氩离子束刻蚀制作大面阵微透镜阵列

对制作大面阵微透镜阵列的氩离子束刻蚀技术进行了讨论和分析．实验结果表明,衬底材料不同时,制作表面形貌良好并具有预定参数指标要求的微透镜阵列的工艺条件有明显的差异,给出了在几种衬底材料上刻蚀制作面阵微透镜阵列的离子束刻蚀速率与离子束能量之间相互关系的实测结果．     

利用约束刻蚀剂层技术提高硅的化学刻蚀分辨率

高分辨率刻蚀技术对于微机械及微电子器件的加工具有十分重要的意义.虽然光刻技术仍处于主导地位,但近年来许多新颖的微加工方法相继问世.其中,扫描电化学显微镜(SECM)用于表面加工的研究颇受注目.SECM刻蚀的主要原理是,利用精密定位系统使微电极接近样品表面,微电极电生刻蚀剂,刻蚀剂扩散到样品表面发生刻蚀反应,产生刻蚀图样.SECM刻蚀分辨率主要取决于微电极的尺寸,但刻蚀剂的横向扩散往往会对SECM的分辨率产生较大影响最近,田昭武等人提出了一种可进行高分辨率微加工的新方法——约束刻蚀剂层技术(CELT).其主要思路是在溶液中加入可与电生刻蚀剂快速反应的“捕捉剂”,使刻蚀剂的寿命大幅度缩短,其扩散层急剧变薄,从而可使刻蚀反应具有高度的距离敏感性,刻蚀分辨率得到极大改善.     

转动竖直镜面的微机械光开关

提出并制作了转动竖直微镜的微机械光开关，采用曲线形状的电极设计，有效地减低了悬臂梁驱动器的吸合电压，采用体硅深刻蚀技术结合(110)硅的各向异性腐蚀技术制备了光开关芯片和耦合对准的U形槽和卡簧。芯片经初步封装后进行了电学测试和光学测试，测得吸合电压78．5V，谐振频率2．3kHz，光开关损耗5dB，隔离度45dB。     

矩形平面直流磁控溅射装置工作区域磁场分析

通过分析磁场对磁控溅射过程的影响,总结出了矩形平面直流磁控溅射装置工作区域磁场的设计原则,并给出了两种磁体结构.采用有限元方法对一套装置的磁场进行了计算,磁场计算结果与测量值吻合较好.基于上述分析计算,研究了磁场分布对靶材刻蚀形貌的影响,并进一步提出了具体的磁场改进措施.采用分流条垫补方法可以改进磁场分布,如果磁场水平分量呈马鞍形分布,靶材的利用率可以提高,采用磁极斜面结构对磁场分布的改进意义不大.另外,错开磁体间安装接缝和对永磁体精确充磁能够有效提高工作区域磁场分布的均匀性.     

条形射频源大口径离子束刻蚀机性能(英文)

针对大尺寸基底往复扫描条形离子束来实现大面积刻蚀的特点,实验测试了基于射频感应耦合等离子体离子源大型离子束刻蚀机的性能.利用法拉第筒扫描探测系统在线测量束流密度,通过控制气体流量、调节加速电压等,得到了纵向束流密度±5.3%均匀性的较好结果.刻蚀实验表明40 cm长度范围刻蚀深度均匀性为±5.4%,同时具有较好的束流稳定性.添加束阑,并结合掩模修正束流,会得到更好的束流密度与刻蚀深度均匀性.     

激光刻蚀与化学腐蚀结合法制备量子线(点)结构

目前制备量子线(点)主要采用微细加工或自组织方法，但存在沾污或分布规律不可控等局限性．介绍了一种既可避免这些缺点而且简单易行的方法：利用激光刻蚀与化学腐蚀相结合的方法，在InP单晶片上刻蚀出了台宽为1μm且分布规则的条状结构和网格结构，通过化学方法进一步腐蚀后，可使台宽减小到160nm左右．     

化学刻蚀法制备铝合金基超疏水表面

采用简单化学刻蚀法对铝合金基体进行腐蚀,得到了粗糙表面.然后对铝合金粗糙表面进行氟化处理,得到了具有超疏水的表面.研究了不同刻蚀时间以及不同刻蚀液浓度对表面疏水效果的影响.结果发现:在实验的参数条件下,不同刻蚀时间下,接触角随着氢氟酸刻蚀时间的增加,先增加后减少,当氢氟酸刻蚀时间为7 min时,所得试件水的接触角最大.不同刻蚀液浓度下,接触角随着盐酸浓度的增加,先增加后减少.当盐酸浓度为4 mol/L时,所得试件水的接触角最大.     

纳米级电子束光刻技术及ICP深刻蚀工艺技术的研究

对100kV高压电子束光刻系统的曝光工艺进行了系统研究,针对正性电子束抗蚀剂ZEP520A进行了工艺参数的优化,在具有合理厚度、可供后续加工的光刻胶上获得了占空比为1：1,线宽为50nm的光栅图形.针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了刻蚀腔体气压、电极功率、气体流量等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了线宽为100nm,占空比为1：1,深度为900nm的光栅图形,光栅的边壁波纹起伏小于5nm.100nm以下深硅刻蚀技术的发展,有利于工作区域在可见光范围的纳米光学器件的制备.     

Fe对金刚石刻蚀反应的相分析

研究了９５０℃保温６ｍｉｎ时Ｆｅ对金刚石的刻蚀反应，用ＡＥＳ微区成分分析给出了金刚石晶格中的Ｃ原子，自金钢石与Ｆｅ的相界面溶入Ｆｅ中的分布，并通过ＡＥＳＣＫＬＬ谱确认了溶入Ｆｅ中Ｃ的存在状态是石墨，而无碳化物相形成。