单晶金属石在铁基合金中的性态与行为

将金刚石单晶孕镶在Ｆｅ基合金中，在一定条件下烧下，发现金刚石受到明显刻恂，但晶体结构和强度未变，刻蚀在金刚石与结合剂的界面发生，它是金刚石晶格中的Ｃ原子溶入Ｆｅ，并在其中扩散的过程。适当控制这一扩散过程，将使Ｆｅ基结合剂的金刚石工具获得优良性能。     

丝网印刷酸刻蚀制作装饰铝板

本文提出采用耐酸油墨丝网印刷所需图案,混合酸刻蚀制备装饰性铝板的新方法.     

模拟离子刻蚀过程3维表面演化方法

为了进一步研究刻蚀工艺机理来指导和优化刻蚀工艺,该文利用3维元胞自动机模型来实现表面演化方法,模拟等离子体刻蚀加工工艺,并着重探讨离子刻蚀过程的模拟。改进光线跟踪加速技术,提出了最近边界优先移动法实现刻蚀离子入射轨迹的计算;根据3维元胞自动机模型中表面演化特征,提出了一种邻域驱动拟合法来计算表面法线。实验结果表明,这些方法可以明显提高模拟方法的效率,满足快速仿真的要求。将该方法应用到实际硅刻蚀工艺的3维表面演化模拟,实验与模拟结果的对比也验证了该方法的有效性。     

硅纳米电极超低电压场致电离特性研究

用湿法化学刻蚀制备出具有直立结构的硅纳米线,其平均长度为20μm,平均直径100 nm.将该硅纳米线作为电容式电离结构的一维纳米电极,建立场致电离的测试系统,并在常温常压下测试出电离的全伏安特性,得出了一维纳米电极系统气体电离的规律.测试结果表明,利用湿法化学刻蚀制备的硅纳米线作为一维纳米电极,可以大大降低系统的击穿电压,原因在于它具有较高的场增强因子、小尺寸效应以及高的缺陷密度.     

湿法刻蚀制备铌酸锂锥形脊波导

采用由质子交换辅助湿法刻蚀技术,在Z切铌酸锂晶体上成功制备锥形脊波导.该波导脊高为1.2μm、脊宽从4μm增大至8μm,插入损耗4.4 dB.波导表面光滑,表面粗糙度为0.84 nm,没有出现塌边或横向刻蚀的现象.波导宽度从4μm增大至8μm,模式尺寸在水平方向上从4.3μm增大至6.8μm,在垂直方向上从3.2μm增...     

胶体刻蚀技术简介及其应用探索

近年来,具有特殊功能的微观图案化表面引起了人们浓厚的研究兴趣,并被广泛应用于微反应器、生物传感器、微电子器件、光学器件以及生物界面等领域。在众多微观图案化表面的构筑方法中,胶体刻蚀技术备受人们关注。本文对胶体刻蚀技术的进展及其应用进行了综述,并对其发展趋势进行了展望。     

蓝宝石湿法刻蚀各向异性特征的试验

针对蓝宝石晶体复杂的各向异性刻蚀特性,致使其刻蚀演化过程和结果难以预测和控制等问题,利用刻蚀半球法,获得了蓝宝石晶体在温度为(245±3)℃,体积比为V(98%H_2SO_4)∶V(85%H_3PO_4)=3∶1的混合浓酸溶液中刻蚀的全晶面刻蚀速率.对比分析了典型掩膜形状下的刻蚀微结构特征,探寻了速率各向异性特征与微结构刻蚀成型结构面之间的联系.结果表明:蓝宝石全晶面刻蚀速率呈现典型3次对称和多极值分布,且赤道附近刻蚀速率极低;浓磷酸作为刻蚀缓冲剂可以显著减少刻蚀过程中各类微观凸起的产生,有效提高微结构表面加工质量.     

XeF2对SiO2/Si的干法刻蚀

XeF2是一种可以在常温下与硅发生反应的气体,可用作对硅进行干法刻蚀的工作气体,其对硅刻蚀特性呈现各向同性.研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,刻蚀系统简单且操作容易.利用该系统成功地刻蚀出"蘑菇状"的SiO2/Si结构,得到的刻蚀选择比大于1000.     

MEMS器件用叠层镍间结合强度的研究

针对MEMS器件用叠层镍间结合强度差这一难题,开展了基于盐酸化学刻蚀提高叠层镍间结合强度的工艺研究.主要考查了不同盐酸浓度、处理温度等对镍层层间结合强度的影响规律.借助SEM、Veeco轮廓分析仪等观察断面,分析结合强度改善的原因.结果表明:在45℃的温度下,经过50%HCl、10 min的化学刻蚀,叠层镍间结合强度达到567.7 MPa,比未经化学刻蚀处理的叠层镍间结合强度提高了6倍.通过SEM、Veeco等分析手段,初步解释了结合强度提高的原因.