电子专业教学中的无铅焊接的研究

电子相关专业的高职毕业生进入企业前是否需要有无铅焊接等环保知识基础,电子专业教学在哪些环节与无铅焊接有密切关系,是高职电子专业教学值得研究的问题。高职院校电子专业开设的专业大多是为三新企业输送人才,毕业后大多进入电子制造业工作。电子相关专业的学生如果不知道电子产品在哪些环节有环保压力,需要开展无铅焊接生产,进入高新企业就不能尽快适应运用清洁生产理念和技术管理的先进企业。结合在实践中摸索的无铅焊接的基本理论可以提供给电子专业和环保专业教学参考。     

GaN掺Cr材料的局域电子结构和磁性

运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性, 计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法. 计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化, 变化趋势和实验结果吻合. 在包含两个Cr原子的体系中, Cr原子之间是铁磁性偶合, 每个Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近. 对于不同的掺杂浓度, Cr原子与最近邻N原子之间均为反铁磁偶合, Cr原子的3d电子与N原子的2p电子之间有很强的杂化, 这与晶体的能带计算方法得到的结果一致.     

纳米SnO2薄膜的制备,结构和性能研究

在真空度为１３３．３μＰａ时,用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积ＳｎＯ２薄膜。通过ＸＲＤ,ＳＥＭ等测试分析,研究了杂质掺杂及热处理前后的ＳｎＯ２薄膜的结构,晶粒尺寸,电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明,掺Ｂｉ有效地抑制了晶粒生长,提高了薄膜的稳定性。掺Ｂｉ后,薄膜的电学特性增强,而掺Ｉｎ,Ｃｄ则影响不大。     

Ce~(3+)/TiO_2光催化剂降解孔雀石绿的研究

采用溶胶-凝胶法合成了不同Ce3+掺杂量、不同煅烧温度的Ce3+/TiO2光催化剂,并对所制得的光催化剂进行了系统的表征和光催化活性研究.XRD分析表明,所得粉体为锐钛矿相纳米TiO2,且Ce3+掺杂后,纳米TiO2特征衍射峰宽化,强度降低,说明稀土Ce3+的掺杂能细化晶粒,稀土离子掺杂也有利于抑制高温时的TiO2晶型由锐钛矿向金红石型的转变;以孔雀石绿为降解物的光催化实验表明,在500℃下煅烧,n(Ce3+)∶n(TiO2)=0.5%的催化剂,加入5mL助催化剂,三基色节能灯照射2.5h,降解率可达70.2%.     

半导体激光器噪声测试系统

以PC机为主控单元,研制了半导体激光器噪声测试系统,通过PC机对频谱分析仪的远程控制,完成对器件噪声信号的自动采集和处理。用该系统对InP／InGaAsP V双异质结半导体激光器的电噪声和电阻的热噪声进行了测量。实验结果表明,该系统可重复性好,测试结果准确。     

半导体制造系统基于资源的Petri网调度优化

对半导体制造系统调度难点,分两步予以解决:第一步,提出三种策略解决系统建模问题,包括基于资源的Petri网模型构建模式,对系统结构建模;引入整合性定义方法对系统功能建模;以及通过多种变迁种类的引入实现对系统行为建模.第二步,在此模型基础上,引入蚁群优化算法对模型求调度优化解.与仿真结果的对比显示此方案取得了明显效果.     

半导体量子点中磁极化子基态能修正的温度效应

采用Larsen方法研究了半导体量子点中磁极化子基态能量的温度效应．在有限温度下导出了磁场内半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互作用系统的基态能量及二级微扰能量修正．讨论了磁场、量子点尺寸以及温度对半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量影响．为了更清楚、直观地说明半导体量子点中磁极化子的性质，以GaAs半导体为例进行了数值计算，得到在强磁场的作用下半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子耦合系统的基态能量修正与磁场强度、量子点厚度及温度的关系曲线．结果表明：强磁场中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量修正随磁场强度的增加而增大，随量子点厚度的增加而减少，随温度的升高而增大。     

GaAs/AlAs异型异质结导带研究

利用泊松方程分析了异质结导带形状，通过数值模拟研究了GaAs/AlAs异型异质结在不同掺杂浓度下的导带图，确定了导带尖峰出现的位置和耗尽区宽度。     

半导体激光器稳恒功率控制系统的设计

设计一种半导体激光器的稳恒功率控制系统.该系统以3个高精度放大器OPA114,OPA602和OPA335为核心,采用滤波和慢启动电路,具有集成度高、元件少、性能稳定等优点;采用光功率负反馈控制,能为半导体激光器提供高稳定的、连续可调的驱动电流.实验结果表明,在该系统的驱动下,半导体激光器连续工作5 h,光功率稳定度可达0.048%,比开环时的稳定度提高了近5.5倍,达到设计要求.     

Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试

提出一种金属－半导体－金属Ｓｃｈｏｔｔｋｙ结构的粒子探测器，它用高迁移率，半缘绝的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积的粒子探测器。经过能量为１．５ＭｅＶ，剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的＾６０Ｃｏγ射线辐射，探测器能正常工作，是一种新型的经得起强辐射的粒子探测器。