光学极化子内部激发态的性质

采用线性组合算符和么正变换相结合的方法,讨论了光学极化子内部激发态的性质.从数值计算的结果看出:当耦合常数α介于3.5～12.5之间时,能形成第一内部激发态,而更高的内部激发态不会出现.     

GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极，并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上，以获得负电子亲和势（Negative lectron Affinity）表面，然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极，来获得自旋极化的电子束，详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程，并介绍了极化电子在极化（e.2e)反应中的应用。     

有机极化电致发光进展

对近年来极化电致发光及其材料的进展进行了综述 ,主要介绍了极化电致发光器件的制备、液晶薄膜取向方法以及有机功能材料的性能和应用     

电子与原子碰撞中关联极化势研究

本文根据文献~([3])中提出的不含自由参数的新的关联极化势公式,对低能电子被氖和氩原子弹性散射的截面进行了计算,获得了相当满意的结果。     

多元晶体非线性光学系数的计算-双原子键三中心静电模型的应用

本文应用双原子键三中心静电模型,导出了单键线性极化率的表达式,从而提供了计算多元复杂晶体二阶非线性光学系数的半经验方法;应用该方法计算了A~ⅠB~ⅡC_2~Ⅲ(如CuGaS_2、AgGaS_2、AgInSe_2等)、A~ⅡB~ⅣC_2~Ⅴ(如ZnSiAs_2、CdGeP_2、CdGeAs_2)、以及KH_2PO_4、LiNbO_3、LiTaO_3等复杂晶体的二阶非线性光学系数d_(ijk),计算值与实验测定值基本相符。     

极化质子内部分子的自旋分布

本文讨论了极化质子内部分子自旋对质子自旋的贡献,与自旋相关的质子结构函数g(?)的一次矩及xg(?)的函数分布。假定极化质子内部分子的自旋分布与非极化质子内部分子分布是关联的,本文构造了关联函数把它们联系了起来。同时把胶子的反常贡献和部分子的轨道角动量的贡献都考虑在内,计算结果与实验数据符合很好。     

外压列管式膜组件的改进及其应用

以炼油厂含油污水为介质，对新组装的一台外压列管式膜组件分离装置的分离透过性能及浓差极化进行了研究。结果表明，以超滤法处理含油污水时，透过速率的控制因素是凝胶层。对列管式膜组件，在壳程加折流板可以大大减少浓差极化的影响，一米长的膜管以设４块折流板为宜。得出了加折流板的膜组件能量与雷诺准数之间的关系式及其常数可由实验确定。     

三元混合晶体AxB1—xC中的极化子

本文讨论了弱耦合下三元混合晶体A_xB_(1-x)C中的极化子问题.在绝对零度下,用微扰法导出了极化子基态能量和有效质量表达式,对几种三元混合晶体进行了数值计算.在浓度x=0和x=1时,得出的结果与对应的二元晶体——BC,AC的结果完全等价.     

全光波长转换与光收发模块国家重点技术改造项目通过验收

2005年12月22日，华工科技承担的“全光波长转换与光收发模块国家重点技术改造项目”通过了由湖北省发改委、湖北省信息产业厅、武汉市发改委等单位组成的项目验收委员会的竣工验收．该工程2003年1月动工，2003年12月完工，2004年3月投入试生产，完成投资18867万元．