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121.
模拟和验证了一种低成本的,以标准CMOS工艺为基础,无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术。讨论了低压器件中的各种击穿机理,相应提出了高压器件中所做出的改进,列举了该工艺技术中所用的特殊版图;对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟;将模拟结果与实际测试结果进行了比较,验证了这种高压工艺技术的实用性。 相似文献
122.
123.
研究了耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计特性 ,给出了当腔场初始处于真空态而激子处于真空态与粒子数态大于 2的叠加态时的腔场与激子能量交换的表达式。研究结果表明 ,激子和腔场可以呈现亚泊松分布状态 ,激子与腔场之间的关联是经典的 ,不存在Cauchy Schwartz不等式的偏离现象。 相似文献
124.
熊国华 《北京大学学报(自然科学版)》2002,38(3):315-317
利用环上的特殊非线性函数,提出构造参数为(4q\+2,q(2q-1),q(q-1))的Hadamard差集的新途径. 相似文献
125.
126.
通过构造新的辅助函数讨论Laplace算子的Dirichlet特征值估计,得到的不等式包含了已有的特征值估计,并可导得一些新的不等式。 相似文献
127.
本文从实际考虑提出了一种使分散控制系统稳定的新方法。这是一种最优的稳定方法。它不仅使反馈控制器的结构具有站间的通讯费用最低的特点,而且也使控制结构有最少的通道数。数值计算的例子表明了本文所提方法的正确性和可操作性。 相似文献
128.
129.
130.
杨松林 《苏州大学学报(医学版)》2003,19(2):1-7
讨论了C—Bezier曲线的端点特性和曲线的性质,给出了C—Bezier曲线和Bezier曲线的G^1光滑拼接和G^2光滑拼接的几何条件,并利用C—Bezier曲线精确地表示二次曲线. 相似文献