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991.
空心微珠表面化学镀Ni-P合金镀层的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
火电厂粉煤灰空心微珠具有颗粒细、中空、质轻、高强、耐磨、耐高温、保温绝热、绝缘阻燃等多种性能,常作为复合材料的填料而得到广泛应用.采用硝酸银代替氯化钯为活化剂,在空心微珠表面化学镀Ni-P合金镀层,用X-射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDX)、扫描电镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对其进行分析表征.结果表明,以硝酸银代替氯化钯为活化剂,在空心微珠表面能得到Ni-P合金镀层.并分析了以硝酸银代替氯化钯为活化剂制备Ni-P镀层的形成机理。 相似文献
992.
用纳米氧化锌作为填充剂,通过机械搅拌和超声振荡处理,制备了纳米氧化锌改性聚四氟乙烯材料,并对改性后的氟塑料与金属复合研制的衬套的摩擦磨损性能变化的机理进行了分析.结果表明,各项性能均达到或超过了标准规定的技术要求,为该衬套在提速客货车中的应用奠定了基础. 相似文献
993.
电化学氧化法处理难降解有机废水的研究进展 总被引:4,自引:0,他引:4
由于电化学氧化法能有效的处理废水中难降解有机物,从20世纪80年代初开始对其进行了大量的研究.结合中外40篇参考文献,综述了已有的电化学氧化法处理有机物污染废水的机理,在此基础上分析了该方法存在的一些问题,展望了今后电化学氧化法发展的方向. 相似文献
994.
原子力显微镜(AFM)这种能进行微尺度测量的精密仪器是目前研究晶体生长机理最为有效的方法之一,在晶体生长机理研究中起到了重要的作用,尤其是对于蛋白质晶体生长的研究显得更为突出.分别简明地阐述了利用AFM进行蛋白质晶体生长研究的工作原理,以及在这方面已经取得的研究成果,包括二维台阶生长、螺旋位错生长、法向生长、三维成核生长、台阶发展的不对称性、及杜仲抗真菌蛋白(EAFP)和天花粉蛋白(TCS)晶体生长的新进展.论述了利用空间微重力环境进行蛋白质晶体生长及空间蛋白质晶体生长的科研和应用, 指出今后进行蛋白质晶体生长研究的趋势和前景. 相似文献
995.
在当前遗传算法的理论发展和实际应用的基础上,从遗传算法的数学理论基础、遗传操作、主要实现途径等方面分析了遗传算法的并行机理和并行实现上的困难以及一些改进的方法和措施,这对遗传算法的进一步研究和应用有一定的指导意义. 相似文献
996.
为研究薄面板复合材料蜂窝夹层结构冲击穿透损伤的失效机理,对具有3层平面编织复合材料面板的蜂窝夹层板试验件进行了多种能量的冲击试验.并在考虑了面板材料的渐进失效以及面内剪切非线性应力应变关系基础上,运用LS-DYNA有限元分析软件建立了夹层板的数值模型,用以分析失效过程.结果 表明,数值模拟结果与试验结果一致.上面板穿透或整体贯穿时面板均呈花瓣状裂开,前者蜂窝以压溃损伤为主,后者则额外产生蜂窝芯体与下面板间的界面脱粘以及蜂窝壁的断裂损伤.无面板穿透时,冲击接触力将保持纤维断裂损伤阈值力大小直至冲头回弹;面板穿透则使冲击区域刚度下降,接触力随之下降,其中板整体贯穿时接触力会出现两个峰值.薄面板复合材料蜂窝夹层结构冲击穿透过程中的主要能量耗散在复合材料面板的纤维拉伸断裂,蜂窝的压溃和断裂过程也消耗部分能量. 相似文献
997.
以具有局域表面等离子共振特性的金纳米棒作为检测探针,以暗场显微镜作为光学信息检测手段,通过自组装方法在玻璃基片上固定金纳米棒,并在金纳米棒上修饰半胱氨酸分子,利用半胱氨酸分子中的羧基与溶液中铜离子的强烈结合作用,对溶液中的铜离子进行检测.随着铜离子浓度的增加,金纳米棒会更加趋向于团聚,使其LSPR光谱发生明显的红移,通过对不同浓度铜离子溶液的检测验证,传感系统对铜离子的检测灵敏度达到0.62 μg/mL/nm. 相似文献
998.
999.
针对水气交替驱过程中CO_2与水能否接触、对剩余油动用能力等热点问题,利用高温高压微观可视模型,研究了不同密度CO_2驱后剩余油分布类型及挖潜对策,描述了水气交替微观封堵特征及对剩余油动用能力。实验结果表明,超临界CO_2的高密度特性,可扩大CO_2向油藏中下部的扩散运移;CO_2驱后剩余油以油膜类、盲端类、等势点类、未波及区域为主,其中等势点及未波及区域是下步挖潜主要对象;水气交替的注水阶段与注气阶段呈现出不同的贾敏效应,其中注气阶段贾敏效应明显;水气交替可显著改善等势点类剩余油,但未波及区域动用程度不高。 相似文献
1000.
设计了高速高精度低噪声放大器用于磁约束核聚变中电子回旋共振加热系统中入射和反射功率的实时监测。提出了模块化的高速高精度放大器设计方案。给出了放大器的稳定性、响应速度、噪声、失调等特性的分析方法和仿真方法。基于Labview构建了放大器自动测试系统,测试了实际放大器的响应速度和精度并对实际测量结果给出分析。在常用配置(三级放大器放大倍数分别为10~20倍、30~50倍、2~20倍)情况下,级联放大器的响应时间小于10μs,等效输入噪声电压小于60μV,等效输入失调电压最大不超过32μV。放大器的性能、稳定性和可靠性在电子回旋实验中得到了验证。 相似文献