纪50年代,南京大学先后创设了国内第一批"无线电物理"和"半导体物理"专业,特色鲜明、在国内外有重要影响,此后,根据国家需要和学科发展趋势,逐渐转向工科类学科的建设。1984年,南京大学组建了信息物理学系,     

封面说明

<正>在半导体中注入自旋形成兼具电荷属性和自旋特性的稀磁半导体可以制成自旋阀、自旋二极管、高密度非易失性存储器以及磁感应器等新型的功能器件,具有诱人的应用前景.但是向传统的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中掺杂存在两点不足.首先,传统的稀磁半导体在引入自旋的同时也引入了载流子,这种自旋和电荷的捆绑效应严重制约了电性和磁性的调控维度.其次,基于掺杂中的不等价代     

NFC,今天你用了吗?

<正>人的一生至少需要办100多张卡(证),公交卡、自行车卡、饭卡、门禁卡、银行卡……全部叠起来至少有半米多高。如果真的要带这么多卡出门,麻烦程度可想而知。如今,NFC技术和相关应用的开发,将会极大程度地帮助我们减少带卡数量,同时还将带来新的项目体验。     

铁电场效应晶体管:原理、材料设计与研究进展

系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理，重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、目前所研究的主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能．并介绍了关于FeFET研究的一些最新的进展如基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的一些最新研究成果．最后对FeFET的未来研究发展趋势作出一些展望．     

IV-VI族稀磁半导体的磁化理论

简单介绍了IV-VI族稀磁半导体的特性。IV-VI族稀磁半导体的自发磁化、矫顽力和居里温度等性质可由载流子浓度调节。对制造技术导致的缺陷反应迟钝用常规制备方法就可以制备IV-VI族稀磁半导体。作为一种磁离子和载流子能被分别导入和控制的稀磁半导体,IV-VI族稀磁半导体有利于研究稀磁半导体中的铁磁特性。给出了IV-VI族稀磁半导体由独立磁离子杂质、相邻杂质相互作用、晶格反磁性和载流子自旋密度四部分作用组成的总磁化强度的各部分的数学表达式。