地方高校多校区合理利用研究

扩展型多校区是我国高等院校办学规模扩大过程中,通过自身筹建新校区而形成的新的办学 格局。各高校尤其是地方的高等院校在实践中又有诸多问题存在。针对这种扩展型地方高校如何合理利 用资源入手,分析现实中存在的各种问题,提出解决问题的方法对于我国高等教育的发展具有较为深远 的意义。     

Banach空间的K一致光滑性

对Banach空间给出了一种K一致光滑性的概念。证明了它与K一致凸性具有对偶性。同时还给出Banach空间成为K一致光滑空间的一个定量形式的充分条件．     

π-σ-π型双稳态分子器件的分子内电子转移及外电场效应

将由联苯阴离子和中性萘之间通过刚性环己烷所连接的经典的电子转移体系作一构象修正，得到一个新的π-σ-π型分子．UHF/6 -31G^**研究表明，新体系具有较高的能垒和很小的电子转移藕合，而且其藕合几乎完全通过环己烷桥上的化学键实现．外电场效应的研究进一步发现，该体系的电荷可稳定地定域在联苯片段或萘片段上，仅当出现外部刺激(如电、光等)，其电荷定域态才会迅速转变．因此，认为该体系可以作为双稳态分子器件材料的原型分子．     

Vaidya-Bonner-de Sitter黑洞的量子非热辐射及视界表面引力

在Vaidya-Bonner-deSitter黑洞时空中，通过研究Hamihon-Jacobi方程，采用tortoise坐标变换，讨论了此黑洞的量子非热辐射及视界表面引力问题．     

不饱和烃同系物凝聚型物理性质递变规律的数学描述

以H-(CH2)n-CH=CH2和H-(CH2)n-C≡CH型同系物结构重复单元数值连续变化为模型,获得了描述该同系物凝聚型物理性质递变规律的数学表达式:P=(a0+a1n+a2n2)/(1+b2n2),式中a0、a1、a2、b2均为常数,n为结构重复单元数值,P为同系物的凝聚型物理性质。通过非线性回归分析,得到回归方程,结果表明同系物的凝聚型物理性质与重复结构单元数值之间满足上述关系式,并显示优良的相关性。     

关于n元线性丢番图方程的探讨

给出n元线性丢番图方程的一种基础解法.     

推广的B-BBM方程的显示孤立波解

利用推广的tanh函数法,借助于Matlab的符号运算功能,构造了推广的B BBM方程的孤子解,还得到了三角周期解和有理解.     

LaMnO3不同晶位掺杂的磁电阻效应

基于研究钙钛矿型氧化物磁电阻效应的目的,采用固相反应法制备了实验所需的单相多晶样品,主要就La位二价金属离子掺杂和稀土互掺及Mn位掺杂对LaMnO3磁电阻影响的实验结果作比较研究,发现La位稀土互掺对磁电阻的影响可以用晶格效应来解释,并明确指出La位和Mn位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻效应的一种有效途径.     

从范德华力理论看Grunwald-Winstein方程中的Y因子

应用范德华力理论,导出了动力学介质效应公式.以叔丁基氯在水—乙醇、水—甲醇、水—二氧六环和水—丙酮体系中的溶剂解反应为研究对象,分析、讨论了Grunwald-Winstein方程中Y因子的具体内容,理论计算的Y值与文献值具有较好的一致性.     

V型缺口应力及应力强度因子的计算

断裂力学理论和应用对平面线弹性线裂缝问题已相当成熟，但对V型缺口(如混凝土坝坝踵)的研究还不很多．实际上当V型缺口的a=2π时(图1)即为线裂缝，因而研究V型缺口的应力和应力强度因子将更具有普遍意义．用常规有限元法虽也能求解，但要求网格分得很细，工作量很大，且不易掌握．文献[1]对此类问题曾有所研究，但没有给出应力强度因子的求法．亦有人提出用边界配置法求解，但边界条件复杂时实用性较差．本文对V型缺口应力及应力强度因子的计算做了一些探索，推导了缺口附近位移场，应变场和应力场的任意高阶级数表达式，并据此构造了能反映V型缺口应力奇异性的扇形奇异单元．