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51.
就各种因素对齿瓣延胡索悬浮细胞生长和延胡索乙素形成的影响做进一步的研究。结果表明:随着接种量的提高,细胞生长加速,培养液浊度增大,齿瓣延胡索细胞悬浮液培养中最适接种量为2g/30ml;pH5.6最有利于细胞生物量的积累;2,4—D与2种细胞分裂素的组合,对于生长量积累和THP含量的作用最显著;在培养基中添加甘露糖和半乳糖,对于提高培养物THP含量是有效的;G1y Phe Lys的作用效果最显著,细胞鲜质量、干质量和THP含量均最高。  相似文献   
52.
以从云南邦拿掌温泉中分离、纯化的高温厌氧纤维素分解菌邦2菌(Cadicellulosiruptor)为材料,制备其总DNA,经限制性核酸内切酶EcoRⅠ部分酶切后,在T4DNA连接酶的作用下与经EcoRⅠ完全酶切、去磷酸化的质粒载体pUC18连接,然后转化E.coliJM109,建立了邦2的基因文库,经筛选鉴定得到6.3×103个重组子;重组子经刚果红平板验证:约有23.5%菌落呈现透明圈;重组子经EcoRⅠ酶切验证显示:重组质粒均含有外源DNA插入片段.结果表明已克隆到邦2菌纤维素酶系中的内切葡聚糖酶基因(ED基因)片段.  相似文献   
53.
对猪苓[Grifola umbellata(Pets.ex Fr.)Pilat]进行了母种培养基筛选试验,结果表明,猪苓母种生长的最适培养基为:马铃薯100g,蔗糖10g,磷酸二氢钾1g,硫酸镁0.25g,维生素B15mg,琼脂9g.  相似文献   
54.
纳米复合Ti(C,N)基陶瓷烧结晶粒长大的特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用材料热力学原理,推导出纳米复合Ti(C,N)基金属陶瓷烧结过程中,晶粒生长速度与大、小颗粒半径之间的关系,并结合实验结果进行了分析.结果表明:纳米复合金属陶瓷在烧结的开始阶段,大晶粒的长大速度呈加速趋势,当大晶粒长大到一定程度时,其长大速度达到最大值,随后,速度逐渐减慢.采用放电等离子烧结、脉冲烧结等方法有可能进一步减小小颗粒的半径.Mo、WC、TiN的加入,抑制了沉淀—析出过程的进行,对晶粒的长大有一定的抑制作用.  相似文献   
55.
三维稳态晶体生长的物理本质   总被引:5,自引:2,他引:5  
考虑在均匀流场的作用下,分析了金属熔液凝固过程中晶体生长的三维稳态数学模型。应用傅里叶级数展开法,在周期性条件下得到了相应的八阶常微分方程的精确解析解,并确定了解中各系数之间的关系。该解揭示了在均匀流场的作用下,晶体生长呈现了一种周期性振荡式的模式,从理论上证实了固液界面前沿浓度呈现指数振荡衰减性是晶体生长的一个本质特性。  相似文献   
56.
缅怀“多莉”   总被引:1,自引:0,他引:1  
多莉,这只曾经享受过生命的快乐、并且为全世界带来过无数惊喜的可爱的小绵羊,于2003年2月14日平静安详地离开人世。它的“英年早逝”,引起了人们对克隆动物健康的关注、以及对克隆技术发展前景的再思考。  相似文献   
57.
利用Delphi开发温室黄瓜生长动态模拟系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍温室黄瓜生长动态模拟系统的设计思路、模块划分和各模块的主要功能.以通过实验得到的黄瓜光合作用数学模型及不同生育阶段中干物质分配比例等建模所需的作物参数为基础,运用积分的方法,进行黄瓜干物质增长量和在各器官中的分配的逐日模拟.研究表明:用Delphi开发的温室作物模拟模型比较简洁,易于实施;模拟值比实际值略高,误差在4.7%~14.8%之间,基本达到了预期的效果;如果进一步在模型中加入水肥等因子修正参数,则可以达到更高的精度.  相似文献   
58.
通过对土壤施入“盐碱丰”改良盐碱化严重的耕地,改良土壤的结构和理化性状,改善土壤的分散力,增加钙、镁离子的溶解度,置换出钠离子,经灌溉溶解作物周围盐分,达到改良土壤促进作物生长的效果。  相似文献   
59.
哺乳动物体细胞克隆是20世纪末生命科学领域最引人注目的高新技术,该技术在农业、生物学和医药等方面具有广泛的应用前景。近年来克隆技术发展迅速,多种哺乳动物相继克隆成功,但也存在着克隆效率太低、克隆动物表型正常而实质异常等问题。本文在近年来克隆技术研究的基础上,对克隆的概念、研究历史以及克隆的方法、过程进行了综述,展望了克隆的意义及克隆动物的应用前景,分析了目前克隆技术尚存在的问题,并提出了解决这些问题的关键。  相似文献   
60.
改进的多孔硅生长模型和计算机模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.  相似文献   
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