基于镍基刻蚀剂分步刻蚀微锥形阵列工艺方法

聚焦于金属阵列锥形结构高精度、高表面质量、高阵列一致性制造,提出一种分步式电解加工方法,通过开展一次掩膜电解加工正交优化实验和二次电解表面修整工艺优化,最终实现高精密微锥形阵列结构制造.结果表明:较长的加工时间和较大的电流可加工出小顶端直径、大高径比的微锥形阵列结构;镍基刻蚀剂可避免微锥形阵列结构过度腐蚀,提高表面光滑...     

利用原子力显微镜在Au-Pd合金膜上制备纳米结构

利用自行开发的ＳＰＭ刻蚀系统在Ａｕ－Ｐｂ合金膜上成功地机械刻划出纳米尺度的孔洞,沟槽和复杂的图形,最小线宽达２ｎｍ,该系统可以很方便地用来加工所需要的任意纳米图形,并且ＡＦＭ图象表明机械刻划出来的纳米结构非常清晰,真实地反映出待刻图形的细节而没有变形,这说明该刻蚀系统具有较高的可靠性和可控性。同时,实验结果表明我们制得的Ａｕ－Ｐｄ合金膜非常平整并具备优良的机制刻划性能,它可以被用作制备纳米器件的掩     

TMAH硅湿法刻蚀剂中异丙醇与氧化剂的协同作用

四甲基氢氧化铵(TMAH)是一种在微机电系统加工中常用的硅湿法刻蚀剂。在对含有铝结构表面的硅器件进行湿法刻蚀时,需要在TMAH溶液中添加一定量的硅酸和氧化剂,以保护器件表面的金属铝,但这会降低硅表面的光洁度。本文在含硅酸的TMAH溶液中同时添加过硫酸铵和异丙醇2种物质,研究其对TMAH刻蚀作用的影响。研究结果表明,2种物质的协同作用能够显著提高硅刻蚀表面的光洁度。     

聚合物微透镜阵列制作及单片集成应用研究

以聚酰亚胺和聚二甲基硅氧烷两类材料为例,研究了聚合物微透镜阵列的制备工艺以及与CCD图像传感器芯片的单片集成工艺,阐述了光学聚合物用于单片集成应具有的材料性能,对热熔产生的光刻胶微透镜阵列进行反应离子刻蚀得到了这两种聚合物材料微透镜阵列。     

台面刻蚀对电力SITH器件特性的影响

分析了台面刻蚀程度对埋栅型SITHI-V特性的影响,表明台面刻蚀不足或过蚀程度太深都可能造成栅电极电压不能有效施加到栅体上,从而限制了栅体的控制能力,影响器件性能,严重时会导致特性异常,这是影响器件成品率的一个重要因素.台面刻蚀必须刻透外延层并适当过腐蚀,过腐蚀程度宜控制在栅体结深的1/10左右.     

基于AFM针尖电化学刻蚀的金纳米电极制备

利用导电原子力显微镜针尖, 对组装在单晶硅上的有序长链硅烷(OTS)单分子膜进行微区电化学氧化, 非破坏地改变其表面甲基为羧基, 形成线宽、间距在纳米量级且可控的梳状结构模板. 然后通过镉离子吸附, 与硫化氢(H₂S)气体反应, 生成硫化镉(CdS)线, 继续与氯金酸(HAuCl₄)反应, 形成金纳米结构. 通过导电原子力显微镜测试, 发现其具有较好的导电性, 可以作为纳米电极.     

刻蚀条件对石英各向异性刻蚀特征的作用机理及KMC数值模拟

针对石英晶体各向异性湿法刻蚀复杂的各向异性刻蚀特性,致使刻蚀演化过程和结果难以预测和控制,利用刻蚀半球法得到了石英在多种体积比刻蚀溶液中和不同温度条件下的全晶面刻蚀速率,分析了刻蚀条件的改变对于石英刻蚀各向异性特征的影响作用,并从晶面活化能角度解释了刻蚀各向异性的成因.在形貌预测方面,通过对石英晶体x轴(电轴)和y轴(机械轴)上主要晶面原子排列和速率特征的分析,建立了以基于石英的移除概率函数(QUARTZ-RPF)方程为刻蚀依据的KMC仿真模型,实现了对不同刻蚀条件下的全晶面刻蚀速率及Z-cut切型晶片任意掩膜下刻蚀结构和表面形貌的精确模拟.     

BST薄膜的湿法化学刻蚀工艺优化及应用初探

采用sol-gel法在SiO2/Si衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)薄膜.利用湿法化学刻蚀技术对BST薄膜进行图形化.通过实验结果对比,选择HF/HNO3/H2O2/H2O(体积比为1∶20∶50∶20)的混合液作为最佳刻蚀液.扫描电镜(SEM)结果表明,刻蚀后BST薄膜表面干净,无残留物,图形轮廓清晰.原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)结果显示,刻蚀后BST薄膜表面粗糙度增大,结晶性退化.对刻蚀后的薄膜在600℃后退火处理,能要在一定程度上恢复其表面形貌和结晶性.应用优化工艺制备BST薄膜阵列,采用剥离法将Au,Ni/Cr和Pt/Ti电极进行微图形化.最后,成功地制备了Au/Ni/Cr/BST/Pt/Ti/SiO2/Si结构的8×8元的红外探测器阵列.     

脉冲Nd:YAG激光刻蚀牙釉质对牙釉质形态及其抗剪切强度的影响

目的:研究激光刻蚀牙釉质对其形态的影响,测量激光刻蚀釉质后其抗剪切强度能否达到临床要求.方法:选择55颗离体前磨牙,随机分为5组.实验组4组分别接受不同电流强度的激光照射.对照组用体积分数37%磷酸酸蚀.5组每组随机抽取一颗离体牙进行电镜扫描.其余50颗离体牙黏结金属托槽,测量抗剪切强度.结果:对照组釉质表层均匀脱钙,呈凹凸不平的粗糙面,实验组可以看到类似的效果.实验组和对照组两两比较抗剪切强度存在统计学差异(P<0.05).结论:①扫描电子显微镜(SEM)证实激光刻蚀釉质可以获得与体积分数37%磷酸酸蚀相似的微观结构.②激光刻蚀釉质后黏结托槽其抗剪切强度并不能达到临床治疗要求.③激光刻蚀釉质对髓腔温度的影响与其对抗剪切强度的影响成反比关系.     

多层交替沉积后退火处理MgB2超导薄膜上约瑟夫森结的制备

在多层交替(SiC/[Mg/B]5)沉积后退火处理的MgB2薄膜上用紫外光刻和Ar离子刻蚀制作出SQUID环路膜条,然后用聚焦离子束(FIB)刻蚀方法在SQUID的环路上制作了150～300nm之间不同尺寸的纳米微桥结构,并测量了其电阻温度(R-T)曲线和电流电压(I-V)曲线.膜条的R-T曲线与薄膜基本相同,表明薄膜没有受到膜条制备过程中潮湿的影响.对SQUID的R-T关系测量发现电阻有较大升高,并看到由纳米微桥的存在而具有的结构.SQUID的I-V曲线表明,纳米微桥形成了弱连接,超流主要体现为约瑟夫森耦合电流.其中一个150nm宽纳米微桥的SQUID,其回滞消失的温度约为10K,在此温度下,得到临界电流Ic约为4.5mA,IcRN～2.25mV,单个纳米微桥结的临界电流密度约为1.5×107A/cm2.临界电流Ic随温度以幂指数关系变化,也验证了纳米微桥的弱连接特性.我们的实验对基于MgB2薄膜的约瑟夫森器件制备具有参考价值.