特种气体报警系统安装调试要点

前言 半导体电子厂房等洁净空调场所，工艺上会用到各种气体如氢气（可燃、用于光刻）、砷化氢AsH3（有毒、用于沉积植入）、矽烷SiH4（有毒、用于蚀刻）等。但由于此类气体本身的特性，一旦泄露，将会产生严重后果，如氢气在空气中的浓度达到4％时，遇明火就会发生爆炸，砷化氢在空气中的浓度达到0.2mg／m^3时，人会感到头疼、晕眩、呼吸困难、腹部、背部疼痛、反胃、呕吐，引起血尿症、黄胆等疾病。     

Simultaneously inducing synthesis of semiconductor CdS nanotubes and nanospheres through living bio-membrane bi-template

Group II-VI semiconductors, because of its wider band width and nonlinear optical properties, have al- ready shown vital applications in fluorescence probe, sensors, solar battery, photoelectrocatalysis, photoelec- tricity devices, laser light-emitting di…     

半导体物理

本书是一本教材，系统地介绍了半导体物理的理论知识。为了使学生能更好地理解和应用这些理论和概念，本书还对一些基于半导体的重要系统的原理进行了简单的解释。全书共分10章。第1章半导体简介，介绍了半导体的定义和重要性、半导体理论的基础和一维理想结晶固体的量子态；第2章理想半导体的量子态，重点介绍了三维半导体的量子态；第3章纯半导体的激发态和含杂质半导体的量子态；第4章均相半导体的统计学；第5章半导体中的迁移现象；第6章光效应；     

Rashba效应影响下InAs/GaAs自组织量子点中极化子性质

考虑Rashab自旋-轨道相互作用对半导体量子点中极化子基态能量的影响．采用LLP中耦合的方法处理了电子-声子相互作用．结果表明由于Rashba效应的影响使得极化子的基态能量分列为上下两支而且Rashba自旋-轨道相互作用能与总的基态能及其它能量成分间的比例关系，随电子波矢K变化非常显著．Rashba自旋-轨道相互用作使得量子点中极化子基态能量在无任何外磁场的情况下发生分裂，所以完全不同于强磁场影响下的简单Zeeman效应，然而，自旋-轨道相互作用引起的分裂有时掺杂着Zeeman分裂。因此它引起的分裂属于复杂分裂．声子对总能量的贡献为负，由于声子的存在极化子争裂能较裸电子更为稳定．     

第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议

第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议（11th International Conference on Defects-Recognition，Imaging and Physics in Semiconductors（DRIP XI））于2005年9月15-19日在北京举行，来自26个国家（地区）的共124位代表与会。会议由中国科学院半导体研究所和浙江大学共同主办，会议主席是中国科学院半导体研究所的王占国院士，会议程序委员会主席则是浙江大学硅材料国家重点实验室的杨德仁教授；会议国际指导委员会和会议国际程序委员会分别由著名学者JeanPierre Landesman、Piotr Edelman等16人和18人组成。     

GaP1-χNχ混晶（χ-0．24％～3．1％）发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-χNχ混晶的发光复合机制．GaP1-χNχ混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征，表现出明显的带隙降低的趋势．测量结果显示，在组分χ≥0．24％的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态，在低组分的混晶中，只存在一种激活能，仍然保持有束缚激子的特征；而在高组分样品(χ≥0．81％)中存在两种激活能．高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征．另一方面也表现出新的发光机制．     

微电子学系介绍

微电子学系有着源远流长的学术渊源,发展历史可以追溯到1956年由著名物理学家黄昆院士领导、在北大物理系创建的我国第一个半导体物理专业。半个世纪以来,微电子学专业及其前身北大半导体物理专业在中国微电子技术的发展过程中发挥了重要作用,是我国微电子领域培养高级人才和科研开发的重要基地。19 77年我国第一块1KMOSDRAM即诞生于北京大学,2 0 0 1年微电子学与固体电子学学科又被评为国家重点学科。微电子学系具有良好的人才培养与科学研究的先进设施,现在拥有3个国家或部委重点实验室:微米 纳米加工技术国家级重点实验室、新工艺新…     

半导体量子点中磁极化子基态能修正的温度效应

采用Larsen方法研究了半导体量子点中磁极化子基态能量的温度效应．在有限温度下导出了磁场内半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互作用系统的基态能量及二级微扰能量修正．讨论了磁场、量子点尺寸以及温度对半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量影响．为了更清楚、直观地说明半导体量子点中磁极化子的性质，以GaAs半导体为例进行了数值计算，得到在强磁场的作用下半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子耦合系统的基态能量修正与磁场强度、量子点厚度及温度的关系曲线．结果表明：强磁场中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量修正随磁场强度的增加而增大，随量子点厚度的增加而减少，随温度的升高而增大。     

晶种辅助法控制合成CdS纳米棒

本论文以CS2为硫源．首先在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)胶束中制备CdS纳米棒品种．然后利用晶种辅助法实现了不同长径比的CdS纳米棒制备。实验结果表明晶种辅助生长法能否成叻与晶种在反应体系中溶解特性有很大关系。     

BPANN在仪表线性化中的应用

讨论了传感器、仪表利用软件实现线性化的优点及反向逆传播人工神经网络(BPANN)的构成，研究了半导体热敏电阻(SCTR)线性化的BPANN方法，并用MATLAB具体实现，得到了SC—TR的线性特性．用插值法检验了该方法的有效性。