In1-xGaxN/Si异质结太阳能电池的光伏特性研究

通过器件模拟对n-In1-xGaxN/p-Si异质结的光伏特性进行了研究,并与c-Si同质结薄膜电池的性能作了比较。研究表明:在AM1.5的光照条件下,n-IGN/p-Si异质结在最佳的电池设计、最佳的材料和最佳的操作参数条件下获得的电池效率达到了27%。电池效率受到薄膜质量的强烈影响,从电子亲和势、多数载流子的迁移率、少数载流子的寿命、薄膜厚度以及掺杂水平的变化可以得到说明。     

ZnSe 纤锌矿纳米带及两相共存纳米线的制备和表征

采用简单的热蒸发方法,以ZnSe粉末合成了较均匀的纤锌矿的纳米带,及少量纳米线.纳米带有统一的宽度100～200 nm,长10～20μm,纳米带的生长遵循气—固的生长机制.纳米线存在立方相和六方相的相互转换,其直径约为30 nm左右.样品的光致发光显示出在2.00 eV较强的深能级发射峰,同时也可以观察到相对较弱的的位于2.66 eV的带边发射峰.     

双掺杂透明导电氧化物纳米线的制备与发光性能

文章以金属镓(Ga)、铟(In)和氧化亚锡(SnO)粉末作为前驱反应物,通过简单的热蒸方法成功制备出双掺杂的氧化物ISGO(掺杂了In、Sn的Ga2O3)纳米线。样品的形貌、结构与成分的测定分别在场发射扫描电镜、X射线衍射谱仪、选区电子衍射、高分辨透射电镜以及X射线能量散射谱仪上进行,结果表明已合成的纳米线为掺杂In和Sn具有单斜晶结构的-βGa2O3;还提出了用自催化气-液-固(VLS)生长机制来解释双掺杂氧化物ISGO纳米线的生长;提出了由于Sn和In成分的双掺杂,使得其发光峰的峰位明显红移、半高宽变宽。     

电场调制WS2单层分子薄膜光致发光行为

二维材料已经在多个领域得到应用,其中过渡金属硫化物(Transition metal dichalcogenides,TMDCs)因存在带隙而有望用于光电领域.将机械剥离法制备的WS2单层分子薄膜通过干法转移至两种微周期电极结构上,实验发现其光致发光信号受到外加偏压的调制.研究了常温和低温环境下外加偏压对WS2薄膜荧光...     

氮化衬底对MOCVD生长GaN的影响

采用MOCVD生长技术以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究．用霍尔测量技术、光致发光技术以及光学显微镜测量了GaN的电学性能、光学性能以及表面形貌．研究表明,GaN低温缓冲层生长之前的氮化衬底工艺对GaN外延层表面形貌、发光性能、电学性能有显著影响．合适的氮化衬底条件可得到表面形貌、发光性能和电学性能均较好的GaN外延膜．研究表明长时间氮化衬底使GaN外延膜表面粗糙的原因可能是由于氮化衬底影响了后续高温GaN的生长模式,促使GaN三维生长所导致的．