在线变参数的单片微机励磁控制

本文介绍一种可在线改变调节参数的单片机励磁控制器．此调节器具有双通道，采用ＰＩＤ调节方案．适用于直流机励磁和自并励励磁的中、小型同步发电机．实验证明，此调节器可靠性高．调节性能好．精度高．使用硬件较少．     

晶体管击穿电压的数值分析

本文从物理概念出发，推导出载流子在集电结空间电街区发生碰撞电离时基极开路晶体管电流的表达式，并由此得到晶体管的雪崩击穿条件及ｐｎ结二极管的雪崩击穿条件。根据数值计算结果找到了快速、精确计算基极开路晶体管击穿电压的经验公式。     

单片机在可控硅控制系统中的应用

本文对可控硅触发电路提出了一种新的设计方法,即采用单片机的一个定时器,三位输出口,外加同步信号检测器和触发信号的驱动电路,构成一个简单实用的三相可控硅触发器,触发角的大小由外部控制信号决定,触发脉冲的宽度由软件参数控制。从而完成可靠、准确地触发。     

背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性

在室温下用低能量Ａｒ＾＋轰击ＭＯＳ电容器肾面，能改善ｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时的效果比在３５０ｅＶ和０．３ｍＡ／ｃｍ＾２时的好。     

单片机观众席调光台的设计

本文介绍观众席调光台的硬件结构和软件设计，并阐述电脑调光台实现可控硅数字触发的一种方法，提出了采用时间表解决数字触发实时性的问题。     

基于单片机的可控硅全控桥数字触发控制系统

针对中小型水电站励磁系统设计了一种基于单片机的新型实用的可控硅数字触发电路，运用单片机高速输出口实现可控硅全控桥的触发控制，该电路集控制，触发于一体，使其外围元件少，集成度高，控制精度高，稳定可靠, 用多种控制理论和最新电子技术及检测技术，用单片微机实现了水轮发电机组励磁控制系统的采样，控制，存贮，通讯，数字触发脉冲，软件调差及全软件实现各控制功能模，克服了模拟集成电路的缺点，使其结果简单，功能完善，可靠性高，成本低，使中小型水电机组励磁控制性能进一步提高，并阐述了一个应用于水电站励磁控制系统中的实际应用。     

功率VDMOSFET外延层参数的优化选择

本文推导出外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式,及使外延层理想比电阻ρW取最小值时电阻率和厚度的精确表达式。从比导通电阻最小的要求考虑,提出了优选外延层参数的方法,计算结果表明,此法优于传统方法和C.Hu方法,可使VDMOSFET的比导通电阻达到最小值。     

二次母线接有谐波源时谐波电流危害预测估算的分析

具有谐波源的变电所母线,谐波电流的危害程度.可用文中(1).(8).(9)式和表2简捷地进行分析、判断谐波的谐振次数、母线电压畸变率和谐波电流允许值,借以说明谐波电流危害。并用该三式对谐波调研资料进行了分析与对比计算,结果完全符合实际情况,故三式具有普遍意义和应用价值。     

变压器绕组线段间油道雷电冲击击穿电压的概率分布

介绍了５００ｋＶ级变压器线圈段间油道雷电冲击击穿电压的试验结果。采用逐级升压法对线图模型进行了试验。得到的试验击穿电压的概率分布与试验程序及油过原始的雷电冲击击穿电压的概率分布有关。应用最大似然性原理处理了数据。假设检验的结果表明，段间油道的雷电冲击击穿电压遵循正态分布。     

D574集成稳压器二次击穿的研究

本文分析了Ｄ５７４集成稳压器热二次击穿和电二次击穿的机理，详细论述了发生这两类二次击穿的条件和原因。