穿层钻孔水力冲孔消突技术研究与应用

本文主要论述穿层钻孔水力冲孔消突技术，通过采取穿层钻孔水力冲孔后，钻孔抽放瓦斯浓度大幅度提高，顺层长钻孔循环长度也相应增加，消除了喷孔现象。     

纳米磁性颗粒点阵的磁电阻效应

纳米颗粒高密度排列体系有其独特的磁学和电输运性质.主要研究了具有单轴各向异性的单畴磁性颗粒二维正方点阵的磁性和隧穿磁电阻效应.纳米磁性颗粒规则地浸在绝缘基质中.自旋电子在点阵中的输运主要来源于隧穿磁电阻.颗粒磁矩的取向与隧穿磁电阻的大小直接相关.我们发现磁偶极矩相互作用的强弱及温度对该种纳米颗粒点阵系统中的磁学和电输运性质有重要的影响.弱偶极相互作用下,系统的磁化强度和隧穿磁电阻随温度的增加而减小.在给定温度时,偶极相互作用强度的增加,使系统出现由低电阻状态向高电阻状态的转变.强偶极相互作用使系统出现明显的磁电阻各向异性.     

硅二极管的极限结温与本征温度

本文就P~ N结整流二极管的理论极限结温进行了讨论。指出P~ N结消失的理论极限结温为P~ 的本征温度。     

聚合物的空间电荷效应与电击穿机理

本文采用电声脉冲法,实测了聚乙烯试样中空间电荷分布,在特制的试样上,显示了均匀电场中空间电荷在直流击穿和短路击穿中的极性效应.空间电荷效应、交直流叠加和升压速度的实验结果表明,均匀电场中聚乙烯的击穿规律与极不均匀电场中树枝化的特性是一致的,进一步证明了 Budenstein 的实验发现,即均匀电场中聚合物的击穿起始于界面的树枝化.最后,作者用高氏树枝化新理论,对击穿现象作出了满意的解释.     

异质面GaAs太阳电池暗电流－电压特性的隧穿效应

在２００～３００Ｋ温度内测量了由ＬＰＥ生长的异质面高效ＧａＡＬｓ太阳电池暗电流－电压特性的温度关系，对实测的Ｉ－Ｖ特性进行拟合分析，认为低温低偏压下的过剩电流，起因于耗尽层内禁带中局域态间热协助的多级带间隧穿效应．     

一个球对称荷电黑洞的量子隧穿辐射特征

 尽管黑洞信息丢失之谜的完整解释要在量子引力或弦理论的框架内完成,但是为解决黑洞信息丢失之谜,用半经典的隧穿方法研究了球对称荷电黑洞的隧穿辐射特征.其结果表明隧穿率与Bekenstein-Hawk-ing熵的改变有关,辐射谱不是纯热谱,信息丢失是可能的,满足量子力学中的幺正性原理.这不仅是对Hawk-ing辐射谱的进一步修正,而且提供了研究黑洞荷电粒子隧穿辐射的新方法.     

五千年数学一瞥--兼评克莱因的《古今数学思想》

克莱因与<古今数学思想> 克莱因(M.Kline)于1972年出版的<古今数学思想>(Mathematical Thought from Ancient to Modern Times),曾被西方学者评为是"最好的数学史著作"[1].1970年代末,北京大学数学系的教师们把它译成中文后,在我国也产生了相当大的影响.     

GaAs／AlGaAs双势垒结构间接电子隧穿的研究

研究双势垒ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构在与时间有关的交变电场的作用下电子间接共振隧穿的几率和隧穿电流密度。采用转移矩阵方法给出电子在不同空间位置的波函数，用微扰的方法求出电子波函数的含时系数，最终给出电子隧穿几率和隧穿电流密度、计算结果表明电子隧穿几率曲线中出现附加的隧穿峰和隧穿峰变低，并且随穿电流密度曲线巾出现附加的隧穿台阶，隧穿峰变低和展宽，这主要是由于外加突变电场与Ｅ±ｎω的电子态耦合，为电子隧穿提供间接的通道和路径、这也是设计双势垒电子隧穿器件不可忽略的、上述方法也可以推广到多量子阶系统。     

超光速研究的量子力学基础

量子力学为超光速的研究带来了希望与可能。为检验EPR论文所做的实验显示,景象背后有某种东西比光进行得更快。量子隧道效应对超光速研究有重大意义,有关理论和实验研究都证明,人为地使一个光子或一个脉冲以超光速行进是绝对能做到的事;预期把等离子体用作位（势）垒时也会发现超光速现象;建议用实验研究物质波粒子（如电子）通过位（势）垒时将会发生的情况。     

科学家让光子“穿墙遁壁”

据物理学家组织网报道，英国剑桥大学卡文迪什实验室的科学家首次利用光让电子穿过了经典力学里无法穿越的“墙壁”（势垒），实现了量子隧穿，科学家们有望借此研制出新的凝聚态。