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121.
赵勇 《安徽师范大学学报(自然科学版)》2024,(1):27-32
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作为绝缘栅控制的开关型器件,因其功率大,驱动简单,应用越来越广泛。采用深槽刻蚀填充技术设计的650 V高压型超结结构MOSFET器件,主要应用于汽车充电桩等电源管理,力求在保持参数不变的前提下,优化导通电阻。通过工艺仿真技术测试功率MOSFET器件的性能,研究了槽偏移距离以及掺杂浓度对导通电阻和击穿电压的关系。结果表明,槽偏移会导致超结部分的电荷不平衡,槽偏移不论正负,只要是在同一水平位置,那么两者的总电荷数就是不同的。在柱宽不变的情况下,随着浓度的增加,其击穿电压和导通电阻都缓慢下降,并且导通电阻随着掺杂浓度的提高而降低。本研究对半导体领域器件设计优化和提升具有一定的参考意义。 相似文献
122.
谢东珠 《上海师范大学学报(自然科学版)》2005,34(3):42-45
报道了TiNi薄膜的聚焦离子束刻蚀特征及刻蚀后的表面形貌.测量结果表明薄膜的表面粗糙度随刻蚀深度呈非线性变化,当刻蚀深度等于0.1μm时,表面粗糙度为最小(5.26nm,刻蚀前为14.88nm);刻蚀深度小于0.1μm时,表面粗糙度随刻蚀深度的增大而减小;当刻蚀深度大于0.1μm时表面粗糙度随刻蚀深度增大而增大,其原因是刻蚀深度大于0.1μm后表面出现了清晰的周期性条纹结构.此外,表面粗糙度随聚焦离子束流的增大而减小,当离子束流为2.5nA时,表面粗糙度从刻蚀前的14.88nm减小到4.67nm. 相似文献
123.
124.
125.
为明确白云岩储层酸岩反应控制模式界限,以中亚某区块白云岩储层岩心为对象,开展酸岩反应动力学试验和数值模拟研究,并通过扫描电镜对比分析灰岩与白云岩酸蚀机制的差异;建立不同因素控制下的白云岩酸岩反应动力学方程,明确温度90℃、转速500 r/min为表面反应控制模式、表面反应和传质共同控制模式的界限.结果表明:相同试验条件... 相似文献
126.
随着聚焦离子束(focused ion beam, FIB)无掩膜微细加工能力的迅速发展,结合精确定位能力,FIB已成为新型且出色的纳米制造工具.对FIB无掩膜注入单晶硅衬底的注入效果与离子束流、注入剂量的关系进行研究发现,以固定能量注入的离子,当注入剂量恒定,离子浓度随深度的分布与离子束流大小无关;当离子束流恒定,注入离子的表面浓度随注入剂量的增加而增加,但是由于FIB注入的同时会刻蚀材料表面,注入剂量达到饱和值后,会造成材料一定程度的减薄. 相似文献
127.
以sol-gel法合成出的PMMA/SiO2杂化溶胶为加工对象,以聚二甲基硅氧烷为弹性印章,采用软刻蚀技术中的微模塑方法,在普通光学玻璃表面制备出了PMMA/SiO2杂化材料栅格状的微图形结构.扫描电子显微镜(SEM)、光学显微镜和扫描探针显微镜(SPM)的测试结果表明:所制得的光栅微结构清晰规整;以氦氖激光器(632.8nm)为光源,通过衍射实验,得到了清晰的光栅衍射图案. 相似文献
128.
使用聚焦粒子束(FIB) 在LiNbO3上刻蚀用于光子晶体的亚微米圆孔二维点阵, 研究了刻蚀束流、刻蚀时间和填充率等刻蚀参数对刻蚀结果造成的影响。为获得更好的刻蚀效果, 还采用了FIB的气体辅助刻蚀方法(gas-assisted etching , GAE) 。研究发现,与直接刻蚀结果相比,GAE 减小了反沉积效应, 得到了更好的孔形。禁带模拟计算表明, 与常规FIB 刻蚀出的锥形圆孔相比, 使用XeF2气体辅助刻蚀得到的这种侧壁更陡直的圆孔阵列构成的光子晶体禁带更趋近于理想光子晶体的禁带。 相似文献
129.
采用等离子束溅射轰击刻蚀和溴甲醇腐蚀对CdTe薄膜表面进行后处理.对比研究了2种腐蚀条件下CdTe薄膜的光谱特性.结果表明:等离子束溅射轰击刻蚀可以彻底清除CdTe薄膜表面的氧化层,刻蚀后的CdTe薄膜颗粒更为均匀致密,等离子体刻蚀与溴甲醇腐蚀相比,可以改善CdTe薄膜表面的粗糙度,增强薄膜的附着力,改善薄膜的性能. 相似文献
130.