氧化铝超细粉体的表面吸附改性

本文选用十二烷基苯磺酸钠（SDBS）,氯化十四烷基吡啶为改性剂,探讨其在Al2O3／H2O的固液界面上的吸附等温线,同时测定了Zeta电位与粒子平均孔径讨论其吸附机理;为考察改性效果测定了样品的红外光谱、粉末接触角、悬浮体的稳定性,粒子平均大小等物化性质．     

酚醛树脂泡沫材料的填充改性及其性能研究

用氢氧化铝粉末对泡沫酚醛树脂材料进行填充改性,并对其主要性能进行研究．结果表明,填充改性能提高酚醛泡沫材料的抗压强度,其导热系数随温度和密度的升高而增大,泡沫材料在深冷情况下表现出优异的绝热性能．同时对酚醛泡沫材料的燃烧性能进行了考察,其临界氧指数高达４７,在高于１５０℃环境温度中有自燃的危险,１５０℃以下可安全使用．     

摩擦和传热联合作用下等截面喷枪内气体的流动特性——(Ⅰ)基本方程及计算程式

基于可压缩流体动力学和热力学及传热原理,导出了表征摩擦和热源联合作用下管式和套管式等截面喷枪内气体流动特性的基本方程和计算公式;对18t AOD炉用套管式喷枪内的气体流动,较合理地确定了喷枪内壁温度和气体滞止温度沿管长的分布,以及吹炼过程中喷枪的摩擦系数;给出了不同流态下喷枪内气体流动特性的计算程式.     

The Relation between the Sensitivity and HeatingVoltage of ZnSnO 3 Gas Sensor

对ＺｎＳｎＯ３气敏元件特性的测试结果表明,元件灵敏度随加热电压的变化而变化．当加热电压小于某一特定值ＶＨ０时,灵敏度不变;当加热电压大于３倍ＶＨ０时,灵敏度降低,元件失效。通过Ｘ射线衍射和ＳＥＭ二次电子能谱等检测实验,找出了气敏元件灵敏度降低的原因．     

硫酸钡改性新型甲基化环糊精毛细管色谱柱柱行为的研究

在硫酸钡微晶对毛细管内壁改性的基础上,系统制备了甲基环糊精与不同混合固定液的毛细管色谱柱,从柱的分离选择性,惰性,柱效和分析准确性等方面作了较为系统的研究,并对环糊精的分离机理作了初步探索。     

氧化物和盐类在分子筛内外表面及孔穴中的自发分散及？…

氧化物和盐类可在分子筛内外表面及孔穴中自发形成原子水平的分散,原因是分散后体系的熵可大大增加,同时在表面生成的新键,其强度和未分散时化合物内部的键强度不相上下,结果导致体系的总自由能下降。熔点较低的化合物的分散可通过它们与分子筛混合在适当温度下加热来实现;熔点较高的化合物的分散,则需要通过用其溶液浸渍分子筛后烘干和热分解来实现。     

激光热致相变核-壳微胶囊的合成与性能

以甲基丙烯酸甲酯作为主要的核单体，甲基丙烯酸缩水甘油酯作为壳单体，叔胺盐作为壳的改性剂，合成了平均粒径为55nm具有激光热致相变性能的核壳微胶囊。用红外光谱对其结构进行了表征；用透射电镜观察了微胶囊形貌；用示差量热分析法、热重分析法测定了热性能、接触角仪测定了相变前后的亲水性，探讨了对相变效果的影响因素。核聚合物的玻璃化转变温度为56.2℃，壳聚合物的玻璃化转变温度为85.3℃；该微胶囊感激光后发生相变，接触角由初始的20°变为93°。     

魔芋葡甘露聚糖的纯化及羧甲基化改性研究

通过对魔芋葡甘露聚糖提纯方法的比较，提出一种魔芋葡甘露聚糖提纯的改进方法．研究了提纯的魔芋葡甘露聚糖用氯乙酸改性，其改性的合理条件为：1g经纯化的魔芋葡甘露聚糖，加入85％的乙醇10mL,40％的氢氧化钠25mL，加热1．5h后，再加入83％的氯乙酸5mL，反应2．5h．     

掺锰改性(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.94)(Ba_(0.5)Sr_(0.5))_(0.06)TiO_3压电陶瓷的性能和微结构

采用传统陶瓷生产工艺制备了新型(Bi0.5Na0.5)0.94(Ba0.5Sr0.5)0.06Ti O3 x(wt%)MnO2体系无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的晶相结构、表面形貌、压电和介电性能.结果表明,该体系具有单一的钙钛矿结构;具有良好的压电性能,其压电常数d33为101pC/N,机电耦合系数kp为0.21,机械品质因素Qm为192,且具有较低的介质损耗(tanδ=0.0217).在1200℃,2h的烧结条件下,能够获得致密的陶瓷体;MnO2的添加量对晶粒生长具有一定的限制作用,随着Mn元素的含量增加,晶粒尺寸变大;与不添加Mn元素的陶瓷样品相比,添加少量Mn元素可以使晶粒尺寸变小,且更均匀.     

铋层状结构压电材料的掺杂改性研究

作者以CaBi4Ti4O15为研究对象,通过对A位选择Nd3 部分替代Bi3 或者Ca2 ,以及用V5 和W6 取代部分B位的Ti4 的掺杂改性,研究了不同掺杂元素及掺杂位置对材料结构和性能的影响.结果表明,A位和B位均能通过提高剩余极化和降低矫顽场,来改善陶瓷的压电性能;A位比B位有更高的掺杂固溶量,可获得更好的铁电和压电性能,剩余极化2Pr高达20.4μC/cm,压电常数d33高达20pC/N.