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191.
通过简单的一步水热碱性刻蚀,然后经低表面能物质1H,1H,2H,2H-全氟辛基三乙氧基硅烷修饰,成功获得了具有超疏水性质和高透光率的玻璃表面.考察了刻蚀温度和刻蚀时间对玻璃润湿性和透光性的影响.结果表明,随着刻蚀温度的升高或刻蚀时间的增长,玻璃表面的疏水性越好;在所考察的刻蚀温度和刻蚀时间范围内,随着刻蚀温度升高或刻蚀时间增长,样品的透光率先增大后减小.此外,分析并讨论了玻璃表面微观结构对样品润湿性和透光性的影响.本研究在120 min,85℃实验条件下,获得了接触角为152°,滚动角小于4°,最大透光率达98.1%(537 nm)的玻璃表面. 相似文献
192.
犁铧钢仿生表面对水接触角的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
为了提高犁铧钢表面对水的接触角,利用电子显微技术采集荷叶表面微观形貌,运用图像边缘Sobel算子提取其特征,在犁铧钢表面进行仿荷叶表面微观形貌的激光刻蚀处理。单因素试验中,激光刻蚀各因素对犁铧钢与水接触角的影响满足二次曲线规律变化,确定了接触角提高的范围。通过正交试验,建立了接触角与各因素间的回归模型,确定了最优工艺参数组合,即图像阈值为125、图像比例为29%和电流为13.3A,其最优接触角为75.50°。 相似文献
193.
采用动态光散射(DLS) 、透射电镜(TEM)以及冷冻刻蚀透射电镜(FF-TEM)研究双子烷基苯磺酸盐DSDBS-2在水溶液中的聚集行为.结果表明: DSDBS-2的质量分数在(10~15)w_(cmc)(w_(cmc)为DSDBS-2临界胶束浓度)时,溶液中有大量的球状胶束、棒状胶束、椭球状胶束和囊泡共存,微粒粒径在50~75 nm之间居多;当其质量分数为20w_(cmc)时,观察到大量的囊泡结构;当其质量分数为200w_(cmc)并加热至60 ℃超声波分散时,溶液中囊泡数量急剧减少;DSDBS-2在低质量分数时就形成囊泡聚集体与其独特的结构有关. 相似文献
194.
195.
利用四极质谱和离子能量分析器,测定了紫外激光刻蚀PVC塑料产生的分子,原子和离子产物的质量分布和各种离子的平动能分布,研究了激光通量对刻蚀的影响,发现离子的产生需要比中性产物有更高的激光阈值,讨论了紫外激光对PVC塑料的刻蚀剥离机理。 相似文献
196.
一、引言反应离子束刻蚀是在离子束刻蚀基础上发展起来的具有广泛应用前景的微细加工技术.近年来,已被用来制作全息闪耀光栅.二、实用全息闪耀光栅反应离子束刻蚀全息闪耀光栅制造工艺请参阅文献[2],在石英基板上涂美国Shipley公司AZ1350胶的感光灵敏度峰值为260nm处,并随波长增长而感光灵敏度降低.现有氦镉激光器产生的441.6nm波长或氩离子激光器产生的457.9nm波长均可使用,但较理想的是325nm或更短的接近峰值波长.刻蚀装置采用冶金所自制的反应离子束刻蚀镀膜装置.选择合适的刻蚀工艺参数,在涂有浮雕光栅掩膜条纹的石英上进行反应离子束刻蚀,已刻蚀出国内第一批实用石英全息闪耀光栅,光栅面积为45×45mm~2,空间频率为1200l/mm.经测试:一级衍射效率为75%,一级波面象差λ/8,杂散光2.5×10~(-7),无鬼线,分辨率达理论值87%.所选择的刻蚀工艺稳定重复,成品率高. 相似文献
197.
采用CF4/O2作为刻蚀气体,对不同工作压强下ICP刻蚀SiC材料的刻蚀速率以及随之引入的刻蚀损伤进行了研究.结果表明,随着工作压强的增加,ICP刻蚀S iC材料的速率先缓慢增加,然后急剧降低.通过XPS光电子能谱分析发现刻蚀后样品表面的F、O含量均有所增加,表面污染加剧,刻蚀引入的损伤随着工作压强的增加而增加. 相似文献
198.
采用KOH高温刻蚀法制备多孔石墨烯.通过扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD),拉曼光谱,红外光谱(FTIR)比表面积(BET)对刻蚀前后石墨烯的表观形貌,晶体结构,化学组成进行分析.结果表明,处理后的石墨烯比表面积比原石墨烯增加到821 m2·g-1.利用气相沉积法对多孔石墨烯进行表面改性后,对水的静态疏水角可达158°,对多种有机溶剂显示了优异的选择性吸附性能. 相似文献
199.
采用XPS 方法, 通过对刻蚀前后BST(钛酸锶钡)薄膜表面成分、元素化合态以及原子相对百分含量分析, 探讨了CHF3/Ar 等离子刻蚀BST 薄膜的RIE(反应离子刻蚀)机理. 研究结果表明, 在刻蚀过程中, 金属Ba, Sr, Ti 和F 等离子体发生化学反应并生成相应的氟化物且部分残余在薄膜表面, 因为TiF4 具有高挥发特性, 残余物几乎没有钛氟化物. 然而, XPS 表明Ti-F 仍然少量存在, 认为是存在于Metal-O-F 这种结构中, 而O1s 进一步证实了Metal-O-F 的存在.基于原子的相对百分含量, 我们发现刻蚀后薄膜表面富集氟, 源于高沸点的氟化物BaF2 和SrF2 沉积, 导致刻蚀速度仅达12.86 nm/min. 同时并没有发现C-F 多聚物的形成, 因此去除残余物BaF2 和SrF2 有利于进一步刻蚀. 针对这种分析结果, 本文提出对BST 薄膜每4 min 刻蚀后进行1 min Ar 等离子体物理轰击方案, 发现残余物得以去除. 相似文献
200.