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321.
基于二元合金沉淀动力学相场方程的微观离散格点形式建立三元体系模型,在倒易空间中求解方程.用此模型对实际三元Ni75Al10V15合金的早期沉淀过程进行了模拟,计算γ′有序相的成分序参数和长程序参数.结果表明:Ni75Al10V15合金中γ′相的沉淀机制为非经典形核长大,先形成非化学计量比有序相,然后才形成化学计量比有序相,其中非化学计量比有序相并非热力学意义上的亚稳相;DO22结构的非化学计量比θ有序相在γ′相界处形成,其成分和有序化程度较低,且距离相界越远,有序程度越低,θ有序畴存在两种类型:水平分布和垂直分布,和它所依附的γ′相界面取向有关;该模型无须预先设定新相结构和沉淀类型,可在原子水平模拟三元体系的两个有序相析出、成分簇聚等过程.  相似文献   
322.
ACRT强迫对流对定向凝固过程传热传质的影响   总被引:5,自引:1,他引:5  
刘俊成 《自然科学进展》2003,13(12):1293-1300
计算模拟了采用加速坩埚旋转技术的Bridgman法(ACRT-B)碲锌镉单晶体生长过程,以流函数图清晰地展示了晶体生长过程中固液界面前沿对流的周期性变化,以等温线图展示了界面前沿熔体温度场的变化,以等浓度线图展示了晶体内的组分偏析.计算结果表明:强迫对流显著提高了熔体中溶质分布的均匀性,可得到均一的熔体浓度场.强迫对流显著增加了固液界面凹陷深度.与不施加ACRT相比,强迫对流增加了晶体内溶质成分的轴向偏析,显著减小了径向偏析.  相似文献   
323.
罗文广 《广西科学》2003,10(1):21-23,31
从神经元特性出发,研究一种适用于无刷直流电动机控制的模拟电路神经元控制器,获得连续的神经元控制器表达式和权值变化表达式,并进行原理框图设计和给出具体的权值学习电路,仿真实验表明,该控制器具有良好的控制品质,证明了该系统的有效性。  相似文献   
324.
随着地理科学技术的发展,地理现象的表达从二维世界向三维世界发展.互联网的发展以及虚拟现实模拟语言(VRML)的产生,使得基于互联网(万维网)的分布式地学虚拟环境的研究蓬勃发展起来.文章介绍了VRML语言的概念、特征,并阐述了VRML语言在分布式地学虚拟环境的应用,对其今后的发展作了展望.  相似文献   
325.
在计算机上运用McGraw-Hill公司的化工过程模拟软件,对酒精回收塔的精馏过程进行了模拟计算。模拟结果有利于提高酒精质量和产品回收率。采用新型高效规整填料,大大地提高了生产能力和分离效率。据此技术设计,具有极大的优越性,工业应用非常成功。  相似文献   
326.
采用传统熔体冷却方法,研究以TiO2为成核剂、以Li2O Al2O3 SiO2为基础组成的玻璃的制备工艺;根据差热分析(DTA)的结果确定玻璃的核化与晶化温度,然后针对基础玻璃组成,采用二步热处理方法获得透明的微晶玻璃;用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对晶化试样的物相和显微结构进行研究;用热膨胀仪测定玻璃在热处理前、后的热膨胀系数;用绝缘电阻测试仪测试该微晶玻璃的电阻率.研究结果表明:微晶玻璃的主晶相为Al2O3·TiO2微晶体,次晶相为ZnSiO3;微晶玻璃与硅片有相近的热膨胀系数,约为32.5×10-7/℃;微晶玻璃晶化后的电阻率较低,为6.8×1010Ω·cm.  相似文献   
327.
三维锚杆的数值模拟方法   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
在现有几种锚杆数值分析方法的基础上,对考虑了灌浆切向受力性态的三维锚杆单元理论及其应用进行了研究,编制了三维锚杆有限元计算程序,并结合例子对灌浆锚杆的变形应力规律进行了分析.  相似文献   
328.
晶化时间对微晶玻璃结构与性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
通过测试不同晶化时间条件下热处理后微晶玻璃收缩率、体密度的变化 ,研究晶化时间对微晶玻璃热处理时表观性能的影响 .采用X射线衍射、环境扫描电镜对不同晶化时间下微晶玻璃中晶相和晶相显微形貌的变化进行分析探讨 .  相似文献   
329.
在醋酸甲酯催化精馏水解新工艺取得中试成功基础上进行工业试验研究.催化精馏塔塔径1000mm、塔高22000mm;催化精馏段填充阳离子交换树脂催化剂捆扎包,提馏段填充波纹丝网填料.试验研究了进料水酯比、回流进料比和空速对酯分解率和水解液中酸水比的影响.新工艺使醋酸甲酯的水解率由固定床老工艺的23%-25%提高到57%-64%.应用模拟计算软件对试验过程进行了计算机模拟.  相似文献   
330.
改进的多孔硅生长模型和计算机模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.  相似文献   
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