一种针对彩色JPEG图像的安全隐写算法

为进一步增强载密彩色JPEG图像的安全性,提出一种针对彩色JPEG图像的安全隐写算法.算法把原始彩色JPEG图像的每个8×8分块进行DCT变换后,对各块中具有相同频率的R,G,B各分量的AC系数用密钥控制生成一个近似服从高斯分布的整数序列进行整除取余,将余数的LSB构成序列brbgbb,对brbgbb采用矩阵编码嵌入秘密信息.实验结果表明:与同类算法相比,该方法对彩色JPEG图像可提供较大的嵌入容量,载密彩色JPEG图像具有较好的视觉质量,且能够抵几种常见的隐写分析方法.     

一个半离散非单调核逆向的Hilbert型不等式

应用权系数的方法及参量化思想, 建立一个具有最佳常数因子的、半离散且非单调核逆向的Hilbert型不等式,并考虑了它的引入多参数的最佳推广式及等价式．     

厌氧氨氧化反应器启动及污泥产率系数测定

在膨胀颗粒污泥床中接种厌氧颗粒污泥,采用间歇进水、间歇出水方式运行210 d,成功启动了厌氧氨氧化反应器.在总氮容积负荷为0.11 kg/(m3*d)下,氨氮去除率达75%,亚硝酸盐氮去除率达85%,污泥颜色由原来的黑色渐渐变为棕色,厌氧颗粒污泥逐渐解体,新的厌氧氨氧化污泥颗粒粒径较小.氨氮、亚硝酸盐氮去除量和硝酸盐氮生成量的比例为1:1.1:0.18.在对厌氧氨氧化过程电子流分析基础上,建立了厌氧氨氧化细胞产率系数与NH 4、NO-2去除量和NO-3生成量之间的计量学关系,估算出厌氧氨氧化菌产率系数为0.080 mol CH2O0.5N0.15/mol NH 4.     

合欢组织培养及快速无性繁殖研究

以合欢叶总柄为材料,在无菌接种箱内,对材料进行表面消毒,然后,将总柄切成小段,分别接于(1),(2),(3)MS号的三种培养基上,对其进行愈伤组织诱导和芽的分化,当愈伤组织、芽形成后,再选择愈伤组织松散、芽生长一致的组块,分别转接到(4),(5),(6)号改良MS培养基上,进行芽苗增殖和壮苗筛选培养,当选出芽分化率高,苗多而壮的最佳培养基后,最后,选择生长-致的无根苗,转接到(7),(8),(9)号三种改良MS生根培养基上,筛选出适于最佳无根苗的生根培养基.经实试验结果表明:(2)号MS培养基,是诱导愈伤组织诱导快,分化率高的培养基;(5)号改良MS培养基,是出芽,增苗,壮苗最佳培养基;(8)号改良MS培养基,是较好的生根培养基,它生根快,愈伤组织小,根较多而壮,是本次实验较好的生根培养基.     

曲利本蓝光度法测定西索米星及小诺霉素的含量

建立了测定小诺霉素及西索米星的曲利本蓝分光光度法.在酸性介质中,曲利本蓝(TRB)与西索米星(SISO)、小诺霉素(MIC)反应生成蓝色离子缔合物.最大正吸收波长位于680(SISO)和682 nm(MIC),表观摩尔吸光系数(ε)为1.12×104(SISO)和7.10×103(MIC) L·mol-1·cm-1,线性范围为0.1-9.0(SISO)和0.2-8.4 mg/L(MIC);最大负吸收波长均位于588 nm,表观摩尔吸光系数(ε)为7.80×103(SISO)和1.40×104(MIC)L·mol-1·cm-1,线性范围为0.1-9.0(SISO)和0.1-9.3 mg/L(MIC);当用双波长叠加测定时,灵敏度会更高.探讨了适宜的反应条件、主要分析化学性质、络合比及应用.     

均布荷载作用下梁拱组合桥梁的实用计算

将外部静定、内部高次超静定的梁拱组合桥梁分解成梁拱闭合体和吊杆两种构件,并且将吊杆力假定为膜张力,通过力学方法求解得到下承式梁拱组合体系在均布荷载作用下挠度计算的实用公式及其修正系数,为设计人员理解梁拱组合体系的受力特性,在概念设计阶段确定较合理的结构参数提供了理论依据.     

共沉淀纳米掺杂制备ZnO压敏电阻数学模拟

从多种离子反应平衡角度,对氨法共沉淀过程进行了理论分析,并在此基础上提出了氨法共沉淀的数学模型和计算方法.对ZnO压敏电阻粉体共沉淀反应中的只能与OH-络合的金属离子(B类离子)的单体沉淀、共沉淀,以及A类(既能与NH3也能与OH-络合的金属离子)、B类离子的共沉淀进行了理论分析和模拟计算,得到了沉淀反应中沉淀系数、络合反应系数及pH值和氨水添加量之间的关系.     

基于PLC的混合型模糊PID在胶温控制系统中的应用

从一类工业过程控制对象出发,针对传统PID控制存在的设定值跟随特性不佳的问题,设计出一种基于变设定值权重思想的新型混合模糊PID控制器,该方法通过模糊系统的输出在线修正PID控制器比例作用部分设定值的加权系数,使系统的目标值跟随特性得到改善,并通过MATLAB仿真和PLC编程两种方式加以实现,结果表明本文所设计的控制器不仅响应速度快,而且超调量小,具有很好的设定值跟随特性,在模拟运行中亦取得了优于传统PID控制器的效果.     

高能有效真二次电子发射系数与逸出深度和入射角的关系

根据金属二次电子发射的主要物理过程和有效真二次电子发射系数的定义,从理论上论述了高能原电子斜射入金属发射体内的金属的有效真二次电子发射系数的表达式,然后又根据高能原电子斜轰击金属并激发产生二次电子发射的特点,推导出金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度和高能原电子入射角度的关系式.对结果进行了讨论并得出结论:当高能原电子斜射入金属发射体内时,金属的有效真二次电子发射系数与高能原电子的入射角的余弦函数近似成反比,金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度近似成正比.     

中国居民银行储蓄模型及增长行为

本文基于对中国居民储蓄-消费行为的定量分析,构建了一个新的储蓄-消费模型,据此讨论了储蓄额正、负增长的波动性与周期性。与已有模式相比,该数学模型引入了反映银行收取存款手续费用的因子,称之为储蓄系数;在利率调整的同时,适当注意储蓄系数的调节作用,有利于抑制储蓄和扩大消费。