DNA与中性红相互作用电化学和光谱研究

利用电化学和光谱方法研究中性红和DNA的相互作用,根据其循环伏安曲线和紫外-可见光谱,在pH=7.05缓冲体系中中性红与DNA发生了嵌插作用.     

三价铕掺杂的聚酰亚胺纳米复合物的制备

将荧光性能优异的Eu(acac)3(络合物A)与EDTA双酐掺杂在4,4 二氨基二苯甲烷形成的聚酰亚胺(PI)中制备了发光纳米复合材料.荧光测定结果表明,材料荧光强度随Eu3 掺杂浓度的增加而增大;从透射电镜照片观察到络合物A在含PI溶液中是以粒径介于100～200nm的纳米球存在,而且可以明显看到每个小球都被PI包覆,厚度大约为6nm,形成了核壳结构.     

溶剂效应对中氮茚荧光性质的影响

合成了一系列中氮茚化合物，比较了它们在不同有机溶剂中紫外光谱和荧光光谱的变化情况，探索了化合物的微观结构与其光学性能之间的某些关系，结果表明溶剂极性对该类化合物吸收光谱的影响不明显，但对化合物的Stokes位移、荧光强度以及荧光量子效率的影响都较大，中氮茚化合物分子的荧光特性首先取决于它自身的分子结构，特别是各种能增强系间穿越过程的取代基的存在，而外界因素，如介质，温度、压力、浓度、酸度等对试剂荧光特性也有很大影响．     

用光谱和EPR谱确定CsMgCl3:Ni2+和CsCdCl3:Ni2+的局域结构

采用半自洽场（semi-SCF）自由Ni^2＋的3d轨道波函数、点电荷-偶极子模型和Ni^2＋-6X-（X=F,Cl,Br,I）络合物的μ-κ-α模型,建立了结构参数与光谱、EPR谱之间的定量关系,利用完全对角化方法,由光谱和电子顺磁共振（EPR）谱,确定了CsMgCl3：Ni^2＋和CsCdCl3：Ni^2＋晶体在77K温度时的Ni^2＋占位和局域结构参数,统一解释了CsMgCl3：Ni^2＋和CsCdCl3：Ni^2＋晶体的结构、光谱和EPR谱.此外,还讨论了高阶微扰方法、参量拟合方法等问题.所得理论结果与实验值符合得很好.     

矿物的荧光性

文章介绍了矿物发光机理的基本概念以及在生活上的应用，分析、研究了不同产地的同种天然萤石光致荧光光谱特性，给出天然萤石荧光机理。     

1-(3,5-二氯 4-异噻唑甲酰基)3-芳基脲及1-(3,5-二甲硫基 4-异噻唑甲酰基)3-芳基脲的合成

结构新颖的含异噻唑杂环脲类化合物被合成，其结构经元素分析，^1H NMR和IR所证实，异噻唑甲酰胺与芳基异氰酸酯的反应速率受芳基异氰酸酯的取代基影响，吸电子基使反应速度加快表明反应为亲核加成。     

4—甲基二苯并噻吩的合成与表征

采用将二苯并噻吩先锂化、再烷基化的方法，可以合成4—甲基二苯并噻吩(4-MDBT)。优化的合成条件如下：正丁基锂(n-BuLi)与二苯并噻吩(DBT)的摩尔比为3：1，正丁基理己烷溶液的浓度为1．5mol/L，磺甲烷与DBT的摩尔比为3：1，在—35℃下进行理化、烷基化反应。在此条件下，DBT的转化率最高，达90％以上；4-MDBT的色谱收率达82．3％。粗产品经活性白土脱色及在-20℃下用95％甲醇重结晶2次后，产品纯度达96．1％，产率为61．6％。对合成产品4-MDBT进行的GC-MS、^1H-NMR、FT-IR、XRD分析表征结果表明，合成产物的确为4-MDBT。     

THz技术进展

THz(10^12Hz)技术是二十世纪八十年代末发展起来的一种新技术，它在很多基础研究领域、工业应用领域、医学领域、军事领域以及生物领域中有相当重要的应用前景。本文从总体上介绍了THz技术的基本研究情况，包括它的产生、探测机理研究，THz光谱应用研究及THz成像研究，并介绍了目前THz技术研究中亟待解决的一些问题。     

纳米复合电磁线绝缘材料制备和表征

该文研究了纳米材料改性复合绝缘材料的制备方法，采用高频老化实验对样品的耐变频性能作了测定．结果表明，纳米复合绝缘材料在变频电机中的使用寿命比普通绝缘材料提高7倍以上，且纳米颗粒分散工艺对材料性能影响较大．文中还对纳米材料提高绝缘材料耐变频性能的机理进行了初步探讨．     

密度泛函理论研究琥珀酰苯胺和联丁二酰亚胺

通过HF/3- 2 1G从头计算求得琥珀酰苯胺 (PHSIM)和联丁二酰亚胺(BSIM )的内旋转位能曲线 ,在密度泛函理论B3LYP/6 - 31G 水平对能量极小点所对应的稳定构型进行全优化 ,并作集居数分析、自然键轨道分析和简正振动分析 ,获得它们的几何构型、电子结构、红外光谱和热力学性质。结果表明 ,PHSIM和BSIM均以非平面构型存在 ,前者分子中五员环和六员环之间的夹角约为 4 3°;后者的 2个五员环平面相互垂直。它们分子中羰基伸缩振动带均分裂为 2个 ,在PHSIM中为 1 74 0cm-1 、1 795cm-1 ,而在BSIM中为 1 773cm-1 、1 80 2cm-1 ,且低频带的振动强度远大于高频带。由振动频率计算了标题物在 2 98～ 80 0K温度范围的热力学函数 ,通过原子化反应由B3LYP能量估算了它们的标准生成热