易于集成的高增益双环形印刷天线

 提出一种高增益、共面带状线（CPS）馈电的双环形印刷天线.该天线具有10.8 dB的高增益,在一定的功率密度下可以接收到更多的功率.交叉极化低于-38 dB,同时波瓣宽度大于70°,从而避免了严格的主波束校准问题.该天线适用于迅速发展的无线通信系统.为了便于测试,为天线设计了CPS 微带线巴伦.实测与仿真结果比较吻合.     

一种紧凑型超宽带微带天线的研究

设计了一种新颖的小型微带结构的超宽带天线,采用共面波导馈电结构,金属底板的槽型边缘被设计成对称的多边形以获得超宽带频率特性. 通过FDTD数值计算方法获得了最佳的天线几何尺寸并根据设计结果加工制作了天线模型. 计算结果和实际测试结果吻合良好,并表明该天线的S11<-10 dB阻抗带宽达到了117%（从2.75 GHz到10.5 GHz）.     

低渗油藏垂直裂缝井产量递减规律

 油气藏改造时受地层复杂地应力的影响,压裂形成的垂直裂缝通常关于井筒不对称或裂缝左右两翼不在同一平面。针对垂直裂缝的特征,基于不稳定流理论,应用势理论、势叠加原理和数值分析方法,推导出低渗油藏垂直裂缝井产量动态预测模型,并利用实例分析了油井产量动态递减规律。结果表明,低渗油藏垂直裂缝井产量递减规律表现为油井初期产量较高,油井产量递减速度较快,而中后期油井产量进入缓慢递减阶段;裂缝非对称率对油井产量变化的影响较小,在开发初期,不共面夹角对油井产量变化的影响较大,油藏非均质性强弱对油井产量变化影响显著;裂缝长度越长,裂缝导流能力越大,油井产量越高,产量递减速度越快;随着裂缝长度和导流能力增加,产量增幅逐渐变小。     

不对称垂直裂缝井产量递减规律

针对油气藏改造时形成的垂直裂缝的不对称性和裂缝导流能力的时变性特征,基于不稳定流理论,应用复位势理论、叠加原理和数值求解方法,推导出低渗油藏垂直裂缝井产量的动态预测模型。利用实例分析了各因素对油井产量动态递减规律的影响。研究结果表明:裂缝非对称率对油井产量变化影响较小,不共面夹角对油井产量变化影响较大;裂缝越长,其导流能力越大,则油井产量越高,产量递减速度越快,而随着裂缝长度和导流能力增加,产量增加幅度逐渐变小;裂缝导流能力衰减系数越大,则油井产量越小,产量递减速度越快,随着导流能力衰减系数增加,产量下降幅度逐渐增大。     

SMT中BGA芯片管脚共面性在线测试方法的研究

以BGA芯片为例,成功地将激光线结构光传感器用于表面安装技术中管脚共面性在线测量。提出并研制了测量实验系统,建立了测量系统数学模型。提出了以接触面为基准平面的管脚共面性评价方法,并对测量系统的动态误差进行了实时修正。为实现在线测试提供了方法和理论依据。     

基于时域有限差分法计算共面波导的特性阻抗

使用时域有限差分法计算共面波导的特性阻抗．比较了全空间和半空间两种FDTD计算模型,并给出了全空间模型的计算结果．与文献中用半空间模型计算得出的结果以及实际测试结果作比较,取得了良好的一致性．     

GaP和GaAs共面波导的直接电光调制特性

对Ⅲ-Ⅴ族电光晶体GaP和GaAs衬底上的共面波导（CPW）进行直接电光调制测量,得到GaP和GaAs的输入电压与电光调制输出的关系曲线,分析电光调制的输出特性．     

一种新颖的高低阻抗带状线低通滤波器分析方法

为克服传统分析法由于未考虑不连续性结构的影响导致分析结果不准确的不足,提出了一种新颖的高低阻抗(HLI)带状线低通滤波器分析方法.首先在现有微带开路线不连续性等效电路模型及理论的基础上,提出了高低阻抗带状线的等效电路模型;其次运用传输线理论推导出了对应的ABCD传输矩阵,结合实例分析了三种不同情况下的散射参数,有效验证了所提出的等效电路模型的正确性;最后,将所得的等效电路模型应用于分析高低阻抗带状线低通滤波器,本文等效电路分析法所得结果与仿真软件HFSS仿真结果吻合良好,其散射参数的平均误差小于2%,而传统的传输线理论法由于未考虑该滤波器中高低阻抗带状线的宽度跳变所带来的不连续性传输损耗,其计算结果产生了较大的偏差.     

感性可调MEMS电容性膜开关的微波等效模型分析

通过对感性可调MEMS电容性膜开关等效电路模型的电磁特性分析,建立了开关的“关”态谐振频率选择模型和“开”态阻抗匹配模型.从微波等效电路的角度提出高性能感性可调MEMS电容性膜开关的设计方法,同时给出了基于这两种模型设计X波段MEMS开关的“关”态隔离度与“开”态反射损耗的电路仿真结果,与高频电磁场全波仿真结果吻合较好,具有较高的实际应用价值.     

共面型介质阻挡放电的击穿特性

利用拉普拉斯方程求出共面型介质阻挡放电单元电势分布的解析解,结合汤生放电理论,研究了共面型放电单元的结构参数对其击穿特性的影响.结果表明,介质表面的二次电子发射系数、沿面电极间隙、电极长度、介质层等因素对共面型介质阻挡放电的击穿电压和击穿路径的位置都有一定影响.合理选择共面型介质阻挡放电的结构参数,可以获得较低的击穿电压和所需的放电模式.