玻璃掺杂固溶半导体(ZnxCd1-xS)纳米微晶的溶胶-凝胶制备及光学性质研究

<正>玻璃掺杂半导体量子点材料表现出明显的量子限域作用和三阶非线性光学效应,它在制造全光学集成元件的应用前景越来越受到人们的重视。在这类材料的研究中一个很重要的问题就是:材料在具有大的非线性效应的同时还应具有合适的线性和非线性吸收。因为材料的非线性优值不但与非线性系数(χ³或n₂)成正比,而且与吸收系数成反比。但目前非线性系数比较大的一类直接能隙半导体具有确定的吸收边,例如CdS和ZnS的吸收边分别为2.42和3.8 eV,这就决定了它们的吸收特性的可调性很小。尽管可以通过量子尺寸效应改变其吸收边,但这种改变也是很有限的。从应用的角度来看,希望材料的吸收边能够根据需要而调整。     

尖晶石型LiMn2O4的制备及结构研究

将LiNO3和以沉淀法制备的Mn3O4按一定比例混合制成样品，在空气气氛中分别以不同温度（300℃，400℃，500℃和700℃）进行烧结合成。利用差热－热重分析、X射线衍射、电子能谱及Raman光谱等测试手段对材料的结构及其随烧结温度变化情况进行了研究。首次观察到尖晶石型LiMn2O4的Raman特征峰。研究表明，低温烧结得到的样品为富氧的尖晶石型LiMn2O4；随着烧结温度的升高，结构中多余的氧逐渐放出，晶胞参数增大，晶体的结合能和晶格振动能增强。     

铁酸镧超细粉末的制备

以La(NO3)3·6H2O、(NH4)2Fe(SO4)2和Fe2O3为原料,运用正交实验法确定最优实验条件,利用固-液界面法制备稀土铁酸盐超细粉末———铁酸镧.对产物进行部分物理测试,分别测定其全铁、亚铁离子含量,用扫描电子显微镜测定其形貌和粒径.结果表明,产物为均匀的圆球状纳米微粒,平均粒径76.0nm,反应中没有经过中间化合物,而是在固液界面上进行的.     

纳米二氧化锆制备工艺的研究

实验用氨水作沉淀剂,与氯氧化锆在常温条件下进行液相沉淀反应,制备纳米二氧化锆.实验优化出制备纳米二氧化锆的最佳工艺条件:反应物氨水和氯氧化锆的摩尔比为2:1;分散剂浓度为2g/L;焙烧温度为750℃;氨水浓度0.2mol/L;氯氧化锆浓度0.1mol/L,在此条件下可获得较为分散均匀的纳米二氧化锆.     

Fe2O3掩膜的制备研究

在制造半导体器件和集成电路时,为确定衬底材料上的图形,必须使用掩膜版。现有的掩膜材料主要有乳胶膜和铬膜。乳胶膜耐磨性差、易沾污且分辨率低;铬膜虽有较好的耐磨性,但铬作为一种金属反光很强,导致图形分辨率降低。另一方面,这两种膜都不透明,光刻时图形难以套准。Fe_2O_3膜是一种优良的掩膜材料,它具有很强的耐磨性和很高的分辨率,针孔少、透明、光刻时图形易对准。因此在70年代国内外就对Fe_2O_3膜进行了研     

DLTP反应残液的利用

本文以制备ＤＬＴＰ（Ｄｉｌａｕｒｙｌ Ｔｈｉｌｄｉｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）即硫代二丙桎二月桂酯的残液为原料，进一步酯化，可得到一定数量的ＤＬＴＰ。     

溶剂萃取法制备碳酸盐的热力学讨论

向金属氯化物(Ⅰ)的水溶液中通入CO_2气体,以期制备相应的碳酸盐和酸式碳酸盐,在常温常压下,体系的△G>0,反应几乎是不可能的。向反应体系中加入有机溶剂(S),使生成的HCl即被萃取,可促进Ⅰ的继续转化。分析计算表明,S对HCl必须有很强的萃取能力,其K_萃须在10~5以上。研究了加入有机溶剂N_(235)前后,体系的热力学状态、函数及其变化。加入N_(235)后,K_萃值增大了5个数量级。考察了温度、时间和通气次数对系统热力学性质的影响。根据反应的耦合原理和热力学分析,提出萃取剂选择的原则。结合实验数据的估算说明:溶剂萃取法由Ⅰ和CO_2制备碳酸盐的工艺路线是可行的。     

硫酸钾的制备

本文介绍了用复分解法制备硫酸钾,证明了其可行性,并对可能存在的误差做了分析。