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491.
三峡水库蓄水后荆江三口分流比估算   总被引:3,自引:0,他引:3  
笔者根据近50年来的实测资料,分析了三口分流比变化的原因.在1955-1990年期间三口分流比递减,主要原因是荆江河段水位下降以及三口口门淤积;而在1990-2004年期间三口分流比基本变化不大,主要原因是荆江河段水位以及三口口门冲淤均变化不大、三峡蓄水以后,长江干流含沙量将会大幅度减少,笔者结合三峡蓄水以来的实测数据预测了蓄水20年后荆江河段的水位变化.在此基础上,计算了三口口门冲刷深度以及分流比的变化.结果表明,荆江河段中、高水位下降幅度有限,三口口门河床高程下降幅度较大,因而三口分流比将不会减少.  相似文献   
492.
分流河道的发育演化对扇三角洲整体的发育演化有重要影响,水体深度影响着分流河道的发育,因此研究水体深度变化对分流河道的影响并进一步探究扇三角洲整体的发育演化有很重要的意义。利用物理模拟的方法,通过水槽实验探究,表明湖平面下降促进分流河道的聚流,并使河道数目急剧下降,进而使扇三角洲向湖生长速度明显加快,而沿岸生长速度明显降低,同时垂向加积基本停止。  相似文献   
493.
将P2P引入到高速入侵检测中,在探测器网络中进行负载均衡,分流器只负责将高速流量尽可能均匀地分发到各探测器,从而减轻前端分流器的负担.提出基于P2P的均匀哈希分流算法,考虑到探测器网络的规模,将IP地址和端口号划分成8位比特串,对这些8比特串进行异或和移位的哈希运算.理论分析和对比实验结果表明,该算法位熵最大,具有更好的均匀性.  相似文献   
494.
通过对国有技术型企业特点的分析,说明了改制中处理好劳动关系的必要性。重点是就国有技术型企业改制中选择分离辅业、灵活改制、重点扶持的分流途径和不同业务区别改制的改制分流形式下,如何进行分流安置富余人员劳动关系的处理以及经济补偿金标准和改制资金来源等问题进行了分析并提出了相应的处理方法。  相似文献   
495.
本文提出了计算具有分流叶片的离心式压缩机叶轮跨叶片方向的计算方法,这一方法运用统一的控制方程处理不同区域的问题,在每一个区域之间的数据结构联结均有程序自动完成。分流比的确定参照现有的方法,以分流叶片前缘点坐标插值获得,并考虑出口条件的影响。根据叶轮进口轴向分速和叶片对上游的影响确定上游过界条件,下游边界条件根据绝对速度等环量变化确定。算例结果表明,分流叶片长度、圆周位置均对流场有很大影响,当分流叶片前缘处于相邻两长叶片中间,而后部偏向长叶片压力面一侧时,流动状况有较大改善,并且叶片载荷减小,出口库塔条件满足。  相似文献   
496.
选取鄱阳湖赣江中支三角洲平原分流河道和信江三角洲前缘分流河道,采用现代沉积考察、剖面挖掘、粒度分析等方法,就水位变化对分流河道沉积特征的影响进行研究。结果表明:在赣江中支三角洲平原分流河道内发育滞留沉积和边滩沉积2种沉积单元;信江三角洲前缘分流河道内发育蝌蚪状砂垄砂、长条形浅滩砂、条带状河道砂3种沉积单元;三角洲分流河道砂在水位上升期向岸溯源沉积,在低水位期向盆地进积,是三角洲发育主要时期;边滩沉积在水位上升阶段发育水位上升楔状砂,在水位下降阶段发育水位下降侧积砂;三角洲前缘分流河道在水位上升期沉积蝌蚪状砂垄,被湖浪改造后在两侧河岸形成长条形浅滩砂;水位下降期沉积条带状河道砂,受水位变化影响,分流河道类砂体在平面及剖面上的砂体组合表现出一定的分带性及储层非均质性。  相似文献   
497.
针对加筋壁板压电分流阻尼系统抑振效果不理想的问题,提出对抑振系统进行优化,具体是通过理论分析对压电分流回路参数进行优化,和在考虑压电元件粘贴的情况下,采用ANSYS对四边固支的加筋壁板进行压电片粘贴位置布局优化。最后将优化应用于一四边固支的加筋壁板振动控制上,实验结果表明抑振控制效果明显,验证了加筋壁板压电分流阻尼抑振系统优化的有效性。  相似文献   
498.
在中间包流场分布分析的基础上,借助水模拟试验研究了6流小方坯连铸中间包内钢水流动规律,通过设置分流挡渣墙改进中间包内的钢水流动,分离钢水和炉渣,提高钢中夹杂物的上浮率,达到了预期的效果,并应用于生产实践.  相似文献   
499.
掺气分流墩台阶式溢洪道的水流流态和流速特性   总被引:5,自引:0,他引:5  
通过模型试验,研究了掺气分流墩台阶式溢洪道的流流态和流速特性。结果表明:此种消能工能改善台阶式溢洪道的水流流态,大幅度地减小水流流速。在试验范围内,掺气分流墩台阶式溢洪道的流速较相应光滑溢洪道减小了18.4%-68.3%,较相应的台阶式溢洪道降低了6.8%-54.0%。  相似文献   
500.
对带有源负载的CMOS双平衡Gilbert有源混频器的1/f噪声、线性度与转换增益进行深入分析。这款采用PMOSFETs做负载的混频器工作于2.4 GHz频段。为降低混频器的1/f噪声, 利用双阱工艺中的寄生垂直NPN晶体管作为开关, 同时在PMOSFETs处并联最低噪声的分流电路作为负载。运用在PMOSFETs处的高性能运算放大器, 不仅为零中频输出提供了合适的直流偏置电压, 以避免下级电路的饱和, 并能够为混频器提供足够高的转换增益。同时, 在输入跨导(Gm)级电路中采用电容交叉耦合电路能够将转换增益进一步提高。为了增加混频器的线性度, 采用共栅放大器作为输入跨导级电路。这款混频器采用TSMC 0.18m 1-Poly 6-Metal RF CMOS工艺, 在1.5 V电源电压、3 mA的电流消耗下获得了17.78 dB的转换增益、13.24 dB的噪声因子和4.45 dBm输入三阶交调点的高性能。  相似文献   
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