GS3 蛋白不同结构域的功能与水稻谷粒大小的关系

许多禾谷类作物的产量在很大程度上由谷粒的大小所决定. 华中农业大学作物遗传改良国家重点实验室张启发研究组, 研究了GS3 的遗传和分子特征, 这是一个主要的决定谷粒大小的数量性状位点. 研究显示, GS3 是一个谷粒大小和器官大小的负调节因子. 其野生型形式推测由4 个结构域构成: 位于N 端的植物特异性器官尺寸调节(OSR)结构域和跨膜结构域以及位于C 端的肿瘤坏死因子/神经生长因子受体(TNFR/NGFR)家族富胱氨酸结构域和C 型血管性血友病因子(VWFC). 这些结构域具有不同的调节谷粒大小的功能. OSR 结构域作为一个负调节因子的功能是充分必要的. 野生型等位基因对应于中等谷粒. OSR 功能缺失结果可导致长的谷粒.位于C 端的TNFR/NGFR 和VWFC 结构域表现出对OSR 功能的抑制性效应, 它们的功能缺失突变可产生非常短的谷粒.该研究将GS3 蛋白的功能结构域与水稻谷粒大小的自然变异联系起来. 相关研究发表在2010 年11 月9 日Proc Natl Acad Sci USA, 107(45): 19579—19584 上.     

取代芳烃与6种生物毒性的定量构效关系

根据成键原子的结构特征,提出了计算取代芳烃原子点价δi的新方法,并由δi建构了取代芳烃的分子连接性指数mXn,用mXn与取代芳烃对斜生栅列藻急性毒性,诱发浮萍萎黄病毒性、绿藻毒性、大型蚤毒性、斑马鱼毒性和金鱼毒性等6项生物活性相关联,获得令人满意的线性回归方程,相应的相关系数r依次为0.975 8、0.984 6、0....     

药物分子对接网格研究与进展

药物分子对接所涉及的搜索空间非常巨大,需要耗费大量的时间,并且对计算环境也有较高的要求．将网格技术应用于药物分子对接中,能有效解决上述问题．通过应用改进的遗传算法多种群竞争机制的对接演化模型GADock,以信息熵控制设计空间的收缩,增强了进化的有效性,显著地提高了对接效率、利用网格数据传输和网格任务调度等网格技术对分子对接过程进行了优化,有效利用了网格节点资源,并降低了药物分子的对接时间．实例测试表明了药物分子对接与网格技术相结合的合理性及有效性．     

151份小麦品种（系）中主要品质基因的分子检测

明确江苏瑞华农业科技有限公司151份小麦品种（系）中品质基因的分布情况,利用分子标记技术对小麦谷蛋白亚基（HMW-GS）、多酚氧化酶（PPO）活性和1B/1R异位系进行检测。结果表明：高分子量谷蛋白亚基（HMW-GS）基因频率Ax2为1.32%,Dx5为17.22%,By8为70.20%,Bx7为89.40%,Ax2+Dx5、Ax2+By8和Ax2+Bx7均为0.66%,Dx5+By8为7.28%,Dx5+Bx7为14.57%,By8+Bx7为62.25%;多酚氧化酶（PPO）活性相关基因频率Ppo-A1b为45.70%,Ppo-D1a为25.83%,双低PPO活性等位基因Ppo-A1b+Ppo-D1a为优异等位基因,频率为8.60%;1B/1R异位系的分布频率为86.75%;同时携带低PPO活性等位变异组合,且为非1B/1R异位系的材料只有2份,频率为1.32%;同时携带谷蛋白亚基Bx7和低PPO活性等位变异组合,且为非1B/1R异位系的材料只有1份,可作为小麦育种材料。     

一种分子基电双稳器件

报道一种可逆转换的分子基电双稳薄膜器件,Al/BN4/Al/BN4/Al.其中功能层为有机/金属/有机的夹层结构,而中间金属层要非常薄.该器件在较低电压作用时呈现高阻状态,阻值在106~109Ω;而当电压超过某一阈值时,器件导电态发生改变,由高阻态跃迁为低阻态,阻值约为102~105Ω.两种状态的电阻值比为103~105.另外,还比较了不同功能层厚度器件的性能.     

一种Cu(Ⅱ)超分子配合物的合成、晶体结构和磁学性质

一种Cu(Ⅱ)超分子配合物[Cu(μ1,5-dca)(dca)(bpy)]n(1)被合成并用单晶X-射线和磁性进行了表征.化合物1是由两组平行的二维网互相穿插形成的三维结构.磁表征结果显示在化合物1中Cu离子之间表现出通过二氰胺和4,4'-联吡啶桥传递的弱反铁磁相互作用.     

油酸功能化金属有机框架纳米片的摩擦学性能研究

利用对苯二甲酸与乙酸铜为原料,采用超声辅助自组装合成了铜基金属有机框架(Cu-MOF)纳米片,之后通过超声处理将油酸分子修饰于Cu-MOF表面,得到Cu-MOF@OA纳米片.相比于Cu-MOF纳米片, Cu-MOF@OA纳米片在保持片状结构的同时,其尺寸进一步减小,同时也使团聚问题得到了极大改善,在基础油500 N中表现出良好的分散稳定性.摩擦学试验表明,在1.0 wt.%的添加浓度下, Cu-MOF@OA展现出最佳的摩擦学性能,其摩擦系数降低至基础油的3/5,磨损体积降低至基础油的1/6.最后,利用扫描电子显微镜(SEM)与X射线光电子能谱(XPS)对Cu-MOF@OA纳米片润滑后的磨痕进行形貌和特征元素的表征,探究其润滑机制.结果表明,摩擦过程中在负载和剪切应力的共同作用下, Cu-MOF@OA纳米片、基础油以及铁基底三者之间发生了复杂的摩擦化学反应,形成了由含氮物质、含碳物质与铁氧化物组成的摩擦膜,降低了摩擦磨损.     

分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能

采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26 meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似.