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201.
通过对1995—2005年间有关碳纳米管制备专题文献进行了统计分析,发现其制备研究在2004年达到高潮,高校和中国科学院各研究所为它的主要研究机构,其制备方法是以化学气相沉积法技术为主流。 相似文献
202.
在对环境协调性制备技术进行了概述的基础上,对目前最有希望的几种功能薄膜材料环境协调性制备技术分别进行了介绍,特别重点介绍了软溶液工艺技术的优势和发展趋势。针对上述功能薄膜材料的环境协调性制备技术的不足之处,对今后的发展方向提出了展望。 相似文献
203.
室温条件下,在碱性的Ca^2+、Sr^2+、Ba^2+溶液中,通过电化学阳极氧化制备了Ba1-x-yCaxSryMoO4多晶固溶体薄膜材料.采用XRD、SEM、XPS、FA(荧光分析)等测试手段分析了薄膜的晶相结构、表面形貌、化学组成及室温光致发光特性.研究表明室温阳极氧化法所制备的Ba1-x-yCaxSryMoO4固溶体薄膜具有四方晶结构,在紫外光的激发下,有较好的光致发光特性. 相似文献
204.
用阳极弧等离子体蒸发内含催化剂(Fe、Co、Ni)的石墨棒,合成单壁碳纳米管及管束,对产物进行热重分析、X射线衍射分析和Raman光谱分析等多方面表征.结果表明产物是结构缺陷少、纯度高、碳管直径均匀、准直、质量好的单壁纳米碳管及管束.给出阳极弧等离子体法制备高质量单壁碳纳米管的最佳条件为氦气压60 kPa,弧电流70 A,催化剂质量比w(Fe)∶w(Co)∶w(Ni)=1∶1∶1及良好的冷却条件.并计算出单壁纳米碳管的密度及杨氏模量随半径的变化关系. 相似文献
205.
206.
SOI( Silicon-on-insulator)被国际上公认为是“21世纪的硅集成电路技术”。SOI是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的、有独特优势的、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术。 SOI的重大突破 1998年8月,美国IBM公司宣布在世界上首次利用SOI技术成功地研制出了高速、低功耗、高可靠的微电子主流产品──微处理器等高性能芯片。紧接着,science杂志以及我国中央电视台新闻联播“中国科学报”等都相继作了报道。IBM的这一成果之所以引起如此大的轰动,是因为其不仅在世界上… 相似文献
207.
俞维湖 《南通工学院学报(自然科学版)》2009,(2):7-7
由南通大学化学化工学院华平教授等共同完成的“脂肪醇聚氧乙烯醚(9)辛基磺基琥珀酸混合双酯钠及制备方法”近期获得国家知识产权局颁发的发明专利证书. 相似文献
208.
《沈阳师范大学学报(自然科学版)》2010,28(3):F0002-F0002
“特种材料制备与应用技术”实验室成立于2003年,2009年被评为辽宁省重点实验室。实验室主任由曹中秋教授担任,副主任由张轲副教授担任,学术委员会主任由张国英教授担任。 相似文献
209.
210.
本文介绍409不锈钢金相制备的过程;总结了粗磨、细磨、抛光、浸蚀等操作步骤的注意事项;重点阐述了用混合酸浸蚀409不锈钢的实验原理、实验结果、实验注意事项。 相似文献