二维纳米胶体球模板和Cu纳米颗粒阵列的制备

直径为500 nm的纳米球刻蚀模板是通过自组装法制备的.整个实验揭示了自组装过程的影响机制,并得到形状规则,排列均匀一致的单层胶体晶体掩模板.利用离子束溅射得到纳米环阵列,SEM图可以看出纳米环阵列大小均匀,完全按照预期的点阵结构排列.     

低温等离子体促进羊绒净洗的研究

为了开发和利用山羊绒,促进羊绒的净洗,我们用低温等离子体对它进行了处理。本文给出了实验结果,并初步分析了等离子体对羊绒纤维表面的作用。     

磁控溅射靶磁场的分布

用麦克斯韦方程，推导了射频磁控溅射靶磁场的数学表达式，并研究了靶磁场的三维分布规律，得到了磁控靶的磁场在中心圆环有较强的水平分量，边缘有较强的垂直分量的结果，计算结果与实验结果相符。     

凝胶微球复合调剖机理实验研究

通过玻璃刻蚀模型进行微观驱替实验,直观地分析了凝胶微球复合调剖过程及作用区域。基于核磁共振技术,设计了凝胶微球岩心驱替实验。对不同阶段驱替后岩心不同直径孔隙内的流体分布进行了研究,并对比凝胶微球复合调剖的优势。实验结果表明,凝胶微球复合调剖过程中凝胶优先进入高渗透层,驱替大孔隙中剩余油,并对大孔隙有封堵作用;则聚合物微球主要进入低渗层,增加了聚合物微球的利用率;并启动低渗透率层的原油,封堵了低渗层的主流通道,实现调剖驱油的双重目的。     

氨导致的聚对苯二甲酸乙二酯中的径迹增敏

研究氨水前处理聚对苯二甲酸乙二酯中潜径迹的影响，实验表明氨水处理显示增大径迹灵敏度，饱和增敏值与氨水温度和浓度无关。分析氨水增敏的原因，认为增敏随离子能损增大而增大，此实验表明氨水处理何避免有机溶剂处理带来的不便。     

脉冲约束刻蚀微加工理论探讨

本提出了脉冲约束刻蚀电化学微加工方法，从半无限和有限扩散脉冲约束刻蚀两个模型出发，从理论上探讨了它的可行性．     

用化学刻蚀技术研究热致性液晶聚合物的微结构(英文)

浓硫酸被发展用于刻蚀主链热致性液晶共聚芳酯B-N的条带织构,它对该液晶聚合物的向列织构有良好的选择性。用SEM和TEM揭示了微纤形态。特别是非平面构象、B-ET用高锰酸钾刻蚀也观察到微纤的条带织构。对微纤转弯处的优先刻蚀现象用PET富集解释。     

等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化

由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致, 使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移, 很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法, 可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹, 实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明, 离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面, 从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。     

60Si_2MnA油淬火回火钢丝制摇架弹簧的抗松弛性

基于不同的尺寸稳定化处理，探讨６０Ｓｉ２ＭｎＡ油淬火回火钢丝制摇架弹簧的松弛稳定性，测定了松弛曲线与残余应力，分析了材质、尺寸稳定化处理和刻蚀处理对松弛的影响．     

半导体技术的研究进展

随着世界范围内对半导体产品需求的持续上扬，半导体发展已到了黄金时期。本文从半导体硅制造工艺的研究进展、化合物半导体技术的研究进展和应用等方面进行了综述。