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无应变锗锡(GeSn)合金在Sn的摩尔组分高于8%时能够转变为直接带隙材料,适合于制备硅基光电子器件.分子束外延(MBE)在高纯度GeSn制备、Sn组分和异质界面的精确调控上具有巨大的优势.然而,由于Sn在Ge中的固溶度低(<1%)、Ge与α-Sn晶格失配大(约14.7%),高Sn组分、应变弛豫直接带隙GeSn薄膜材料的MBE制备仍是一个巨大的挑战.本文综述了MBE制备高Sn组分GeSn薄膜及弛豫GeSn薄膜压应变的相关研究.首先介绍了低温MBE技术外延高Sn组分GeSn薄膜的方法及生长应变弛豫GeSn薄膜的挑战.之后给出GeSn薄膜的快速热退火行为与厚度的依赖关系,基于临界厚度模型捋清了退火过程中GeSn薄膜的应变弛豫与Sn偏析的竞争机制;最后介绍了快速热退火对GeSn薄膜发光特性的影响,提出采用快速热退火制备应变弛豫的Sn组分渐变GeSn异质结,通过载流子自限制增强MBE生长GeSn薄膜的光致发光强度. 相似文献
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《淮阴师范学院学报(自然科学版)》2017,(1):23-27
通过多肽液相合成的方法,利用氨基与活化酯在水与四氢呋喃混合溶剂中进行反应,高产率地合成出谷氨酸二肽分子衍生物.同时基于该二肽结构中棕榈酸分子端位疏水性的烃基链与谷氨酸侧基二聚乙二醇单甲醚链段的亲水性,制备得到了一种新型的具有两亲性的二肽分子,并对其结构与性质进行了研究. 相似文献
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《山西师范大学学报:自然科学版》2014,(4):25-25
<正>2014年10月13日上午,南京理工大学陆瑞锋教授应山西师范大学邀请,在实验楼四层小报告厅作了题为"原子及小分子体系的阿秒理论研究"的学术报告.陆瑞锋,男,1982年10月生,湖南武冈人.2003年~2008年硕博连读于中国科学院大连化学物理研究所;2008年~2009年在新加坡南洋理工大学从事博士后研究工作;2009年赴美国加州理工学院诺 相似文献
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