离子注入重掺N的GaP中过带隙发光谱

为了取得蓝色发光材料,我们研究了GaP-GaN固溶体.在GaP外延片的衬底上进行了离子注入重掺N,获得了不同于GaP结构的晶体.X射线衍射花样表明,注N~+的GaP结构变成纤锌矿格子,这恰似GaN的结构.通过快速退火,进行了光致发光测量,无论退火前和后都得到了过带隙的发光.     

多层结构有机物薄膜制备及光致发光特性

利用有机物真空沉积技术制备了8-羟基喹啉铝（Alq）和叔丁基联苯基苯基二唑（PBD）交替生长的多层结构薄膜．低角X射线衍射测量表明，样品具有良好的层状结构；光吸收及光致发光测量结果表明，随着PBD层厚度的减薄，激发态能量发生了从PBD向Alq层中转移的现象．     

混晶法制备高亮度蓝色SrS∶Ce薄膜

以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜，研究了新制备ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能，并与直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ粉末制备的薄膜进行了对比．测量了它们的Ｘ射线衍射谱、ＰＬ激发光谱和发射光谱以及电致发光器件的ＥＬ光谱，结果表明混晶法制备的薄膜比直接法好，ＺｎＳ的引入弥补了在ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜中Ｓ的不足，且避免了在直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ材料蒸发过程中Ｓ气氛对环境的污染．     

[Zn(2,2’-bipyridine)_3][Zn(CN)_4]·2H_2O复配物中线型四聚水簇（英文）

通过水热合成法,利用Zn(CN)2,2,2’-联吡啶合成出一种新颖的复配物[Zn(bipy)_3][Zn(CN)_4]·2H_2O(1),它的特点是通过复杂的氢键作用,将一种结构新颖的线性四聚体水簇和[Zn(CN)_4]_2-负电基团连接组装成一种二维超分子网络.并对1进行了包括单晶X-射线衍射、红外、热重以及荧光发射在内的表征与分析.研究发现在室温下310 nm的紫外光激发下,1表现出强烈的荧光发射性质,且发射光波长为437 nm,与绿光非常接近.     

Bi3.6Eu0.4Ti3O12/ZnO复合薄膜的结构与发光性能的研究

为了研究Bi3.6Eu0.4Ti3O12/ZnO复合薄膜在结构与发光性能上的变化,采用化学溶液沉积法(CSD)在石英衬底上制备BET薄膜和BET/ZnO复合薄膜。XRD测试结果表明,所制备的BET薄膜与BET/ZnO复合薄膜均为良好的铋层状钙钛矿多晶结构,并具有(117)择优取向,ZnO的掺入对钙钛矿相BET结晶有促进作用,晶粒尺寸变大。在发光方面,BET薄膜与BET/ZnO复合薄膜的激发中心都位于350 nm附近的波段,发射谱主要包含位于595 nm和614 nm的两个峰,都属于Eu3+离子跃迁发光,但BET/ZnO复合薄膜在发光性能上却有较大的提高,这可能与ZnO具有强烈的紫外吸收及ZnO和Eu3+或Bi3+离子间存在较为有效能量传递有关。这种复合薄膜的研究将为探索新型的发光材料提供有益的借鉴。     

A novel water-soluble anionic conjugated copolymer containing poly（p-phenylene vinylene） segments： Copolymer synthesis and multilayer construction by assembling poly（diallyl dimethyl ammonium chloride）

This paper reports the synthesis of a water soluble conjugated polymer poly（p-phenylene vinyleneco-sodium methacrylate） （ws-P（PV-co-SMA）） and the multilayer of the derived copolymer assembling poly（diallyl dimethyl ammanium chloride） （PDDA）. The self-assembling process of the multilayer was monitored by UV-vis absorption spectroscopy, and the data indicated a linear increase in film thickness with a number of ws-P（PV-co-SMA）/PDDA bilayers. The alternative deposition of ws-P （PV-co-SMA） and PDDA allowed the insertion of a non-conjugated layer between the conjugated layers, thus the migration of the photogenerated polarons was effectively confined in the isolated ws-P （PV-co-SMA） chains. Consequently, the photoluminescence quantum yield reached 0.68, 30 times higher than that of pure poly（p-phenylen vinylene）. The distinct electronic interactions between conjugated segments were confirmed by comparative analyses of the excitation spectra and time-resolved photoluminescence spectra of ws-P（PV-co-SMA） solid film and the assembled multilayers. The confinement effect of the PDDA layer on the photogenerated carriers was verified by the surface photovoltage spectroscopic measurement on both ws-P（PV-co-SMA） solid film and self-assembled multilayers.     

硅基钠米材料发光特性的研究进展

近年，硅基低维材料物理与工艺的研究预示，硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向，而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格、量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术的日益发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓。本文将主要介绍硅基纳米材料，如采用各种成膜技术在不同衬底表面上制备的高质量纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）膜，镶嵌在各种介质，如　－Ｓｉ：Ｈ、ＳｉＯ２或ＳｉＮｘ中的纳米晶硅，以及利用自组织生长的Ｇｅ、Ｓｉ以及ＧｅＳｉ纳米量子点的光致发光特性及其最近研究进展。     

半导体GaAs一(GaAl)As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PIE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理.     

Ge-SiO_2薄膜的光致发光及其机制

采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜. 薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理. 根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸. 经600～1000℃退火, Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9 nm增至6.1 nm. 在紫外光的激发下, 所有样品都发出很强的394 nm的紫光. 随着Ge纳米晶粒的出现, 样品有580 nm的黄光发出, 其强度随着晶粒的增大而增强. 对于经不同温度退火的样品, 这两个波段的峰位都保持不变. 根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论.